Transistor 

bipolare a giunzione  
In elettronica, il transistor bipolare a giunzione (abbreviazione comunemente utilizzata: "BJT") è
una tipologia di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come
amplificatore e interruttore.
Si tratta di tre strati di materiale semiconduttore drogato, solitamente silicio, in cui lo strato
centrale ha drogaggio opposto agli altri due, in modo da formare una doppia giunzione p-n. Ad ogni
strato è associato un terminale: quello centrale prende il nome di base, quelli esterni sono detti
collettore ed emettitore.
Il principio di funzionamento si fonda sulla possibilità di controllare la conduttività elettrica del
dispositivo, e quindi la corrente elettrica che lo attraversa, mediante l'applicazione di una tensione
tra i suoi terminali. Tale dispositivo coinvolge sia i portatori di carica di tipo n (elettroni) che quelli di
tipo p (lacune), e pertanto questo tipo di transistore è detto bipolare.
Il BJT (dall’inglese: Bipolar Junction Transistor) è un componente elettronico attivo, ovvero in grado
di controllare tramite un controllo in ingresso una variabile in uscita maggiore di quella in ingresso. È
un tripolo costituito dai tre terminali denominati base, collettore ed emettitore e può essere
classificato in base ai modelli di generatori pilotati come un CCCS (Current Controlled Current
Source) cioè come generatore di corrente pilotato in corrente.

Simbolo dell'NPN Simbolo del PNP

Il BJT è di natura non lineare ma mediante un adeguata rete di polarizzazione formata da componenti
passivi come resistenze può diventare lineare. Questi transistor possono essere utilizzati
principalmente come interruttori controllati da una corrente (sfruttando il naturale stato di non
linearità) o come amplificatori (collegando una rete esterna di polarizzazione, costituita da
resistenze) studiando per quest’ultimo il modello statico e dinamico se si tratta di un amplificatore di
segnale. Esistono due tipi di BJT, il PNP e l’NPN: questi due hanno tra loro una notevole differenza di
funzionamento dato che hanno differenti versi di correnti. Nel caso del transistor NPN si ha una
corrente di base IB entrante, una corrente di collettore IC entrante e una corrente di emettitore IE
uscente, al contrario del PNP che deve per convenzione ha una IE entrante, una IB uscente e una IC
uscente.
Il transistor a giunzione bipolare può essere usato classicamente in tre configurazioni diverse dette a
base comune, a collettore comune o a emettitore comune: questi termini si riferiscono al terminale
privo di segnale (di solito perché collegato a massa, direttamente o tramite un condensatore di
bypass).

Quando si osserva lo schema del BJT si può notare che le tre correnti convergono in uno stesso punto
centrale e quindi si può applicare il primo principio di Kirchhoff immaginando il dispositivo come un
nodo, ottenendo un’equazione identica sia per il PNP che per l’NPN:

Le caratteristiche di ingresso e uscita

Per studiare il comportamento delle variabili nella porta di ingresso nel caso della configurazione ad
emettitore comune si può procedere ponendo al circuito una VCE costante e una corrente IB variabile
entrante nella base che di conseguenza produrrà una tensione VBE proporzionale alla
IB stessa .
 Caratteristica di ingresso

Da questo grafico si osserva che a tensioni di VCE minori di 0.7 Volt la corrente risulta essere molto
bassa o addirittura nulla mentre con l’aumentare della VCE si nota il massimo passaggio di corrente
nella base; da ciò si intuisce che ai capi Base-Emettitore è presente una giunzione di tipo PN come
quella dei diodi e pertanto una tensione posta in ingresso avrà su essa una caduta di potenziale pari a
0.7 Volt. Si può inoltre notare che attribuendo diversi valori a VCE la curva si sposterà di poco
rendendo praticamente trascurabile la relazione tra la tensione VCE (posta nella seconda maglia - porta
di uscita) e la tensione VBE (posta nella prima maglia - porta di ingresso).
Procediamo analizzando la porta di uscita.

Transcaratteristica di uscita

La transcaratteristica di uscita mette in relazione sia la corrente di collettore con la VCE che la
corrente di collettore con quella di base, ed è per il variare di quest’ultima che si producono molte
curve. In questo grafico è possibile individuare tre distinte zone di lavoro del BJT: la zona di
interdizione, la zona attiva e la zona di saturazione. In interdizione il BJT presenta una corrente IC
molto piccola circa pari a 0 e fisicamente è come se ci fosse un circuito aperto tra il collettore e
l’emettitore. In zona attiva si nota una IC dipendente dalla IB formulabile con la seguente
relazione:
IC = hFE  IB

dove hFE è un numero puro ed è chiamato guadagno statico di corrente (o amplificazione statica di
corrente); questa zona di funzionamento viene utilizzata nell’ambito delle amplificazioni. In
saturazione si nota una forte dipendenza di IC dalla VCE che, anche con piccole variazioni, può di
conseguenza determinare una grande variazione della corrente di collettore; in questo modo si può
vedere la giunzione Collettore-Emettitore come un corto circuito data la bassa resistenza.

Configurazione ad Emettitore Comune (CE)

Il transistor è un componente tripolare (cioè ha 3 terminali) ma può essere analizzato mettendo in
comune un terminale con gli altri due riuscendo così a vederlo come doppio bipolo e mettendo in
evidenza un bipolo di ingresso e uno di uscita. Esistono tre possibili configurazioni: a EMETTITORE
COMUNE, a BASE COMUNE e a COLLETTORE COMUNE. Quest’ultima configurazione è quella che
viene maggiormente utilizzata: ponendo l’emettitore a massa si ha un bipolo di ingresso caratterizzato
da una tensione VBE e da una corrente IB e un bipolo di uscita caratterizzato da una tensione VCE e una
corrente IC . Le resistenze RB e RC servono a determinare quanta corrente deve attraversare le
relative resistenze.
 
 
  Fig. A 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
L’equazione della maglia di ingresso è:
V I ∙R V 0
L’equazione della maglia di uscita è:
V I ∙R V 0

Da queste equazioni si può ricavare ciò che non è noto (ad esempio la corrente IB o la corrente IC),
mentre le grandezze note o vengono date dal costruttore o si ricavano dalle caratteristiche.
La potenza massima dissipata dal BJT si concentra sulla giunzione collettore-base, e quindi si calcola:
 ∙

Questa equazione rappresenta una iperbole nella caratteristica di uscita, per valori di IC e VCE che
stanno sopra tale curva il transistor non può funzionare.

Esercizio 1
Dato lo schema precedente (fig. A - polarizzazione del BJT con 2 generatori), sono noti:
VBB=3V RB=8,2 KOhm
VCC= 12V RC=100 Ohm
VBE= 0,7 V
hFE=200 Ricavare VCE e IC e PC
Soluzione
L’equazione della maglia di uscita contiene 2 incognite, quindi non può essere utilizzata subito; occorre
ricavare una delle due in un altro modo.
Dalla maglia di ingresso si può ricavare IB:

V V 3 0,7
I 0,28 mA 280 A
R 8,2

Poiché siamo in regione attiva, vale l’equazione

I h ∙I 200 ∙ 0,28 56 mA

Adesso possiamo ricavare la VCE:

V V I ∙R 12 56 ∙ 0,1 6,4 V

E la PC:
P V ∙I 6,4 V ∙ 56 mA 358,4 mW

Vediamo la soluzione con Multisim :


Esercizio 2
Dato lo schema precedente (fig. A - polarizzazione del BJT con 2 generatori), sono noti:
VBB=3V VCE =8V
VCC= 10V
VBE= 0,7 V Ricavare IC, hFE, RC, RB
IB = 14 A
  2N2923 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Soluzione
Dal grafico con il valore VCE =8V e IB = 14 A si ricava IC  2,4 mA (ogni riga tratteggiata intermedia è
0,2 rispetto all'intero, la linea tratteggiata rossa finisce sulla 2a linea tratteggiata tra 2 mA e 3 mA)
Si ricava hFE :
I 2,4 mA
h 171,42 ≅ 171 
I 0,014 mA
 
Con l'equazione della maglia di ingresso si ricava RB e con quella della maglia di uscita RC.
V V 3 0,7
R ≅ 164 kΩ
I 0,014
V V 10 8
R ≅ 0,83 kΩ
I 2,4

E la PC:
P V ∙I 8 V ∙ 2,4 mA 19,2 mW
Esercizio 3
Dato lo schema precedente (fig. A - polarizzazione del BJT con 2 generatori), sono noti:
VBB=2,5 V
VCC = 12 V 1] Ricavare VCE, hFE, RC, RB
IC= 6 mA
IB= 30 A 2] Ricavare VCE, hFE, RC, RB
VBE= 0,7 V se IC= 8 mA e IB= 40 A
Soluzione
1] Dal grafico si ricava la VCE proiettando la corrente IC (tratteggio rosso) fino a incontrare la curva
parametrica IB = 30 A e proiezione da quel punto sull'asse VCE (tratteggio blu), dove interseca a 7 V.

Si ricavano hFE e le RB-RC:

I 6 mA
h 200 
I 0,03 mA
 
V V 2,5 0,7
R ≅ 60 kΩ
I 0,030

V V 12 7
R ≅ 0,83 kΩ
I 6
2] Dal grafico si ricava la VCE proiettando la corrente IC (tratteggio verde) fino a incontrare la curva
parametrica IB = 40 A e proiezione da quel punto sull'asse VCE (tratteggio arancione), dove interseca
a 6 V.
Si ricavano hFE e le RB-RC:
I 8 mA
h 200 
I 0,04 mA
 
V V 2,5 0,7
R 45 kΩ
I 0,040

V V 12 6
R 0,75 kΩ
I 8

1] I valori rilevati dagli strumenti danno dei risultati che non sono sempre vicini al valore teorico.
Questo è causato da diversi fattori:
 la caratteristica di uscita è un grafico sperimentale di una componente non-lineare; i
calcoli permettono di determinare le condizioni di funzionamento di massima, poi si
procede ad una regolazione "fine" dei componenti; ad esempio, nella simulazione
sottostante la IC è maggiore di quella prevista (e quindi VCE è minore), si può aggiustare
il valore aumentando RC.
 hFE è un valore che non è costante è che dipende dalla corrente IC.
 la curva caratteristica di un determinato BJT può avere delle differenze rispetto ad un
altro, e poiché il grafico utilizzato è generico, può avere qualche discrepanza rispetto
alle condizioni reali.
2]