Nome e Cognome………….…………………………Matricola………….

Circuiti Elettronici – 15/7/09 – Libri aperti

Prima parte

Dato il seguente circuito elettronico:

VTn=0.7V
k’n=100µA/V2
W/L=4
λ=0V-1
VBE=0.6V
β=200
VA=∞V
VThermal=25mV

1) Calcolare il punto di funzionamento a riposo, la tensione Vu a riposo e i

parametri differenziali. Riportare i valori finali su questo foglio.

IC= IB= VCE=

ID= VGS= VDS=

VU=

gmmos= gmbjt= rπ=

2) Supponendo ID=15µA e trascurando la resistenza di retroazione, calcolare

l’espressione e trovare il valore numerico di SVbeIc del transistore bipolare
(sensibilita` semirelativa, variazioni relative di IC al variare di VBE). Indicare
correttamente la sua unita` di misura ☺

SVbeIc =
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In questa soluzione, causa difficolta` tipografiche, non rispetto il

maiuscolo/miniscolo dei pedici e delle variabili.

Il circuito per la continua e`

dove e` stato messa in evidenza la rete di retroazione. Ricordando che IG=0A, si

vede che la resistenza di emettitore vale Re//(Rf+Rg). Nei mos la grandezza di
controllo e` Vgs, quindi bisogna da trovare Vg e Vs, per poi inserirli
nell’equazione del mos.

EQUAZIONI

Al solito equazioni alle maglie (dopo averle eventualmente semplificate e ridotte

di numero con thevenin, serie/parallelo come in questo caso…)

1) Maglia Val, Rd, Vbe, Resistenze sull’emettitore (quella equivalente).

Val − Rd ( Id + Ib) − Vbe − Ib( β + 1) ⋅ Re//( Rf + Rg ) = 0

2) Non ci sono praticamente altre maglie utili, dato che dobbiamo trovare la
tensione Vg. Ricordando che che Rf e Rg sono in serie. Il valore di Vg e`
dato dalla tensione sull’emettitore e la partizione di Rf e Rg.

Rg Rg
Vg = Ve = Ib ⋅ ( β + 1) ⋅ Re//( Rf + Rg ) ⋅
Rg + Rf Rg + Rf

3) La Vgs vale Vg=Vg-Vs=Vg-Rs*Id dove Vg e` dato dal punto precedente.

4) La corrente Id, se il mos e` in saturazione (da verificare), vale

kn′ W k′ W
Id = (Vgs − Vtn) 2 = n (Vg − Rs ⋅ Id − Vtn) 2
2 L 2 L
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Vg e` la solita espressione del punto 2)

Sostituiamo i valori numerici, partendo dalla prima equazione, ricavando Ib in

funzione di Id e proseguendo nelle varie equazioni. Lo scopo e` quello di
ricavare Vgs in funzione di Id, cosi` da poterlo sostituire nell’equazione
quadratica del mos. Conviene forse usare volt, megaohm e microampere
come unita` di riferimento.

1) 9V-0.39MΩ*(Id+Ib)-0.6V-Ib*201*45.92kΩ=0
8.4V=0.39MΩ*Id+9.62MΩ*Ib

1MΩ
2) Vg = Ib ⋅ 201 ⋅ 45.92kΩ = Ib ⋅ 4.615MΩ
1MΩ + 1MΩ

3) Vgs=Ib*4.615MΩ-Id*0.12MΩ

µA 1
4) Id = 100 4(Vg − Id ⋅ 0.12 MΩ − 0.7V )
2
2
V 2

Visto che l’equazione quadratica contiene Id, come detto prima, e` meglio esprimere
tutto in funzione di Id.

8.4V − 0.39MΩ ⋅ Ib
1) Ib = = 0.8732µA − 0.04054 ⋅ Id
9.62MΩ

2) Sostituisco Ib nell’espressione di Vg

Vg=(0.8732µA-0.04054*Ib)*4.615MΩ=4.03V-0.1871MΩ*Id

3) Sostituisco Vg in Vgs

Vgs=4.03V - 0.1871MΩ*Id - Id*0.12MΩ=4.03V-0.3071MΩ*Id

5) Sostituisco Vgs nell’equazione del MOS, supponendo che sia in saturazione (da
verificare, e questa e` la seconda volta che lo ricordo ☺)

µA 1
Id = 100 4(4.03V − 0.3071MΩ ⋅ Id − 0.7V ) 2
V2 2

Da notare che Id deve essere in microampere perche’ moltiplica una resistenza in

megaohm e il risultato e` sommato a una tensione in volt. Anche k e` dato in
microampere diviso volt al quadrato.
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µA µA
Id = 200
V 2
(3.33V − 0.3071MΩ ⋅ Id ) 2 = 200
V 2
(11.09V 2
− 2.045V MΩ ⋅ Id + 0.09431MΩ 2 ⋅ Id 2 )
MΩ MΩ 2 1
Id = 2218µA − 409µA Id + 18.86µA 2 Id 2 = 2218µA − 409 Id + 18.86 Id 2
V V µA
1
0 = 2218µA − 410 Id + 18.86 Id 2
µA
Risolvendo l’equazione di secondo grado si ha:

410 ± 4102 − 4 ⋅ 2218µA ⋅ 18.86(µA) 11.6 µA

−1
410 ± 774.1
Id = = µA =
2 ⋅ 18.86(µA) 10.1µA
−1
37.72

La soluzione corretta e` individuata calcolando la tensione Vgs

Vgs = 4.03V − 0.3071MΩ ⋅ 11.63µA = 0.46V

Vgs = 4.03V − 0.3071MΩ ⋅ 10.13µA = 0.92V

La prima Vgs e` inferiore alla tensione di soglia del mos, e quindi e` da scartare.

A questo punto si puo` calcolare il valore di Ib e di Ic, usando le relazioni 1)

Ib=0.8732µA-0.04054*10.13 µA=0.463 µA

Ic=Ib*200=92.6 µA

Calcolo delle tensioni Vds e Vce, con equazioni alle maglie passanti per ds o ce.

Vds=Val-Rd(Id+Ib)-Rs*Id=

=9V-0.39MΩ*(10.13µA + 0.463µA)-0.12MΩ*10.13µA = 3.26V

Il mos e` in zona satura!

Vce= Val-Vu = Val - Ib(β+1)*Re//(Rf+Rg) =

=9V-0.463 µA*201*47kΩ//2MΩ=9V-4.27V=4.73V

Questo conto permette anche di calcolare Vu=4.27V

Parametri differenziali:
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W µA
gmmos = 2kn′ Id = 2 ⋅ 100 2 ⋅ 4 ⋅ 10.1µA = 89.9 µS
L V
Ic 92.6µA
gmbjt = = = 3.7 mS
VT 25mV
β ⋅ VT 200 ⋅ 25mV
rπ = = = 54kΩ
Ic 92.6 µA

Da notare che per la gm del mos esiste una relazione in cui serve conoscere
solo la Id.

3) L’espressione della sensitivity la si ricava applicando la definizione, come era

gia` stato fatto nel prelim del laboratorio #1. Usando l’equivalente thevenin per
avere la tensione nella maglia di base ci si riporta al secondo circuito.

La sensibilta` semirelativa vale (2.55 V)-1=0.392 V-1