Dispositivi elettronici:

La giunzione pn

La giunzione pn (2.4.1-4)
Argomenti della Lezione
Analisi della giunzione p-n

campo elettrico
potenziale di contatto

Polarizzazione inversa

capacit di transizione
fenomeno del breakdown

Polarizzazione diretta

equazione del diodo

Caratteristica i-v del diodo

La giunzione pn
Si-p

Si-n

Supponiamo di avere a disposizione due blocchetti di silicio,

uno drogato di tipo p e uno drogato tipo n.
Cosa succede se (idealmente) li mettiamo in contatto?

La giunzione pn
Si-p

Si-n

Se mettiamo a contatto Silicio drogato di tipo p con Silicio

drogato tipo n, a causa degli elevati gradienti di
concentrazione avremo diffusione:
lacune da Si-p a Si-n ed
elettroni da Si-n a Si-p
Ma il processo non pu procedere allinfinito
altrimenti la giunzione sparirebbe

La giunzione pn
Si-p

Si-n

Cosa frena la diffusione?

La diffusione di portatori mobili lascia atomi ionizzati che

danno luogo ad un CAMPO ELETTRICO, E

Ipotesi di svuotamento completo a gradino:

linterfaccia della giunzione risulta completamente svuotata di
portatori mobili.

La giunzione

pn allequilibrio

Ideriva
deriva

Si-p

Si-n

diffusione
Idiff

Si raggiunge
una condizione
di equilibrio
dinamico nella
quale le due
componenti di
corrente si
bilanciano e
quindi risulta:
Idiff = Ideriva

RCS

Si-p

Si-n

RQN

RQN

(x)=qND

B
x

A
-xp

(x)= -qNA

E(x)

RQN = Regioni
Quasi Neutre
RCS = Regione
di Carica
Spaziale o di
Svuotamento
Carica netta e
nulla (A=B).
Usando leq. di
Poisson:

dE

xn

dx

e integrando:

Si-p

|E(0)| =

RCS

Si-n

RQN

-xp

qNAxp qNDxn
=
s
s

RQN

E(x)

Al campo elettrico
E(x) associata
una barriera di
potenziale V0:

xn

E(0)

dV
V0

dx

V0 = area sottesa dal campo elettrico V0 =

= -E(x)

E(0) (x n + x p )
2

Calcolo del potenziale di contatto

Si-p

RCS

Si-n

np
P1

nn
P2

RQN

RQN

-xp

xn
0

Consideriamo due punti P1 e P2 qualsiasi allinterno delle regioni

quasi neutre. Le concentrazioni di elettroni nei due punti
valgono:

ni2
P1 : n1 = np =
NA

P2 : n2 = nn = ND

Calcolo del potenziale di contatto

Allequilibrio, la corrente totale di elettroni nulla
(cos come quella di lacune):

Jnx (x ) = qnn(x )(x ) + qDn

da cui:

n(x )

dV (x ) Dn dn(x )
=
dx
n dx

dn(x )
=0
dx
1
dV = VT dn
n

Integrando ambo i membri otteniamo:

V2

n2

1
dV
=
V
T

n dn e quindi:
V
n

n2
V2-V1=VT ln ___
n1

Analogamente, per le
cariche p si pu ricavare:

p1
V2-V1=VT ln ___
p2

Potenziale di contatto V0 allequilibrio

Allequilibrio, le concentrazioni in P1 e P2 sono quelle che si
hanno nelle zone p e n, cio n1=np=ni2/NA e n2=ND.
Perci, sostituendo:

n2
NDNA
V0=V2-V1 = VT ln ___
= VT ln _____
n1
ni2
Che esprime la tensione di contatto V0 in condizioni di
equilibrio, in funzione delle concentrazioni NA nella zona p e
ND nella zona n.
Lo stesso risultato si ottiene ragionando sulle cariche p
anzich sulle cariche n.

Giunzione pn, regione di

svuotamento
p-Si

Wdep

n-Si

RQN

RQN

xn

-xp

Wdep = xp + xn =

2 s 1
1
+

V0
q NA ND

s = 1.04 10-12 F/cm

xn NA
=
xp ND

0.1 m Wdep 1 m

Giunzione pn regione di
svuotamento
xp =

Wdep
N
1+ A
ND

xn =

Wdep
N
1+ D
NA

Se NA>>ND, allora xp<<xn

(la regione di svuotamento si estende quasi interamente
nella regione n)
Se NA<<ND, allora xp>>xn
(la regione di svuotamento si estende quasi interamente
nella regione p)

Si-p

RCS

RQN

La
giunzione

Si-n

pn

RQN
deriva
diffusione

electrons

all
equilibrio

EC
EF
Ei
diffusione
deriva

EV

holes

Giunzione pn polarizzata
Ipotesi semplificative:
Approssimazione di svuotamento
Cadute di tensione trascurabili sui contatti e RQN
Deboli correnti (bassa iniezione)
La tensione applicata VA cade tutta alla giunzione.
La tensione sulla giunzione diventa V0 - VA.
Si-p

Si-n

V0

Nota: positivo a p
negativo a n

VA

WRCS

Si-p
RQN

Si-n
RQN

E(x)

-xp

xn
0

|E(0)| =

V0 - VA

2 (V0VA)
Wdep

Wdep = xp + xn =

2 s 1
1
+

(V0 VA )
q NA ND

Se VA aumenta:
Wdep cala
E(0) cala
potenziale alla
giunzione cala
e viceversa

La giunz. polarizzata in inversa (VA<0)

VA
Si-p

Si-n

-xp -xp

xn xn

E(x)

V0

(V0VA)

La giunz. polarizzata in inversa (VA<0)

movimento dei portatori liberi

Si-p

RCS

RQN

RQN

RQN

Si-n
RQN

deriva

deriva
diffusione

RCS

Si-p

Si-n

electrons

EC
EF
Ei
holes

diffusione
deriva

EQUILIBRIO

EV

deriva

E
POLARIZZ.INVERSA

Capacita parassite nei diodi

(Polarizzazione inversa)
2 s 1
1
+

( V0 VA )
q NA ND

Wdep = xp + xn =
Wdep = 1 +

2 s 1
VR
1
+

V0 Wdep = Wd0 1 +
q NA ND
V0

VR
V0

NN
Q = qND xn A = qNA xp A = q D A
ND + NA
Q = qAWd0

VR = VA

Wdep A

NDNA
V
1+ R
ND + NA
V0

Capacita parassite nei diodi

(Polarizzazione inversa)
Q = qAWd0
Cj =

Q
VR

NDNA
V
1+ R
ND + NA
V0

Con alcuni passaggi algebrici si ottiene:

VR = VQ

Cj =

q N N 1
; C j0 = A S D A
V
2 ND + NA V0
1+ R
V0
C j0

Si poteva ottenere partendo dalla: C j =

A S
Wdep

10

Breakdown ZENER

In giunzioni pesantemente drogate, la RCS

risulta sottile ed il campo elettrico alla
giunzione cos elevato da riuscire a rompere
legami covalenti e a creare coppie elettronelacuna con conseguente aumento della
corrente inversa.

Breakdown a Valanga

La velocit media di deriva dei portatori nella RCS

il risultato di continui urti con il reticolo cristallino (in
cui viene ceduta energia) e movimento accelerato
dal campo elettrico tra un urto e laltro. Se lenergia
cinetica acquisita durante la fase di accelerazione e
ceduta al reticolo cristallino durante un urto tale
da rompere un legame covalente, si ha un effetto
moltiplicativo (a valanga) causato dai nuovi
portatori cos prodotti che, a loro volta vengono
accelerati dal campo elettrico e possono provocare
la rottura di altri legami covalenti

11

La giunzione polarizzata diretta (VA>0)

VA

Si-p

-xp

Si-n

E(x) xn

-xp

xn

V0
(V0VA)

La giunz. polarizzata in diretta (VA>0)

movimento dei portatori liberi

Si-p

RCS

RQN

Si-n

RQN

RQN
deriva
diffusione

RCS

Si-p

Si-n

RQN
deriva

electrons

diffusione

EC
EF
Ei
holes

diffusione
deriva

EQUILIBRIO

EV

diffusione

deriva

POLARIZZ.DIRETTA

12

La giunzione polarizzata

Concentrazioni ai bordi della RCS

Se la tensione applicata VA0, cambiano le

concentrazioni ai bordi xp e xn della RCS
(Regione di Carica Spaziale). Per lipotesi di
deboli correnti (bassa iniezione), sono ancora
valide le relazioni tra potenziale di contatto e
concentrazioni:

n2
V2-V1=VT ln ___
n1

p1
V2-V1=VT ln ___
p2

La giunzione polarizzata

Concentrazioni ai bordi della RCS

Ad es., per le cariche p, per la presenza degli accettori

nella zona p p1=NA, e nella zona n , allascissa xn, la
concentrazione dei portatori minoritari p2 =pn(xn) data

dalla relazione col potenziale di contatto V0-VA:

N
V0 VA = V2 V1 = VT ln A
p2
da cui
V V
V
A

p 2 = pn ( x n ) = NA e

VT

= p n0 e V

Dove pn0 la concentrazione di lacune nella zona

n allequilibrio, quando VA=0. Analogamente nella
zona p, a xp, si ha:
VA V0
VA

n1 = np ( x p ) = ND e

VT

= np 0 e V

13

La giunzione polarizzata
portatori minoritari

Nella zona n, definendo:

Diodo: V D > 0

pn ( x ) = pn ( x ) pn0

Risulta:

Catodo - n

Anod o - p

VVA

VA>0
p ( xn ) = pn0 e T 1

pn(xn)
Per x>xn la
RCS
distribuzione pn(x) si
ricava dalleq. di n (x)
p
x xn
continuit:

L
pn ( x ) = pn ( x n ) e p n p0VA<0
'
n

L p = D p p

Lunghezza di
diffusione

-x p 0

pn(xn)

pn(x)

pn (x)

p n0
x

xn

La giunzione polarizzata
portatori minoritari

Diodo: V D > 0
Dallequazione di
pn(xn)
continuit, avendo
trascurato il campo
Catodo - n
Anod o - p
elettrico nelle regioni quasi V >0
A
neutre, leccesso di cariche
pn(x)
minoritarie pn(x) tende
pn(xn)
esponenzialmente a 0.
RCS
pn (x)
Analoga distribuzione si ha
n p (x)
per leccesso di cariche
minoritarie np(x) nella zona
n p0
p.
VA<0

-x p 0

p n0
xn

14

La giunzione polarizzata
portatori minoritari

In polarizzazione diretta si crea un eccesso di

portatori minoritari pn(xn) (rispetto alla
condizione di equilibrio), in prossimit della
RCS, che cresce esponenzialmente con la
tensione applicata VA:
- eccesso di lacune nella regione n
- ed eccesso di elettroni nella regione p.
Al contrario, in polarizzazione inversa, rispetto
alla condizione di equilibrio, si crea un difetto di
portatori minoritari in prossimit della RCS.

La giunzione polarizzata
portatori minoritari (NA > ND)
Polarizzazione diretta, VA>0

Diodo: V D > 0
Catodo - n

Anod o - p

RCS

pn (x)

n p (x)
p n0

n p0
-x p 0

xn

equilibrio

15

La giunzione polarizzata
portatori minoritari (NA > ND)
Polarizzazione inversa, VA<0

Diodo: V D < 0

Anodo - p

C atodo - n

p p0 = N A
n p0 =

nn0 = N D
2

n i2
NA

p n0 =

RCS

n p (x)

p n0

n p0
-x p 0

ni
ND

equilibrio

p n(x)
x

xn

La giunzione polarizzata
Corrente nella giunzione pn

p n ( x ) = p n ( xn ) e
'

'

x xn
Lp

Densita di lacune

pn(x)

per x > xn
Corrente di diffusione:

pn' (x)
Jp (x) = qDp
x

FLUSSO

xn

Corrente di lacune

E dalle relazioni precedenti:

VVA
xL xn
Jp (x) = q pn0 e T 1 e p

Lp

per x > xn
Dp

Jp e massima in x=xn e poi

decade in modo
esponenziale con
lunghezza di diffusione Lp.

16

La giunzione polarizzata
Corrente nella giunzione pn

(1) Le lacune vengono

continuamente iniettate nel
Silicio tipo n;
(2) In presenza del gran
numero di elettroni si
ricombinano (lontano dalla
giunzione non ci sono lacune
in eccesso, pn(x) 0;

Jp+Jn=JD=cost
Jpdiff

Jn

Jp

xn

(3) Vengono richiamati elettroni che si ricombinano con le

lacune iniettate (dando una corrente verso destra);
(4) In regime stazionario, la corrente lungo il diodo
costante.

La giunzione polarizzata
Corrente nella giunzione pn

Consideriamo gli
andamenti della corrente
nella zona n
VVA
xL xn
T
Jp (x) = q pn0 e 1 e p

Lp

per x > xn

Jn(x)

Jp(x)

Dp

diff
p

Jp+Jn=JD=cost

Jpdiff

xn

VVA

T
= Jp (xn ) = q pn0 e 1

Lp

Dp

17

La giunzione polarizzata
Corrente nella giunzione pn
Jpdiff = Jp (xn ) = q

VA

pn0 e VT 1

Lp

Dp

IN MODO ANALOGO NELLA ZONA P:

Jp+Jn=JD=cost
Jp(x)
diff
n

D
= Jn ( xp ) = q n np0 e

Ln

VA
VT

Jndiff

Jn(x)

e
xp

-x

La giunzione polarizzata
Corrente di elettroni

Jn(x)
Elettroni che si
Ricombinano con le
Lacune iniettate

RCS
Elettroni che vengono
iniettati nella regione p
per diffusione

Jn(x)
-xp

xn

18

La giunzione polarizzata
NA > ND

CORRENTE TOTALE

Jp+Jn= cost
Lac. che
Ricomb.

Jp

Jn
RCS

Lac.
Inj.

Elettr.
che
Ricomb.

Jp

JJn
n
-xp

Elettr.
Inj.

xn

La giunzione polarizzata
NA > ND

Jp+Jn= cost
Lac. che
Ricomb.

Jp

Jn
RCS

Lac.
Inj.

Jp

JJn
n
-xp

Lontano dalla
giunzione,
nella regione p,
ho corrente di
sole lacune

Elettr.
che
Ricomb.

xn

alla giunzione
Jp>Jn
perch
NA>ND

Elettr.
Inj.

Lontano dalla
giunzione,
nella regione n,
ho corrente di soli
elettroni

19

La giunzione polarizzata
CORRENTE TOTALE

p+
lacune

Lacune iniettate

El. Ric.
elettroni

Lac. Ric.
El. Inj.
Corrente totale

Se NA>ND :

Lac. Iniettate > El. Iniettati.

Lac. Ric < El. Ric.

La giunzione polarizzata
CORRENTE TOTALE
I = A Jp (xn ) + Jn ( xp )

qDppn0 qDnnp0 VVA

I = A
+
e T 1

Ln
p

E ricordando che

pno

ni2
=
ND

npo

ni2
=
NA

VVA

Dp
Dn VAT
I = Aqn
+
e 1 = IS e T 1

N L

D p NALn

2
i

20

Caratteristica I-V della giunzione PN

I = Is e V / VT 1

D
D
IS = Aqni2 p + n
L N
p D LnNA

IS

Breakdown
Von

Capacit di diffusione nei diodi

(Polarizzazione diretta)

Qp = pn' (x)dx
xn

= AqLppn0 e

VA
VT

1 = Ip p

Analogamente: Qn = In n
Quindi:

Q = In n + Ip p = I T

Cd =

Q
VA

VA = VQ

pn(x)

RCS

pn(x)

pn0

xn

= T I
VT

Capacit di
DIFFUSIONE

21