INTRODUZIONE

Esaminare i dispositivi elettronici fondamentali:

∗ DIODO
∗ TRANSISTOR BJT
∗ EFFETTO CAMPO FET
∗ MOS
per capirne il funzionamento
⇓ c’é da comprendere
movimento CARICHE ELETTRICHE nel SEMICONDUTTORE
⇓ questo comporta studio
TEORIA BANDE ENERGIA

TEORIA BANDE ENERGIA

idealmente conducibilitá silicio nulla causa LEGAMI COVALENTI
⇓ ma ENERGIA TERMICA
elettroni da VALENZA a CONDUZIONE

,→ in base a T n◦ variabile elettroni liberi di muoversi

GENERAZIONE:
· termica
· ottica
· per urto
3 BANDE:

∗ CONDUZIONE
∗ PROIBITA
∗ VALENZA

SEMICONDUTTORI
semiconduttori
⇓ perché importanti?
capacitá cambiare conducibilitá

⇓ come?
introduzione atomi droganti
,→ +4 elettroni: ATOMI DONATORI V gruppo tipo n
,→ −4 elettroni: ATOMI DONATORI III gruppo tipo p

ipotesi completa ionizzazione:

,→ tutti atomi drogati hanno donato/accettato elettrone

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 TRASPORTO SEMICONDUTTORI
PORTATORI LIBERI nel materiale vengono accelerati dalla presenza di un campo elettrico ε
portatori liberi
⇓ accelerati da ε
corrente
⇓
caratterizzata da:
,→ velocitá
,→ densitá

tipi corrente:
,→ trascinamento (dipende dalla ε)
,→ diffusione (dipende dalla concentrazione)

GIUNZIONE p-n
semiconduttore
⇓ introduzione impuritá tipo p e n
giunzione pn
,→ struttura fondamentale su cui si basano DIODO e TRANSISTOR

3 casi diodo
,→ NON POLARIZZATO
,→ POLARIZZAZIONE DIRETTA
,→ POLARIZZAZIONE INVERSA

NON POLARIZZATO

COMPORTAMENTO
⇓
FORTE DENSITÁ ELETTRONI LATO n

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 ⇓ effetto diffusione
SPOSTAMENTO LATO p
⇓ questo comporta
zona centrale NO CARICHE ELETTRICHE −→ ZONA SVUOTAMENTO
⇓ barriera potenziale
NO ULTERIORE SPOSTAMENTO DIFFUSIONE

POLARIZZAZIONE
NON POLARIZZATO
⇓ applico tensone ai capi
POLARIZZATO

POLARIZZATO DIRETTAMENTE

⇓ questo comporta
AUMENTO CORRENTE DIFFUSIONE

POLARIZZATO INVERSAMENTE

⇓ questo comporta
AUMENTO CORRENTE TRASCINAMENTO
⇓ continuo ad aumentare tensione
BREACK-DOWN
,→ EFFETTO VALANGA
,→ PERFORAZIONE DIRETTA
,→ EFFETTO TUNNEL

APPLICA SEGNALE ELETTRICO VARIABILE t

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 ⇓ come comporta si comporta?
NON RISPONDE IN MANIERA ISTANTANEA
⇓ come descrivo il fenomeno?
EFFETTI CAPACITIVI
,→ Cs Capacitá svuotamento −→ cariche regione svuotata
,→ Cd Capacitá diffusione −→ portatori liberi in regioni neutre

⇓ come si comporta con polarizzazione?

POLARIZZAZIONE DIRETTA −→ PREVALE DIFFUSIONE

POLARIZZAZIONE INDIRETTA −→ PREVALE SVUOTAMENTO

TRANSISTORI BIPOLARI BJT

BJT
⇓ composto da?
2 GIUNZIONI pn IN ANTISERIE
⇓ questo comporta
2 TIPI
,→ BJT npn
,→ BJT pnp

⇓ come si presenta?

3 MORSETTI
,→ BASE
,→ COLLETTORE
,→ EMETTITORE

⇓ quale scopo voglio raggiungere?

gestire correnti tensioni EMETTITORE COLLETTORE

⇓ per farlo cosa sfrutto?
REGIONI DI FUNZIONAMENTO
⇓ quali sono? funzionamento?

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4 REGIONI
,→ SATURAZIONE
,→ INTERDIZIONE
,→ ATTIVA DIRETTA
,→ ATTIVA INVERSA

⇓ le usiamo tutte?

A NOI INTERESSA SOLO LA r.a.d (REGIONE ATTIVA DIRETTA)

⇓ a che scopo?
APPLICAZIONI ANALOGICHE
⇓ a questo fine cosa capita in questa regione?

⇓ cioé?
IC dipende diventa −αIE o βIB

⇓ questo vuol dire?

AMPLIFICAZIONE

ZONA ATTIVA DIRETTA

⇓ come la ”ATTIVO”?
SCELGO LA CONFIGURAZIONE DEL BJT e POLARIZZO
⇓ che tipi di configurazione ci sono?

2 CONFIGURAZIONI:
,→ BASE COMUNE
,→ EMETTITORE COMUNE

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 ⇓ cosa cambia?

BASE COMUNE
,→ IC dipende diventa −αIE
,→ tensioni polarizzazione VBE e VBC

EMETTITORE COMUNE
,→ IC dipende diventa βIB
,→ tensioni polarizzazione VBE e VCE

TRANSISTORI MOS
MOS
⇓ sistema MOS cos’é?

GIUNZIONE:
,→ METALLO
,→ OSSIDO
,→ SEMICONDUTTORE

⇓ caratteristiche?

2 stati:
,→ CONDUCE
,→ NON CONDUCE

⇓ come si presenta?

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3 MORSETTI:
,→ GATE
,→ SOURCE
,→ DRAIN

⇓ quanti tipi ne esistono?

4 TIPI:
7→ nMOS arricchimento −→ normalmente OFF −→ V th+
7→ nMOS svuotamento −→ normalmente ON −→ V th−
7→ pMOS arricchimento −→ normalmente OFF −→ V th−
7→ pMOS svuotamento −→ normalmente ON −→ V th+

⇓ quale scopo voglio raggiungere?

far scorrere corrente tra SOURCE e DRAIN controllata dalla tensione sul GATE
⇓ per farlo cosa sfrutto?
uso la VGS per ”ACCENDERE-SPEGNERE” e la VDS per regolare la IDS

⇓ come si regola la IDS ?

se nMOS normalmente on:
7→ ZONA LINEARE −→ VDS ≈ 0
7→ ZONA TRIODO −→ VDS < VGS − V th
7→ ZONA SATURAZIONE −→ VDS ≈ VGS − V th
7→ ZONA INTERDIZIONE −→ VGS < V th

se pMOS normalmente off:

7→ ZONA LINEARE −→ VDS ≈ 0

7→ ZONA TRIODO −→ VDS > VGS − V th
7→ ZONA SATURAZIONE −→ VDS ≈ VGS − V th
7→ ZONA INTERDIZIONE −→ VGS > V th

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