Lo specchio di corrente

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Lo specchio di corrente un circuito costituito da coppie di transistor BJT, MOSFET o JFET molto utilizzato per realizzare generatori di corrente e per specchiare correnti da un ramo allaltro dei circuiti. PROGETTO DI UNO SPECCHIO DI CORRENTE Supponiamo di dover realizzare uno specchio di corrente utilizzante una coppia di transistor BJT. Innanzitutto prendiamo in considerazione le caratteristiche di uscita del transistor bipolare (Fig.1) e fissiamo il punto di lavoro del primo dispositivo (Q1) nella zona attiva, cio nella zona in cui il transistor si comporta da generatore di corrente ( in questa zona, fissata una certa tensione base emettitore (vBE1) del BJT, al variare della tensione tra collettore ed emettitore (vCE1), la corrente di collettore (iC1) tende a rimanere costante).

Se, successivamente, consideriamo il secondo BJT e applichiamo ad esso una tensione base emettitore (vBE2) identica a quella applicata al primo transistor, i due BJT lavorano sulla stessa caratteristica duscita; inoltre, se forziamo il secondo transistor a lavorare anchesso nella regione attiva, i due transistor, pur avendo diverse vCE, presentano una corrente di collettore praticamente identica: la corrente di collettore del primo transistor risulta specchiata nel secondo. Vediamo, adesso, la realizzazione pratica del circuito. Supponiamo di dover iniettare in un carico RL una corrente costante pari a 1mA, nel verso indicato in figura 2; la prima operazione da compiere consiste nel collegare il carico al collettore di uno dei due transistor (ad esempio T2 ), in modo che RL veda una resistenza duscita elevata (il circuito da realizzare, infatti, oltre che da specchio di corrente, deve comportarsi anche da buon generatore di corrente e, quindi, deve avere una bassa resistenza dingresso e unalta resistenza duscita). Poi occorre effettuare la scelta del tipo di BJT da impiegare e, dal momento che la corrente attraversa RL dallalto verso il basso ( da VCC a massa), anche nel transistor T2 dovr mantenere tale verso di scorrimento. A fronte di tale considerazione risulta, quindi, opportuno utilizzare un transistor BJT npn (Fig. 3). Con la configurazione circuitale di figura 3, per, non riusciamo a iniettare la corrente desiderata nel carico, perch tale corrente dipende dal valore del carico stesso ed pari a:

iC2=(VCC-vCE2)/RL Per risolvere il problema, prendiamo in considerazione unalternativa che potrebbe apparire corretta, ma che, invece, non consente di fornire una soluzione adeguata: fissiamo la corrente di base (iB2) del transistor T2, in modo da fissare automaticamente la corrente di collettore (Fig. 4). Osservando la figura 4, la corrente di base risulta pari a: iB2=(VCC-vBE2)/RB Essendo note VCC ( 5 V ), vBE2 ( 0,6 V ) e RB ( 4,4 K ), la corrente di base risulta fissata a un valore costante (1mA) e, ricordando che iC=iB, automaticamente la corrente di collettore appare fissata. In realt, per, il di un BJT soggetto a variazioni e, quindi, pur progettando adeguatamente il circuito, non si riesce ad ottenere la corrente desiderata. La soluzione al problema fornita dal circuito mostrato in figura 5. In tale circuito T1 e T2 presentano la stessa tensione base - emettitore e quindi sono rappresentati dalla stessa caratteristica duscita. I due transistor, poi, lavorano entrambi nella regione attiva e, di conseguenza, la corrente di collettore identica nei due componenti ed pari a: iC1 = iC2 = (VCC-vBE)/RRIF = 1mA Come si pu notare, la corrente di collettore fissata ad un valore costante e non dipende pi dal valore del carico connesso in uscita. Inoltre, il carico vede unelevata resistenza duscita, RRIF vede una bassa resistenza dingresso (quella di T1 connesso a diodo) e quindi lo specchio di corrente si comporta anche da buon generatore di corrente. Il circuito appena descritto inietta nel carico una corrente di 1 mA; se, per, volessimo iniettare nel carico una corrente doppia rispetto a quella generata dallo specchio di corrente potremmo utilizzare la configurazione circuitale presentata in figura 6.

In questo caso il carico connesso ai collettori dei due BJT in parallelo; su ogni collettore fluisce una corrente di 1 mA (infatti T1, T2 e T3 hanno stessa vBE e lavorano in zona attiva) e, quindi, nel carico fluisce una corrente di 2mA, pari alla somma delle correnti che fluiscono attraverso i transistor duscita. A fronte di quanto appena esposto, dunque, lo specchio di corrente un circuito che pu essere validamente impiegato sia per generare correnti sia per specchiare nei vari rami di un circuito correnti di valore pari o multiplo rispetto a quello della corrente dingresso. GLI ERRORI DELLO SPECCHIO DI CORRENTE La descrizione dello specchio di corrente appena effettuata non tiene conto degli errori che il circuito commette nello specchiare la corrente nei rami di un determinato circuito; tali errori sono dovuti principalmente alle seguenti cause: - differenze tra le vBE dei transistor; - correnti di base non sempre trascurabili; - differenze nelle vCE dei BJT. Per quanto riguarda il primo problema, i transistor impiegati per realizzare il circuito presentano delle differenze nella tensione vBE che non consentono la desiderata uguaglianza tra le correnti di collettore. In presenza di tali differenze risulta opportuno utilizzare il circuito di figura 7, molto utile per mantenere sotto controllo il rapporto tra le correnti di collettore dei transistor semplicemente agendo sulle resistenze poste sugli emettitori degli stessi. Nel circuito presentato, detto specchio di corrente a rapporto di resistenze, ipotizziamo che le correnti di base dei BJT siano trascurabili (quindi iC1 =iE1 e iC2=iE2 ) e scriviamo lequazione della maglia contenente R1 e R2: vBE2-vBE1=R1iC1-R2iC2

Come detto in precedenza, vBE1 diverso da vBE2 e, in particolare, vBE1=Vt ln(iC1/iC0) e vBE2=Vt ln(iC2/iC0), dove Vt (T/11600) lequivalente in tensione della temperatura e iC0 la corrente di saturazione inversa dei transistor. Di conseguenza, vBE2-vBE1=Vt ln(iC2/iC1) e, quindi, sostituendo nellequazione della maglia, otteniamo: Vt ln(iC2/iC1)=R1iC1-R2iC2 Dividendo entrambi i membri per iC1R2 e considerando Vt molto minore di R1iC1, otteniamo: iC2/iC1=R1/R2 Come si pu notare, il rapporto tra le correnti di collettore dipende esclusivamente dalle resistenze R1 e R2 e, di conseguenza, tale circuito pu essere utilmente impiegato nel caso in cui si vogliano controllare rapporti tra correnti di diversa intensit. Il secondo problema da considerare riguarda le correnti di base dei transistor. La corrente di riferimento, infatti, non fluisce totalmente nel collettore di T1 perch in parte viene assorbita dalle basi dei due transistor. Per risolvere tale problema si pu utilizzare il cosiddetto specchio di corrente base injection (Fig. 8).

Nel circuito in figura la tensione sul nodo data dalla somma di vBE2 e vBE3 ed , quindi, pari a circa 1,2 V (0,6 V + 0,6 V). Di conseguenza la corrente che scorre attraverso RRIF risulta fissata al seguente valore: iRIF = (VCC - V)/ RRIF Tale corrente si ripartisce tra la base di T3 e il collettore di T1 e, anche in questo caso, quindi, una parte della corrente di riferimento viene persa nella base di un BJT (T3). Tuttavia, confrontando lerrore commesso nel circuito di base con quello riscontrato nel base injection il secondo circuito risente molto meno del problema e, pi precisamente, lerrore si riduce di un fattore pari a ( + 1) (Fig. 9).

La terza problematica da tenere in conto riguarda la differenza tra le vCE dei transistor, la quale determina disparit tra le correnti dello specchio. Nella zona attiva delle caratteristiche duscita, infatti, le curve non sono del tutto orizzontali, ma posseggono una lieve pendenza dovuta al cosiddetto effetto Early; tale effetto dovuto alla variazione della larghezza di base del BJT a causa della variazione della tensione di collettore. Infatti, fissato una certa vBE, all'aumentare della tensione vCE, aumenta la tensione di polarizzazione inversa della giunzione tra base e collettore e, quindi, aumenta la larghezza della regione di svuotamento di tale giunzione. Di conseguenza la larghezza della base del transistore si riduce e, poich la corrente di saturazione iC0 inversamente proporzionale alla larghezza della base, l'aumento della iC0 produce un aumento della corrente di collettore iC. Quindi, se i due transistor presentano una diversa vCE, le loro correnti di collettore non saranno del tutto identiche, introducendo un errore non trascurabile nel circuito. Per risolvere il problema si pu utilizzare il circuito di figura 10.

Come si pu notare, se varia il valore del carico, varia la tensione sul nodo , mentre la tensione vCE di T2 non subisce variazioni perch risulta fissata al valore VB-vBE3. Di conseguenza, progettando in modo adeguato la tensione VB, si pu ottenere una vCE2 identica alla vCE1 e realizzare, in tal modo, la desiderata uguaglianza tra le correnti di collettore di T1 e T2