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PORTATORI ALLEQUILIBRIO NEL SILICIO INTRINSECO.

Le propriet elettriche dei semiconduttori dipendono in modo sostanziale dalla concentrazione di


cariche mobili negative e positive presenti, dette portatori di corrente o semplicemente portatori.
In un semiconduttore i portatori sono sia gli elettroni presenti nella banda di conduzione, sia
i buchi o lacune della banda di valenza;
gli elettroni di conduzione si addensano verso i livelli inferiori della banda di conduzione;
i buchi o lacune della banda di valenza si addensano verso i livelli superiori della banda di
valenza.
In un semiconduttore in condizioni di equilibrio termico, la distribuzione di elettroni e lacune lungo
lasse delle energie determinata dallenergia termica, quindi dalla temperatura del solido e da
nessunaltra fonte esterna di energia.
SEMICONDUTTORE INTRINSECO: dicesi intrinseco un semiconduttore puro nel quale la
generazione di un elettrone di conduzione implica la rottura di un legame covalente tra atomi del
semiconduttore e quindi la creazione di un buco di valenza o lacuna.
In un semiconduttore intrinseco la concentrazione di elettroni di conduzione
eguaglia la concentrazione di buchi di valenza detti lacune:
n = p =ni
ove ni detta concentrazione di portatori intrinseci.
La concentrazione dequilibrio ni il risultato della compensazione di due meccanismi competitivi:
uno di generazione di coppie elettrone di conduzione buco di valenza, tanto pi rapido quanto
pi elevata la temperatura e lenergia termica fornita dal cristallo per attivare il processo di
salto di un elettrone dalla banda di valenza a quella di conduzione;
laltro un meccanismo di ricombinazione tanto pi probabile quanto maggiore il numero di
elettroni di conduzione e buchi di valenza.
In condizione di equilibrio le velocit dei due processi sono uguali: tante coppie si creano
nellunit di tempo quante se ne ricombinano.
Se aumenta la temperatura, cresce il ritmo del processo di generazione e lequilibrio si ristabilisce
quando il numero di coppie aumentato tanto da incrementare la probabilit di ricombinazione fino
a compensare quella di generazione. Ci si aspetta perci che la concentrazione di portatori intrinseci
aumenti sensibilmente con la temperatura.
Il prodotto np allequilibrio dipende solamente dalla temperatura T, espressa in gradi Kelvin, e
dallampiezza EG del gap, espressa in eV (elettronvolt), fra la banda di valenza e la banda di
conduzione ed perci una quantit caratteristica di ogni semiconduttore.
Riferendoci ad un semiconduttore intrinseco, si ottiene:
np =ni2
Questa relazione, di fondamentale importanza in tutta la teoria dei semiconduttori, definisce la
condizione di equilibrio di un semiconduttore.
Il valore della concentrazione di portatori intrinseci alla temperatura ambiente data da:
ni = 1,451010 cm 3 per il silicio ( Si )
ni = 2,401013 cm 3 per il germanio ( Ge )
Dalla relazione di equilibrio deriva che per il silicio, alla temperatura ambiente (27C = 300K),
vale la posizione seguente:
np =ni2 = 2,11020 cm6
PORTATORI ALLEQUILIBRIO NEL SILICIO DROGATO.
SEMICONDUTTORE ESTRINSECO: dicesi drogato o estrinseco un semiconduttore contenente
certi tipi dimpurezze che ne alterano la struttura elettronica. In un campione di silicio o germanio
contaminato con impurezze pentavalenti come arsenico, fosforo o antimonio, si crea la situazione
descritta in figura 1:
latomo pentavalente sostituisce un atomo del semiconduttore in modo tale che uno dei cinque
elettroni di valenza dellimpurezza, non trovandosi coinvolto in alcun legame covalente, resta
pressoch libero di muoversi.
Questo corrisponde, in uno schema a bande, alla formazione di un livello localizzato nel gap e
prossimo alla banda di conduzione. sufficiente una piccola quantit di Energia Ej, detta
energia di ionizzazione, per rompere il debole legame che lega lelettrone in eccesso, al suo
atomo ed eccitarlo dal livello localizzato originale, alla banda di conduzione.
Impurezze pentavalenti si chiamano donatori ed i livelli loro associati si chiamano livelli
donatori.
Donatori ionizzati Accettori ionizzati
sono ioni positivi sono ioni negativi

Banda di conduzione Banda di conduzione

EC Ej
EC
Neutri ionizzati
Gap Neutri ionizzati
Ej
EV EV

Banda di valenza Banda di valenza

Figura 1. Livelli donatori ionizzati e neutri Figura 2. Livelli donatori ionizzati e neutri

In un campione di silicio o germanio contaminato con impurezze trivalenti come boro, alluminio
o gallio, si crea invece la situazione descritta in figura 2:
attorno allatomo di impurit che ha sostituito latomo di semiconduttore, si forma un buco in
eccesso (lacuna) o un elettrone in difetto. Tale buco, o lacuna, in eccesso pu venire sostituito
da un elettrone ed allontanato dalla sua posizione iniziale, partecipando alla conduzione.
Il fenomeno perfettamente analogo a quello sopra descritto per i donatori; le impurezze
trivalenti si dicono accettori e la loro presenza comporta la formazione di livelli accettori
localizzati nel gap in prossimit della banda di valenza.
Un semiconduttore drogato con atomi donatori si dice di tipo n, poich le impurit offrono un
contributo di cariche negative alla conduzione; viceversa un semiconduttore drogato con atomi
accettori detto di tipo p,
Lenergia di ionizzazione degli atomi trivalenti e pentavalenti nel silicio cos bassa che gi a
300K lenergia termica reticolare sufficiente ad operare una quasi totale ionizzazione delle
impurit. Si assumer pertanto, dora in poi, che i droganti accettori e donatori siano, in
condizioni normali, totalmente ionizzati alla temperatura ambiente.
Nel caso di completa ionizzazione dunque ND donatori per cm3 cedono ND elettroni
di conduzione per cm3 (n = ND), mentre NA accettori per cm3 cedono NA buchi o
lacune per cm3 (p = NA).
Se la concentrazione di droganti molto elevata, tipicamente maggiore di 1018
1019 cm-3, allora la condizione di completa ionizzazione non verificata alla
temperatura ambiente, ed il semiconduttore si dice degenere.
LA NEUTRALIT DI CARICA
La carica totale contenuta in ogni zona di un semiconduttore omogeneo nulla in condizioni di
equilibrio. Questa condizione di neutralit di carica il risultato della compensazione tra cariche
positive e negative che, in caso di completa ionizzazione pu esprimersi nella forma seguente:
NA + n = ND + p (1)
in cui il primo membro indica la concentrazione di cariche negative (NA ioni ed n elettroni)
mentre il secondo membro esprime la concentrazione di cariche positive (ND ioni e p buchi o
lacune).
La relazione (1) si semplifica nel caso, verificato normalmente per il silicio alla temperatura
ambiente, in cui sia ND NA>> ni; infatti, ricordando lequazione di equilibrio, np = ni si
2

pu scrivere:
2
ni
n = ND N A + p n = ND N A +
n
e per un semiconduttore n, in cui sia ND NA>> ni, la relazione precedente assume la forma:
n = ND NA (2)
mentre per un semiconduttore p, in cui sia NA ND>> ni, si ha invece:
p = NA ND (3)
Quando in un semiconduttore sono presenti ND donatori ed NA accettori ionizzati, si ha un effetto
di compensazione definito dalle relazioni (2) e (3).
I semiconduttori usati in pratica, contengono sia donatori, sia accettori, e vengono suddivisi nei
seguenti tre tipi
Semiconduttori di tipo n Se ND > NA
Semiconduttori di tipo p Se NA > ND
Semiconduttori compensati o impropriamente intrinseci Se ND = NA
Si dicono portatori maggioritari le cariche mobili presenti in maggior numero e portatori
minoritari le cariche mobili presenti in minoranza. Il teorema di equilibrio applicato alle relazioni
(2) e (3) permette di ricavare la concentrazione di minoritari in funzione di quella dei maggioritari:
in un semiconduttore p:
2 2
n ni
p = N A ND i = N A ND n=
n N A ND
in un semiconduttore n:
2 2
n ni
n = ND N A i = ND N A p=
p ND N A

LA CONDUCIBILIT ELETTRICA
Le cariche mobili nei solidi sono soggette ad un moto disordinato di agitazione termica, con una
velocit dellordine di 107 cmsec-1 alla temperatura ambiente. Durante questo moto le particelle
subiscono continue collisioni contro gli atomi del reticolo compiendo deviazioni in ogni direzione:
il risultato quello di una velocit effettiva nulla.
Sotto linfluenza di un campo elettrico la velocit Vth di agitazione termica si compone con la
velocit di spostamento dovuta allazione del campo, col risultato di uno spostamento effettivo non
nullo nella direzione del campo elettrico. Il risultato , quindi, espresso da una velocit di deriva vd,
che risulta essere proporzionale al campo secondo la relazione seguente:
vd = e [msec-1]
in cui la costante di proporzionalit e chiamata mobilit degli elettroni e risulta definita dalla
relazione:

v m sec 1 m
2
e = d 1
=
V m V sec
a) Densit di Corrente
N elettroni sono distribuiti uniformemente allinterno di un conduttore di lunghezza L e sezione
normale A. Un elettrone, sotto linfluenza di un campo
N elettroni elettrico si sposta di un tratto di lunghezza L (metri) in un
tempo T (secondi) e questo avviene per effetto di una
velocit di deriva vd data dalla relazione:
L vd = L T
La corrente I , per definizione, la carica totale che attraversa
Sezione normale A ogni sezione del conduttore nellunit di tempo ed data dal
prodotto della carica elettrica di ogni portatore per il numero
di portatori che attraversano la sezione A in ogni secondo. Ci premesso, si ha
N N L qN
I =q =q = vd [ Ampere]
T T L L
La densit di corrente J, la corrente per unit di area, ovvero J = I/A [A/m2]. Sostituendo, si
ottiene:
I qN 1 N
J= = vd = q vd
A L A A L
evidente che il prodotto AL il volume contenente gli N elettroni. La concentrazione volumetrica
degli elettroni, o semplicemente la concentrazione degli elettroni data da:
numero elettroni N 3
n= = [m ]
volume A L
Lespressione della densit di corrente assume, allora, la forma seguente:
I N 2
J= = q vd = q n vd = C vd [A/ m ]
A A L
in cui C = qn la densit di volume di carica espressa in Coulomb per metro cubo (C/m3).
La relazione ottenuta indipendente dalla forma del conduttore. Ricordando, inoltre, che la velocit
vd proporzionale al campo elettrico tramite la mobilit n degli elettroni, tramite la relazione
gi ricordata: vd = n. Pertanto, in riferimento alla densit di corrente J, si ottiene:
2
J = q n vd = q n n E = E [ A / m ]
in cui: = qnn la conducibilit elettrica del materiale ed espressa in (m)-1 oppure in
(mhom-1). Infatti la conducibilit elettrica definita, dalla prima legge di Ohm, come coefficiente
di proporzionalit tra densit di corrente J ed intensit del campo elettrico .
Ricordando che il campo elettrico il gradiente del potenziale elettrico V del campo, allora la
relazione EL = V definisce la tensione o differenza di potenziale applicata al conduttore. Si
ottiene cos la scrittura di seguito riportata, nota come legge di Ohm:
L A V
I = J A = E A = A E = V =
L L R
in cui si definisce resistenza elettrica R del conduttore la grandezza individuata dalla relazione:
L 1 L L
R= = = []
A A A
La grandezza fisica = 1/, inverso della conducibilit elettrica definisce la resistivit elettrica
del materiale conduttore.
b) Conducibilit e Resistivit di un semiconduttore.
Nel caso di un materiale semiconduttore con concentrazione n di elettroni e p di buchi o lacune, la
conducibilit sar data dalla somma dei contributi relativi alla conducibilit dei singoli portatori,
si ottiene, cio, la relazione:
1
= q n n + q p p [mhocm ]
in cui n e p sono, rispettivamente, le mobilit degli elettroni e dei buchi o lacune. Si dimostra
che la mobilit inversamente proporzionale alla massa efficace di una particella; nel silicio, a
causa delle diverse masse efficaci, la mobilit degli elettroni risulta circa tre volte maggiore della
mobilit delle lacune.
Alla luce di quanto sopra affermato, si evince che la resistivit di un semiconduttore espressa dalla
relazione seguente:
2
1 1 1 m
= = = [ = m]
q n n + q p p q ( n n + p p ) m
Ponendo n = p =ni nella relazione precedente, si ottiene lespressione della resistivit intrinseca
i. Nel caso del germanio e del silicio, alla temperatura ambiente di 300K, ricordando che:
ni = 1,451010 cm 3 per il silicio ( Si )
ni = 2,401013 cm 3 per il germanio ( Ge )
si ottengono i valori seguenti di resistivit:
i.= 47 cm per il Germanio
i.= 214.000 cm per il Silicio
Si nota che la resistivit intrinseca i del silicio molto maggiore essendo ni molto maggiore nel
germanio.
Introducendo le espressioni che forniscono le concentrazioni dei portatori per i semiconduttori
drogati in condizione di completa ionizzazione, si ricavano le seguenti espressioni per la resistivit:
1
n = Per semiconduttori di tipo n
q n ( N D N A )
1
p = Per semiconduttori di tipo p
q p ( N A N D )
Le espressioni, ora ricavate, descrivono con buona approssimazione la dipendenza sperimentale
della resistivit dalla concentrazione efficace di droganti, quale appare nel grafico di J. C. IRVIN.
che riportato in figura 3. La resistivit dipende dalla temperatura attraverso i parametri mobilit e
concentrazione di portatori; la resistivit del silicio si pu, in prima approssimazione, considerare
costante entro un ampio campo di temperatura attorno alla temperatura ambiente. Essa cresce
invece rapidamente alle bassissime temperature e decresce alle temperature a cui il silicio diventa
intrinseco.
La figura 3 riporta, in funzione della concentrazione totale di droganti, la mobilit dei buchi o
lacune e degli elettroni nel silicio, alla temperatura ambiente, ricavata da misure sperimentali
secondo E. M. CONWELL.

Figura - 3

La figura 4 mostra landamento della resistivit del silicio, alla temperatura ambiente, in funzione
della concentrazione delle impurit, di tipo n e di tipo p, cos come segnalato nella pubblicazione
di J.C. IRVIN.

Figura - 4