La Tecnologia Piezoelettrica e

le sue principali applicazioni

Cesena, 28 Maggio 2010

Relatore: Dott. Gianluca Poli

La Piezoelettricità
La piezoelettricità è la capacità di alcuni materiali cristallini di manifestare una carica
elettrica se sottoposti ad uno stress meccanico oppure di deformarsi se sottoposti ad
un campo elettrico.
 Materiali piezoelettrici
Perché ceramiche? I più importanti materiali artificiali sono realizzati con un processo
ceramico e la loro struttura policristallina è molti simile alla struttura delle “tradizionali
ceramiche” che tutti noi conosciamo.

Materiali Naturali:
8 Quarzo, Tormalina, Sali di Rochelle, etc.
Materiali Artificiali (componenti):
9 Ceramiche policristalline (PZT, BNBT, )
9 Compositi piezo-ceramici (MFC, Patch)
9 Polimeri (PVDF)

Dispositivi
Strutture complesse realizzate da più componenti o da
componenti e meccanica di supporto

Principali impieghi
Storicamente, i principali settori di applicazione dei componenti e dispositivi
piezoelettrici si suddividono in 4 macro-categorie:
 Applicazioni
Forza
Spostamento
Accelerazione
Pressione
Acustici
Impatto

Applicazioni – Sensori 1

Q = nd33F
U3 = g33hT3
La carica elettrica viene generata solo durante il
periodo di transizione della forza applicata.

PREGI LIMITI
9 Assenza di alimentazione 8 Misura dinamica
9 Elevata sensibilità 8 Risposta funzione delle frequenza
9 Elevata rigidità
 Applicazioni – Sensori 2

Q = nd33F
U3 = g33hT3
τ p = Ri * C p
Applico una forza di 1N su di un disco PIC155
di diametro 10mm e spessore 1mm:
F 4
T3 = = = 12,7 kN m2
A 100E *π
−6

Resistenza Ingresso Costante di tempo

−3 −3
U3 = 27E *1E *12,7E = 343mV 3
10MΩ 10ms

ε 0ε r A 8.85E −12 *1450*100E −6 *π 50MΩ 50ms

Cp = = = 1nF
h 4 *1E −3 100MΩ 100ms

Applicazioni
Nebulizzatori
Testine Ink-Jet
Micro-posizionamento
Motori Lineari/rotativi
Micro-pompe/valvole
Sistemi iniezione diesel
Generatori ultrasuoni
 Applicazioni – Attuatori Monolitici
∆h = d33U = 500E −12 * 5000 = 2,5µm
2,5 d 33lw 500 E −12 *10 E −3 *10 E −3 3
Fb = U= * 5000 = 1315 N
s
E
h 19 E −12 *10 E −3
33
2,0
Displacement (µm)

1,5 5000V

4500V 2
1,0 1

0,5
Cubo PZT di lato 10mm (7,8g)
Escursione massima ≈ 2,5µm
Forza bloccante ≈ 1500N
0,0
0 300 600 900 1200 1500

Force (N)

Applicazioni – Attuatori Stack

Al fine di aumentare lo spostamento utile mantenendo invariata la forza applicabile
sono state introdotte strutture a pila, meglio note come “stack”
Isolante
Ceramica piezo

V Attuatore d33 stack

9 Prestazioni identiche ad un componente monolitico di pari geometria
9 Tensione di pilotaggio fino a 100 volte inferiore rispetto ad un monolitico
8 Complessità costruttiva
 Applicazioni – Attuatori Multistrato
Al fine di ridurre la tensione di alimentazione mantenendo invariate le prestazioni
elettromeccaniche sono state introdotte strutture multistrato, dotate di layer spessi 30-
100µm interconnessi in modalità parallelo.

+ -

Attuatore d33 multistrato

9 Prestazioni identiche ad un componente monolitico di pari geometria

9 Tensioni di pilotaggio fino a 100 volte inferiore rispetto ad un monolitico
9 Solidità strutturale
8 Complessità costruttiva

Applicazioni – Attuatori Bending (d31)

Due o più strati piezoelettrici polarizzati in spessore, vincolati assieme prendono il
nome di Bender. La struttura, se vincolata ad una delle due estremità, quando
alimentata presenta una deformazione di tipo flessionale.

Due strati attivi Æ Bimorfo

Uno strato attivo ed uno passivo Æ Unimorfo
Due strati attivi ed uno passivo centrale Æ Trimorfo
Più strati attivi ed uno passivo centrale Æ Multimorfo
 Applicazioni – Attuatori Bending (d31)
Anche il vincolo meccanico incide sulle prestazioni dell’attuatore, sono possibili due
bloccaggi, in cantilever (trave semplice) o in simple beam (doppio appoggio)

Configurazione “simple beam” Configurazione “cantilever”

Spostamento ≈ 0.25x cantilever
Forza ≈ 4x cantilever
Frequenza ≈ 3 cantilever

Applicazioni – Attuatori Bending (d31)

Attuatore bimorfo in configurazione serie (l=60mm; w=6mm, h=0,55mm), alimentato a 400Vpp

2
⎛ 60E −3 ⎞
2
3 ⎛l ⎞
δ = d31⎜ ⎟ U = 1,5 * 210E −12 ⎜⎜ ⎟ * 400 = 1,50mm
−6 ⎟
2 ⎝t ⎠ ⎝ 550E ⎠
3 1 wt 1 6E −3 * 550E −12
F = d31 E U = 0.375* 210E −12 * * 400 = 0,116N
8 S11 l 15E −12 60E −3
1 1
t s11E 550E −12 15E −12 = 72Hz
f = 0.162 2 = 0.162*
l ρ (60E )
−3 2 7800
 Applicazioni – Attuatori Bending (d31)

Applicazioni – Attuatori
Morphing structures
L’applicazione di attuatori piezoelettrici fa sì che si possano ottenere deformazioni
macroscopiche di strutture come ali di aeroplani, pale di generatori eolici o
eventualmente timoni di navi.
 Applicazioni – Attuatori

10mm
Motori

2mm
Spostamento

500µm Bender APA

100µm
Stack

10µm
Cymbal
Componenti Monolitici
0µm
0N 10N 100N 1000N 10kN 50kN

Forza

Applicazioni - Trasformatori
LCD e Plasma

Bassa potenza

Caricabat. per cellulari

Alimentatori Laptop

TRADITIONAL PIEZOELECTRIC

Power density: 40W/cm3

Max power: 50÷60W
Efficiency: up to 97%
Output/Input Æ N2/N1 Output/Input Æ L2/t
No electromagnetic field
 Applicazioni - Trasformatori
Anche i trasformatori hanno beneficiato della tecnologia multistrato, incrementando
le performance e riducendo nel contempo le dimensioni utili.

40W/cm3 Eff: 97%

40W Radiale

30W
20W/cm3 Eff: 82% 20W/cm Eff: 89%
3

Spessore Longitudinale

20W
5W/cm3
Longitudinale

5W

1954 1992 1996 1999

Applicazioni - Trasformatori
Sonar

Controlli non distruttivi (NDT)

Sensori di parcheggio

Ecografi

Sensori di presenza
 Applicazioni – Esempi
Soppressione attiva delle vibrazioni (Active Vibration Damping)

Riduzione delle vibrazioni meccaniche:

9 Miglioramento del “comfort”
9 Incremento delle “prestazioni”
9 Riduzione delle rotture meccaniche

Possibili applicazioni:
Automotive, Aerospaziale, Navale, Macchine utensili, etc.

Applicazioni – Esempi
Soppressione attiva delle vibrazioni (Active Vibration Damping)

Principio di funzionamento Attuatore piezo

Sbarretta acciaio

Estensimetro
 Applicazioni – Esempi
Soppressione attiva delle vibrazioni (Active Vibration Damping)

Numerical mode shape

First bending mode
in swing plane direction

Area of maximum strain

1
Undamped
0.8 Piezo Damped

0.6

0.4

0.2

Amplitude
0

−0.2

−0.4

−0.6

−0.8

−1
0.5 1 1.5 2 2.5 3
Time (s)

Applicazioni – Esempi
Soppressione attiva delle vibrazioni (Active Vibration Damping)
 Applicazioni – Esempi
Recupero di energia (Energy Harvesting)
Utilizzando componenti piezoelettrici è possibile convertire energia meccanica in
elettrica ed immagazzinarla per alimentare piccoli dispositivi.

Applicazioni – Esempi
I generatori piezoelettrici possono essere utilizzati anche per convertire grandi quantità
di energia, sfruttando importanti volumi di materiali ed applicando stress elevati

Questa tecnologia può essere

applicata:
™ ponti e viadotti
™ moli
™ linee ferroviarie
™ metropolitane
™ etc.

Alcuni esempi già esistenti:

™ Stazione giapponense (East Railways C.)
™ Discoteche UK e NL
™ Aeroporto UK

Sustainable Dance Floor (www.sustainabledanceclub.com)

 La Piezoelettricità - Fondamenti
Relazioni costitutive

Di = d im
T ,E
Tm + ε ijT , X E j

S m = s mn
T ,E
Tn + d im
T ,X
Ei
i , j =1,2,3
m , n = 1,2,…6

k 2 = Energia meccanica convertita in energia elettrica

Energia meccanica in ingresso
=
d jm
=
Energia elettrica convertita in energia meccanica gim =
Energia elettrica in ingresso ε 0ε rT ij

La Piezoelettricità - Fondamenti
Relazioni costitutive

D1 = ε1 * E1 + d15 * T5
D2 = ε1 * E2 + d15 * T4 EFFETTO DIRETTO

D3 = ε3 * E3 + d31 * ( T1 + T2 ) + d33 * E3

S1 = s11E * T1 + s12E * T2 + s13E * T3 + d31 * E3

S2 = s11E * T2 + s12E * T1 + s13E * T3 + d31 * E3
EFFETTO INVERSO
S3 = s13E * ( T1 + T2 ) + s33E * T3 + d33 * E3
S4 = s44E * T41 + d15 * E1
S5 = s44E * T5 + d15 * E1
S6 = s66E * T6
 La Piezoelettricità - Fondamenti
Costante dxy o costante di deformazione

d33 [m/V]= Lo strain indotto lungo la direz. 3 per unità di campo elettrico applicato su 3

d31 [m/V]= Lo strain indotto lungo la direz. 1 per unità di campo elettrico applicato su 3

Costante gxy o costante di tensione

g31 [V/mN]= Il campo elettrico indotto lungo la direz. 3 per unità di stress applicato su 1

g15 [V/mN]= Il campo elettrico indotto lungo la direz. 1 per unità di stress shear su 2 (5)

Altre grandezze tipiche sono:

Np [Hz/m]= Costante di frequenza planare

Kt [adim]= Costante di accoppiamento elettromeccanico in spessore

ε33T [adim]= Costante dielettrica relativa d33 type

d31 type bending

Poling direction Poling direction Poling direction
Electrical field Electrical field Electrical field
Displacement Displacement Displacement

La Piezoelettricità - Fondamenti

Pb
cT
aC O

aT Ti
aC
aC aT

+
± Struttura policristallina
_

T>Tc T<Tc

Cella elementare PZT

(Perovskitica) 20 µm
 La Piezoelettricità - Fondamenti
Materie Prime (ossidi in polvere)

Macinazione in acqua

Essiccamento (liofilizzazione)
SINTESI DELLA POLVERE
Calcinazione 850 °C x 4h

Vagliatura

PZT POLVERE

Miscelazione con il legante/granulazione

TRATTAMENTO DELLE POLVERI Pressatura lineare / isostatica

SINTERIZZAZIONE
in pack 1200 °C x 2h atmosfera O2

Taglio

Finitura
REALIZZAZIONE DEL
Serigrafia elettrodi Argento
COMPONENTE PIEZOELETTRICO fissaggio elettrodi 750°C x 15min

Polarizzazione 3 kV/mm, 120°C, 40 min

PIASTRA PIEZOELETTRICA

La Piezoelettricità - Fondamenti
Domini di Weiss

40
iii)
Ps ii)
30
Pr iv)
20

10
P olarization [µC /cm 2 ]

0
-EC v) i) EC

-10

Polarizzazione e isteresi -20

elettrica -Pr
-30 vi)

-40
-3 -2 -1 0 1 2 3
Electric Field [kV/mm]
 La Piezoelettricità - Fondamenti

3,5

3,0 F
D

2,5
C

2,0
-3
Strain x10

A1,5

Isteresi Meccanica 1,0

0,5

0,0
E
-2500 -2000 -1500 -1000 B -500 0 500 1000 1500 2000 2500

-0,5
Electric field [V/mm]

La Piezoelettricità - Fondamenti
Comportamento dinamico
La risonanza è una condizione fisica che si verifica quando un sistema oscillante (forzato) viene
sottoposto a sollecitazione periodica di frequenza pari all'oscillazione propria del sistema stesso.

CB = capacità ceramica (non in risonanza)

CA = capacità risonatore (elasticità)
R = resistenza risonatore (dissipazione En. meccanica)
L = induttanza risonatore (massa)

E
1 1 1 Np
fs = = =
2π LC A 2d ρs E d

1 CB + C A
fP =
2π LC AC B
 La Piezoelettricità - Fondamenti
Comportamento dinamico
3 3
(a) (b)

Frequenze di risonanza e antirisonanza di un campione a forma di disco:

risonanza planare (a) e risonanza in spessore (b)

La Piezoelettricità - Fondamenti
Esistono due principali famiglie di materiali, entrambi afferenti al sistema PZT,
composizioni di tipo HARD e SOFT.
 La Piezoelettricità - Fondamenti
Se usato correttamente, un materiale piezoelettrico sotto ben precise condizioni può
avere una vita pressoché infinita. In genere si considera come valore minimo un
numero di cicli pari a 108-109.

Esistono però situazioni che possono deteriorare le proprietà piezoelettriche anche

istantaneamente, sono:

™ Depolarizzazione termica: la temperatura del componente supera la temperatura

di Curie, rendendo inerte il componente. Buona norma è operare a Tc/2

™ Depolarizzazione elettrica: applicando un campo elettrico di forte ampiezza in

disaccordo con il verso della polarizzazione

™ Depolarizzazione meccanica: applicando uno stress elevato al punto di rompere i

legami fra i vari domini disorientandoli nuovamente (60MPa per soft, 120MPa per
hard).