“Crescita di film sottili”:

Calibrazione di un apparato sperimentale destinato alla

tecnica RHEED e sua applicazione.

Relatori dell’esperienza: Studenti:

Prof. Umberto Scotti Di Uccio Accardo Luca

Prof. Emiliano Di Gennaro Ambrosino Daniele
Stanziola Antonio
Il nostro Esperimento

Sperimentazione: “Crescita di film sottili”

• Film Sottile
• Reticolo cristallino & reciproco, diffrazione Bragg, sfera di Ewald
• RHEED (Reflection High-Energy Electron Diffraction)
• Apparato sperimentale MODA (Modular Oxide Deposition and Analysis)

• Crescita di LAO (LaAlO3) su STO (SrTiO3)

• Risultati in immagini-dati pre-, in- e post-crescita
• Analisi dati e modelli in ambiente Python3 e MATLAB
 Film Sottili & Diffrazione Bragg

Film Sottile
E' definito film sottile uno strato di materiale il cui
spessore varia tra qualche frazione di nanometri, detti
anche monostrati oppure monolayer, a qualche micron.

Per l’analisi si usano condizioni di diffrazione Bragg:

• angolo 𝜃 radente
• lunghezza 𝜆 ordine del reticolo
• distanza 𝑑 del substrato

Legge di Bragg
Reticolo Cristallino & Reticolo Reciproco

La diffrazione resistuisce immagini sul reticolo reciproco.

Reticolo reciproco e reticolo cristallino presentano una diretta correlazione.

Il reticolo reciproco è l’insieme dei vettori k che generano il

reticolo cristallino nello spazio dei momenti.
Sfera di Ewald

La legge di Bragg può essere interpretata geometricamente nello

spazio reciproco come sfera di Ewald. Evidenzia il legame tra:

• angolo di Bragg 𝜃
• lunghezza d’onda 𝜆 tra incidente e riflessa
• i vettori k dei raggi riflesso e diffratto
• reticolo reciproco di un cristallo

La sfera di Ewald si divide nei cerchi di Laue che la compongono.

Tecnica RHEED

La tecnica RHEED è efficiente per lo studio di superfici cristalline.

Non è particolarmente adatta per analisi di profondità.

L’immagine di diffrazione del RHEED

segue la disposizione dei cerchi di
Laue, lungo la Sfera di Ewald.

Per utilizzarla è necessario:

 un cannone elettronico
 un cristallo bersaglio
 uno schermo e un rivelatore adatto
 Apparato Strumentale MODA (I)

L’apparato è progettato per deposizione di film sottili e per analisi in-sito dei campioni.
La tecnica di deposizione installata è PLD (Pulsed Laser Deposition).

Si suddivide in:

A. camera di deposizione
B. camera di introduzione e distribuzione
C. regione di analisi campione

Numerosi sistemi a pompa si

occupano del mantenere il vuoto
in camera e dell’ossigeno per la
deposizione.
Apparato Strumentale MODA (II)

La camera di deposizione è in vuoto ultra alto per

l’ablazione, per permettere la deposizione viene poi
pompato ossigeno.

In camera agiscono:
• il fornetto del substrato
• il carrello del target
• il cannone ad elettroni per il RHEED
• il laser UV impulsato
• la telecamera del fornetto
• la telecamera dello schermo al fosforo

Questo è il fulcro del nostro esperimento.

Procedura Sperimentale

Introduzione in camera, in vuoto, di un campione di STO

Suddivisione del protocollo di sperimentazione:

• Calibrazione
• Rotazione
• Deposizione

Prima di procedere, osserviamo le condizioni dello STO

STO Iniziale STO sotto RHEED
Esperimento e Dati (Calibrazione)

• Innalzamento della temperatura del fornetto dello STO

• Passaggio da temperatura ambiente ad alte temperature
• Immissione in camera dell’ossigeno

I fattori elencati incidono sull’immagine del RHEED.

STO a ~20° C STO a 700° C STO in Ossigeno

Esperimento e Dati (Rotazione)

Per osservare la posizione sulla cella dello STO effettuiamo

piccole rotazioni. Il comportamento dei punti (0,1) e (0,1)
danno informazioni. Il punto di riflessione resta fermo.

Traslazione sulla stessa zona di Laue.

A rotazione azimutale nulla si è lungo il lato della cella del reciproco.

STO a 𝜃 = 0° STO a 𝜃 = 1,5°

 Esperimento e Dati (Deposizione)
Inizio della deposizione.
• Pulizia del target attraverso ablazione
• Bombardamento del target tramite laser impulsato
• Creazione dei layer di LAO sul substrato di STO
1. 2.

3. 4. 5.
Esperimento e Dati (Deposizione-Video)
 Interpretazione del RHEED

Alterazioni del cristallo o del substrato possono

cambiare sensibillmente l’immagine RHEED.
 Simulazioni RHEED

Per sopperire alle poche immagini-dati in differenti

condizioni degli angoli di azimuth e tilt, abbiamo creato un
simulatore del RHEED in ambiente MATLAB.

• Variazioni dell’azimuth (0; 0,4; -0,25)

• Variazioni dell’tilt (0,4; 0,5; 1)

Simulazioni RHEED (Rotazioni)
Simulazioni RHEED (Tilt)
 Simulazioni in Metodo Monte Carlo

Il movimento degli spot lungo delle linee fa pensare ad una possibile proiezione.
Le distanze tra le proiezioni dei picchi sembrano essere invarianti in assenza di crescita…
Ipotizziamo forniscano una buona stima per ottenere informazioni sul passo reticolare.

Per verificare questa ipotesi si è

ricorso al Metodo Monte Carlo.
Immagini-dati simulate: 10.000
 Proiezione su Linea d’Ombra

• Consideriamo le intensità dell’immagine.

• Ritagliamo lungo le zone di iteresse.
• Possiamo proiettare ma necessitiamo di una linea adatta.

Osserviamo le intensità dell’immagine. Proiettando

il massimo lungo una direzione sulla linea d’ombra
otteniamo un profilo monodimensionale.

Necessitiamo di stimare la posizione dei punti teorici.

 Modello dei Massimi

Posizione dei picchi tramite proiezione dei massimi

Per stimare la posizione dei picchi sulla proiezione viene valutato direttamente
l’indice del pixel corrispondente al valore massimo d’intensità.

• Metodo utilizzabile per calibrazione approssimativa

• Risoluzione sulla posizione dei picchi troppo bassa
 Modello delle Gaussiane

Posizione dei picchi tramite fit di gaussiane

Dipendenza complicata da più fattori:

• Scattering elettronico con l’ossigeno
• Scattering anelastico con la superficie
• Configurazione molecolare di ogni unità di reticolo
• Proiezione sulla linea d’ombra
Fit di 6 gaussiane con i dati sperimentali:
Punto centrale, punti (0,1), (0,1), (0,2) e (0,2), rumore.
 Modello delle Gaussiane

Posizione dei picchi tramite fit di gaussiane

Dipendenza complicata da più fattori:

• Scattering elettronico con l’ossigeno
• Scattering anelastico con la superficie
• Configurazione molecolare di ogni unità di reticolo
• Proiezione sulla linea d’ombra
Fit di 6 gaussiane con i dati sperimentali:
Punto centrale, punti (0,1), (0,1), (0,2) e (0,2), rumore.
 Linea d’Ombra (Baricentri)

Calcolo della linea d’ombra tramite baricentri

Il calcolo del centro dei picchi di intensità viene ottenuto tramite

il baricentro dell’immagine in un intorno del picco d’interesse.

• Si ottiene la posizione dei picchi, quindi i paramatri delle rette.

• Calcolo capace di ottenere il coefficiente angolare della linea d’ombra.

In 150 Frames:

𝑚 = −0,0364 ± 0,0003
 Linea d’Ombra (Geometrico)

Calcolo della linea d’ombra geometricamente

Sfruttiamo la costruzione geometrica della sfera di Ewald per

trovare la linea ed il suo coefficiente angolare.

Per trovare i punti geometricamente, utilizziamo

gaussiane bidimensionali sui punti.

X
 Linea d’Ombra (Geometrico)

Calcolo della linea d’ombra geometricamente

Sfruttiamo la costruzione geometrica della sfera di Ewald per

trovare la linea ed il suo coefficiente angolare.

Per trovare i punti geometricamente, utilizziamo

gaussiane bidimensionali sui punti.

In 150 Frames:

𝑚 = −0,0140 ± 0,0005
 Linea d’Ombra (Bisezione)

Calcolo della linea d’ombra tramite bisezione

Consideriamo la distanza proiettata dei picchi laterali dal

centrale. Affinché sia la stessa osserviamo la funzione:

In 150 Frames:
𝑚 = −0,0124 ± 0,0005
 Linea d’Ombra (Comparazione)

Stiamo quindi cercando una differenza di distanze relative tra i picchi

laterali ed il centrale pressoché nulla. Osserviamo la loro differenza
percentuale su 150 frame.
Dagli istogrammi precedenti assumiamo distribuzioni gaussiane per 𝑚.

Baricentri Geometrico Bisezione

𝑚 = −0,0364 ± 0,0003 𝑚 = −0,0140 ± 0,0005 𝑚 = −0,0124 ± 0,0005
 Analisi Dati (I)

Ottenuto un modello adatto, procediamo con l’analisi dei dati.

Osserviamo l’evoluzione dell’intensità dei picchi in deposizione e plottiamo quella dello spot centrale.
 Analisi Dati (II)

Attraverso il fitting delle gaussiane, si può osservare la posizione dei picchi laterali dai valori iniziali.
Da questi dati viene misurata la distanza tra loro, associandola al proprio errore nei primi 150 frame.

La distribuzione della distanza d può essere calcolata secondo la formula generica:

𝜎𝑑 = 0,03 pixel
 Analisi Dati (III)

Otteniamo quindi il coefficiente k di conversione tra pixel ed Angstrom:

Possiamo così calcolare k col relativo errore

Da questo, ricaviamo il il grafico della variazione della cella del reticolo, in Angstrom, nel tempo.
L’intera figura mostra l’andamento in deposizione.
 Considerazioni sul Modello (I)

Il RHEED permette analisi estremamente sensibili ma

ideare un modello che produca misure con significato
fisico non è semplice.

Esistono diverse possibili fonti di errori sistematici:

• Effettiva funzione di best fit e bontà dei fit utilizzati.

• Mancanza di una caratterizzazione delle Kikuchi Lines.
• Asimmetria dei rod e spot durante la deposizione.
• Presenza di pattern estranei alla figura di diffrazione ideale.
• Configurazione del ritaglio utilizzato per filtrare l’immagine.

Differenti tagli dell’immagine producono

risultati sensibilmente diversi.
Considerazioni sul Modello (II)

Una delle prove fatte si basa su una scelta arbitraria di ritaglio dell’immagine.
Calcolata la linea d’ombra secondo la calibrazione usuale, abbiamo scelto arbitrariamente
un taglio per la deposizione. I risultati ottenuti differiscono da quelli ottenuti in precedenza.

Il taglio effettuato non presenta il riflesso durante l’intera deposizione.

Considerazioni sul Modello (II)

Una delle prove fatte si basa su una scelta arbitraria di ritaglio dell’immagine.
Calcolata la linea d’ombra secondo la calibrazione usuale, abbiamo scelto arbitrariamente
un taglio per la deposizione. I risultati ottenuti differiscono da quelli ottenuti in precedenza.

Il taglio effettuato non presenta il riflesso durante l’intera deposizione.

Grazie per l’attenzione.