Semiconduttori

• Semiconduttori intrinseci cristalli “ideali”che non

contengono nessuna impurezza o difetto reticolare.
• Non ci sono portatori di carica a bassa T (0 K). Se la
temperatura aumenta si generano coppie elettrone-
lacuna.
• La concentrazione di elettroni si indica con n e quella di
buche con p.
• Nei semiconduttori intrinseci n = p = ni con ni
concentrazione portatori intrinseci.
• ni  1.61 x 1016 m-3 a RT mentre la concentrazione di
elettroni liberi in un metallo è di circa 1029 m-3.
• Cu  6 x 107 -1m-1 Si  5 x 10-4 -1m-1
• Ad una data T ci sarà oltre che una generazione di coppie elettrone-
lacuna anche una ricombinazione
• Rate generazione-ricombinazione allo stato stazionario (equilibrio)
sarà lo stesso gi =ri = Bnp (=Bni2 per semic. intrinseci) con B costante
proporzionalità
• Energia della ricombinazione (circa Eg) sarà emessa come
radiazione o come calore al reticolo.
• Ricombinazione radiativa (fotoni)
• Ricombinazione non-radiativa (fononi)

• Ricombinazioni banda-
banda

• Ricombinazioni con
stato di difetto (trappola)
 Semiconduttori estrinseci
• Nei semiconduttori estrinseci il numero dei portatori può essere
aumentato artificialmente introducendo delle impurezze (drogaggio).
Può essere aumentata la concentrazione degli elettroni (materiale tipo n) o
quella delle lacune (materiale tipo p).
• Per il drogaggio di
elementi tetravalenti
(Si,Ge) si possono
usare impurezze
della colonna V
(Fosforo, Arsenico)
per ottenere
materiali di tipo n.
ED = Eg-Ed  0.04 eV
• Donori
 • o impurezze della colonna III (Boro, Indio) per ottenere
semiconduttori di tipo p.

• Accettori

EA = Ea-Ev  0.03 eV

In semiconduttori III-V (GaAs) il drogaggio può essere effettuato usando elementi dei
gruppi II (tipo p) o VI (tipo n) o del gruppo IV che possono essere sostituiti per
drogare il semiconduttore o p (sostituzione Arsenico) o n (sostituzione Gallio).
 Eccitoni
• Sono delle coppie legate
elettrone-lacuna soggette a
interazione coulombiana che
si possono muovere attraverso
il cristallo trasportando energia
di eccitazione, ma non carica.
Quindi non contribuiscono alla
conduttività elettrica.

Dal modello di Bohr si ricava l’energia di legame dell’eccitone:

Con mr* massa ridotta dell’elettrone e della buca:

I livelli di energia dell’eccitone sono dello stesso ordine dei livelli dei donori
nei semiconduttori drogati
 Concentrazione di portatori
• Per i metalli il numero di portatori è circa pari al numero
di atomi per unità di volume moltiplicata per valenza
atomi.
• Per semiconduttori drogati pesantamente i portatori di
maggioranza sono pari alla concentrazione delle
impurezze (a T alte non è vero).
• Per determinare la concentrazione è necessario sapere:
– Distribuzione degli stati di energia dentro la banda
– Probabilità di ciascuno di questi stati di essere
occupato
• La funzione densità degli stati (definita come numero di
stati di energia per unità di energia e unità di volume)
vale:
 La probabilità di
occupazione dipende dal
fatto che gli elettroni
obbediscono al principio
di esclusione di Pauli e
quindi la probabilità di
occupazione a
temperatura T è data dalla
statistica di Fermi-Dirac.

La funzione di
distribuzione di Fermi-
Dirac vale:

Con EF Energia di Fermi definita come l’energia dell’ultimo livello completo.

Nei semiconduttori intrinseci EF è circa al centro della gap proibita

Numero di elettroni
con energia tra E e
E+dE nella banda di
conduzione

Elettroni in banda conduzione sono distribuiti in un range di energia di

circa 2kT e il massimo è a Ec + kT/2.
Nei semiconduttori estrinseci EF è localizzato più verso il livello energetico
degli accettori o dei donori
La concentrazione dei portatori è data da:

Se si ha un metallo a T = 0 K (F(E)=1):

Svolgendo:

Tipici valori di EF per metalli sono di alcuni eV (7 eV per rame e

11.2 eV per alluminio)

Nel caso di semiconduttori si sostituisce E con E-Ec nell’equazione

della concentrazione dei portatori e si ottiene:
Con ET energia del
massimo della banda

Svolgendo: con

Nc densità degli stati effettiva in banda di conduzione (costante a T costante)

• Con argomentazioni simili si ottiene la concentrazione delle lacune
in banda di valenza:

Svolgendo l’integrale: (segno -)

con Densità degli stati effettiva in B.V.

Possiamo derivare esplicitamente il valore di EF in un semiconduttore

intrinseco dove n=p=ni

Inoltre il prodotto np è costante a temperatura costante e vale:

ni ha andamento esponenziale

Quindi noto n o p l’altro può essere trovato tramite ni2 (Legge

dell’azione di massa per i semiconduttori)
• Allo stesso modo per semiconduttore di tipo n la concentrazione di
portatori n  exp (-ED/kT)

• Poiché ED è piccola già a circa 100 K tutti i donori sono ionizzzati

mentre le coppie elettrone-lacuna create sono trascurabili.
 Funzione lavoro
 (funzione lavoro) è l’energia minima affinchè un elettrone possa
essere estratto dalla superficie di un metallo  = Evacuum-EF

Per i semiconduttori si definisce l’affinità elettronica  come la

differenza tra il minimo della banda di conduzione e il livello di
vuoto (no elettroni al livello di Fermi - significato fisico)
 Portatori in eccesso nei semiconduttori
• La maggior parte dei dispositivi a semiconduttore funzionano sulla
formazione di portatori in eccesso rispetto a quelli presenti
all’equilibrio termico
• Modi per generarli:
- Eccitazione ottica (h > Eg )
- Iniezione per contatto
• Se consideriamo n(t) e p(t) come le concentrazioni dei portatori
in eccesso il rate con cui le coppie elettrone-lacune in eccesso si
annichilano sarà:

Con n(t) = n + n(t) e p(t) = p + p(t) concentrazioni totali portatori e n e p

concentrazioni di equilibrio.
Poiché np=ni2 e n(t)=p(t) si ha:
 • Se si ha una bassa concentrazione di portatori in eccesso si può
trascurare il termine quadratico e se il semiconduttore è estrinseco
si può trascurare anche la concentrazione di portatori di minoranza
(tipo p si trascura n poiché p>>n e tipo n si trascura p poiché n>>p).
Per cui per materiale di tipo p si ha:

La soluzione è:

• Con n(0) concentrazione dei portatori in eccesso a t=0 (sorgente di

eccitazione è spenta) e e = 1/Bp tempo di vita di ricombinazione dei
portatori di minoranza.

• In modo simile il tempo di vita di ricombinazione di lacune in un materiale di

tipo n vale h = 1/Bn.

• In generale  rappresenta il tempo medio in cui un portatore in eccesso

rimane libero prima di ricombinarsi direttamente.
 Diffusione dei portatori
Supponiamo di iniettare
dei portatori di minoranza
da un estremo del
semiconduttore.

Ci sarà un flusso netto

(diffusione) di
buche o di elettroni da
sinistra verso destra a
causa del movimento
termico.

Il flusso netto delle lacune

o degli elettroni per unità di
area dovuto alla diffusione
sarà:

Con Dh e De coefficienti di diffusione

• I coefficienti di diffusione sono legati alla mobilità e sono una
indicazione della facilità con cui i portatori si possono muovere nel
cristallo
De,h = e,h kT/e

• Procedendo dentro il semiconduttore i portatori tenderanno a

ricombinarsi. Si può definire una lunghezza di diffusione Lh e Le
per lacune e elettroni.

• Consideriamo un elemento largo x della sbarretta di semiconduttore

e troviamo il flusso delle buche attraverso una superficie A nel lato
sinistro dell’elemento:

• Nel lato destro dell’elemento si ha:

• La differenza tra i due valori è il flusso netto con cui l’elemento

“guadagna” lacune.
• Allo stato stazionario la generazione di buche uguaglierà il rate di
ricombinazione delle lacune in eccesso (-dp(t)/dt = Bnp(t)) e
quindi possiamo scrivere:

• La soluzione di questa equazione (equazione di diffusione allo

stato stazionario) è:

con Lh = (Dhh)1/2 lunghezza di diffusione.

Costanti B1 e B2 vengono determinate con condizioni al contorno:

quindi B1=0
p(x) = p(0) ad x=0 e quindi B2= p(0)
Inserendole nell’equazione:

La concentrazione di portatori di minoranza diminuisce

esponenzialmente con la distanza
• La diffusione dei portatori darà origine
ad un flusso di corrente. Possiamo
scrivere le densità di corrente di
diffusione per gli elettroni e le buche
come:

• Se si applica un campo elettrico in

aggiunta alla iniezione di portatori si ha
una densità di corrente totale per
elettroni e lacune data dalla somma:

• E quindi la densità di corrente totale

nel semiconduttore sarà la somma di
questi due contributi:

J = Je + Jh
 Giunzioni

Giunzioni p-n dello

stesso materiale
(omogiunzioni)

Sono alla base di:

- Fotodiodi
- Light emitting
diodes (LED)
- Dispositivi
fotovoltaici

Giunzioni nette
(cambio portatori
improvviso)
Dopo contatto, elettroni
in materiale di tipo n
tenderanno a diffondere
nel materiale di tipo p.
Gli elettroni lasceranno
nella regione n da cui
sono migrati dei donori
ionizzati. Lo stesso avviene
per il materiale di tipo p, per
cui si instaura un campo
Elettrico che si oppone
ad una ulteriore diffusione
dei portatori di
maggioranza.
Ci sarà comunque un
passaggio di portatori di
minoranza (opposto alla
corrente di diffusione). La
situazione evolve finchè le
correnti non saranno uguali
(livello di Fermi costante
nella giunzione). Depletion
Layer
 • All’equilibrio: Jh(drift) + Jh(diff) = 0 e Je(drift) + Je(diff) = 0

A causa del campo elettrico si instaura un potenziale di contatto V0 che

dipende dalla T e dal livello di drogaggio.
Le espressioni che legano il potenziale di contatto con i livelli di drogaggio
ci danno:
Concentrazione degli elettroni nel lato p:

Concentrazione degli elettroni nel lato n:

Livello di Fermi è costante nel materiale per cui EFp = EFn = EF

eliminando Nc

da cui e

Per temperature tra 100 e 400 K i portatori di maggioranza sono uguali al numero
di donori o accettori, per cui nn = Nd e pp = Na e si può scrivere:
 Giunzioni p-n polarizzate direttamente
• Se si polarizza una giunzione ci sarà un flusso netto di corrente
• Polarizzazione diretta (zona p connessa con polarità positiva del
generatore di tensione)
• Effetto netto: abbassamento barriera di potenziale (V0 –V)
• Corrente diffusione (portatori maggioranza) diventa più grande di quella
di deriva:
Jdiff > Jdrift
• Effetto netto corrente da p verso n.
Portatori di maggioranza iniettati diventano portatori minoranza
appena passata la giunzione con concentrazioni n’p e p’n che
decrescono esponenzialmente a causa ricombinazione

I portatori persi (nella ricombinazione) sono rimpiazzati dalla tensione esterna

e così si instaura un flusso di corrente nel circuito esterno

La corrente di deriva invece non dipende dalla tensione applicata poiché i

portatori di minoranza possono diffondere nella zona di svuotamento ed
essere trasportati attraverso essa indipendentemente dal campo elettrico.
 Le espressioni per le concentrazioni dei portatori di minoranza sono:

e considerando: si ottiene:

L’eccesso di portatori di minoranza diminuirà esponenzialmente a causa della

ricombinazione e quindi si può scrivere:

La densità di corrente totale attraverso la giunzione (elettroni e lacune) sarà:

con Densità di corrente

di saturazione
 Giunzioni p-n polarizzate inversamente
In questo caso la tensione esterna innalza ulteriormente la barriera di
potenziale al valore V + V0

In questo caso la corrente di diffusione (portatori maggioranza) sarà

considerevolmente ridotta e la corrente netta sarà quindi
essenzialmente quella di deriva: Jdrift > Jdiff

Effetto netto: corrente da n verso p.

• Effetto generale
estrazione di portatori
invece di iniezione.

• Portatori minoranza
generati vicino a
giunzione diffondono e
attraversano la giunzione.

• Anche in questo caso la

corrente attraverso la
giunzione sarà:

con

Densità di corrente
di saturazione
 Caratteristica tensione corrente di una giunzione p-n

Polarizzazione diretta corrente aumenta esponenzialmente con tensione

Polarizzazione inversa corrente raggiunge un valore di saturazione i0
 Breakdown
Per valori sufficientemente alti di polarizzazione inversa si può verificare il
fenomeno del breakdown. Che consiste in un improvviso aumento della
corrente inversa per un certo valore di tensione

Effetto Zener: Si ha quando i drogaggi sono molto alti e il depletion layer è

sottile e si hanno campi intensi alle giunzioni. Stati pieni in B. V. dal lato p sono
allineati con stati vuoti in B.C. dal lato n. Effetto Tunnel elettroni da p verso n.

Effetto a cascata (avalanche): Si ha in giunzioni debolmente drogate con ampio

depletion layer. I portatori che attraversano lo strato acquistano una energia
sufficiente per ionizzare atomi del reticolo. Gli elettroni e le buche così prodotte
possono a loro volta ionizzare altri atomi e così si ha un effetto a cascata.