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  • Fondamenti Di Elettronica

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    al | a Na to) FONDAMENTI DI ELETTRONICA Componenti attivi e passivi: R, ¢, ¢ L IL cervello del Robot. | cervello del robot che costruiremo @ un picco- lo computer digitale, che si trova dentro ad un circuito integrate. Questo componente viene chiamato"microcontrollore ed @ uno degli sviluppi pit spettacolari della Microelettro- nica moderna. La connessione € comuni- cazione di questo cervello con le ruote motrici, che servono a far muovere il nostro Robot e con i sensori che verranno uti- lizzati per identificare gli osta- coli, 0 per seguire un percorso, necesita di circuiti elettronici di interfaccia. Questo per fare in modo che vengano adattate le caratterstiche del'elemento che invia l'informazione o I'or- dine, a quello che li riceve. Tutti questi circuiti ausiliari non sono contenuti ne! micro- controllore, ma saranno forma- ti da diversi componenti elettr- i, quali le resistenze, conden- satori, diodi, transistor, ec. Lobiettivo di questa sezio- 1 nucieo del'tomo contiene i proton che sono cariche elettiche positive. ne dell’opera é quello di spie- Girendo nelle diverse orbite si trovano gli elettroni con carca elettrica negativa. Latomo @ neutro gare in forma breve, chiara e perch ha la stesso numero di protoni edi elton semplice, i principi fonda- mentali che controllano il funzionamento dei sud- detti componenti con i quali lavorerete. GLI ELETTRONI E L'ELETTRICITA | principi fondamentali dell’elettronica sono nell’elettri- cita: ["elemento fondamentale si trova nella struttura della materia. Gli atomi di tutti materiali sono costituiti da un nucleo ed un involucro. Nel nucleo si trovano i protoni, che sono particelle con cariche elettriche posi- tive ed i neutroni. Nell'involucro girano in orbita ad alta velocita gli elettroni, che sono particelle con carica elet- trica negativa. Per |'esistenza di cariche positive e nega- tive, l'atomo risulta neutro. Gili elettroni delle orbite sopportano una forza d’at- trazione da parte del nucleo. Ci sono degli atom che hanno elettroni che girano in orbite lontane dal nucleo, i quali possono lasciare lorbita, se trovano una forza d'attrazione esterna maggiore di quella del nucleo. Componenti _attivi e passivi: R, Ce L ee DY VT hi) a a Lo) of) Lintensit eletrica& la quantita di eletroni che cicola dl atomo in atomo per unitd di tempo. la quantita di elettroni che passa da un atomo al- "altro per unita di tempo si chiama intensita elettrica. Lurita di misura delt'intensita & l’Ampere (A) e signifi «a che passano 6,23 trilioni di elettroni (1 Coulomb) in un secondo. DIFFERENZA DI TENSIONE O DIFFERENZA DI POTENZIALE La tensione di un corpo @ la carica elettrica positiva o negativa che ha per unita di volume. Si misura in Volt (V), Bifferenza di tensione o di potenziae, é la differen- za di tensione che esiste tra due corpi. Questo @ un pa- rametro fondamentale, perché quando si trovano a contatto due corpi, il passaggio di elettioni verso il cor- Po pitt positive che |i attrae, dipende esclusivamente dalla differenza di potenziale tra i due. LEGGE DI OHM Quando si collegano due corpi con diffarente tensione attraverso un filo conduttore, si genera una corrente di elettroni sino al corpo pitt positivo che liattrae. La legge Gi elettron circolano dal corpo pit negative a quello pit posite, i Ohm quantifica il valore della in- tensita eletrica (A), che si crea colle- gando due corpi con differenza di potenziale (V), attraverso un filo con- duttore che presenta una determina- 1a resistenza al passaggio degli elet- toni. In pratica opposizione che of- frono i corpi al passaggio della cor- rente elettrica si chiama “resistenza” e si misura in Ohm (Q). La formula della legge di Ohm @ la seguente: Ampere) = V (VoitR (Ohm) COMPONENTI PASSIVI E ATTIVI | component elettronici si dividono in due grandi cate- Gore: attvi e passiv. | passivi sono principalmente 3: resistenze, conden- satori e bobine, Giiattivi pit usati sono i diodi edi tran- sistori, owiamente anche i cicuiti integrati sono consi- Ra Collegamento di resistenze in serie e in paralelo. see a Cod of Cm ret id R,C,eL La capacta in Farad del condensatore @ proporzionale alle superfci dele armature ed inversamente proporzionale ala distanza tra dl ese, Nel caso di una tensione alternata, il continuo cam- biamento di polarta fra le armature, fa si che si carichi- no e si scarichino ogni semiperiodo, ossia al ritmo della frequenza della corrente alternata, Quella circolazione di cariche nei due sensi, permet- te il passaggio della corrente altemata, comportandos| come una resistenza che si chiara reattanza capacitiva, Xe, il cui valore in Ohm viene dato con la sequent for- mula Le resstenze e i condensatori sono ' component passvi maggiormente usat nei'implementazione dei circuit elettronici Xe si misura in Q, f la frequenza della corrente alterna in Hertz e C sono i Farad. Dalla formula possia- mo vedere che il conden- satore offre una resisten- 2a molto piccola alle alte frequenze | condensatori, cosi come le resistenze, si possono collegare in se- rie ed in parallelo, perd le formule per calcolare le capacita equivalenti sono inverse a quelle ap- plicate con le resistenze. In questo modo, la capacita totale dei vari condensatori accoppiati in parallelo @ uguale alla somma delle loro capacita singole. BOBINE La bobina consiste in un filo di rame arrotolata in for ma di spirale, sopra un supporto cilindrico. La sua pro- prieta pid importante & quella di comportarsi come una ‘calamita, quando attraverso essa circola un'intensita elettrica, In corrente continua la bobina si comporta ‘come un filo conduttore di bassa resistenza, dato che in regime di cortente costante non si verificano effetti di autoinduzione. La bobina ha un funzionamento con- trariorispetto al condensatore con ia corrente continua, infatti ne permette il passaggio invece di bloccaria.. Se viene applicata ad una bobina una corrente al- temata, vara il campo magnetico che viene generato @ queste variazioni ostacolano il passaggio di corrente nella bobina stessa, abbiamo cio’ il fnomeno della au- toinduzione, per il quale, la bobina presenta una certa resistenza al passaggio della corrente alternate. Questa resistenza prende il nome di reattanza induttiva, il cul valore viene dato da XLs2nfL XL @ la reattanza induttiva misurata in Q, # la fre- quenza, L il coefficiente di autoinduzione della bobina misurata in Hen In regime di corrente alternata, la bobina, al contra- rio del condensatore, presenta maggiore resistenza quanto maggiore @ la frequenza, FONDAMENTI DI ELETTRONICA DIT e Cry Il diodo semiconduttore T SEMICONDUTTORI P EN | componenti elettronici attivi, diodi e transistor, sono costruiti con materiale semiconduttore, e non presenta- no un comportamento lineare quando sono attraversa- ti da corrente elettrica, | materiali semiconduttori puri maggiormente usati sono: ilsilicio e il germanio, carat- terizzati dallavere quattro elettroni neliultima orbita ‘atomica. Dato che la struttura non & stabile con soli quettro elettroni neli’orbita di valenza, questi material hanno la proprieta di dividere i loro quattro elettroni ‘con i quattro atomi che I circondano, raggiungendo co- sina struttura stabile con otto elettroni periferici che li fa comportare come materiale isolante. Se a un seniconduttore puro, di struttura molto sta- bile, vengono aggiunti degli ator di impurezze che ab- biano sulla loro ultima orbita tre o cinque elettroni, que- sti andranno a occupate il posto degli alt atomi seri conduttori che avevano quattro elettroni periferici. Quan- do un atomo di semiconduttore puro deve condividere clettroni con un atomo di impurezza, (detto anche mate- riale drogantel, e quest/ultimo ha tre elettroni nellorbita divalenza, ne manca uno per diventare stabile. Vassenza dun elettrone, si chiama “lacuna”. Se l'atomo di impu- rezza ha Cinque elettroni rimane un elettrone libero. | semiconduttori di tipo P subiscono il drogaggio con _atomi di impurezza trivalente nella struttura atomica del semiconduttore puro. Per ogni atomo di impurezza si ‘rea une lacuna, Se gli atomi di impurezza sono penta- valent, il semniconduttore che si ottiene si chiama tipo N, in esso per ogni atomo di impurezza si crea un elet- Gi eletroni maagioitari dela zona N si diigano verso la zana Pele lacune di questa verso la zona N, “ unione degi elettron’ liberi della zona N con le iacune della zona P genera una zona neutra, la zona N viene caricata positamente e fa zona Pnegativamente, trone libero. Riassumendo, i semiconduttori tipo P han- ‘no un sovrannumero di lacune, cioe gli mancano degli elettroni. Ai semicondutto’ tipo N avanzano degii elet- troni liberi nella struttura atomica LA GIUNZIONE N-P Nei semiconduttor tipo P, ci sono molte lacune libere, (maggioritarie) e alcuni elettroni liberi (minoritar) origi- nati dallenergia termica. Al contrario, nei semicondut- ‘ori tipo N ci sono molti elettroni beri (maggiortar) e pochissime lacune (minoritarie). Se si uniscono i due ti di semiconduttori, a legge della diffusione tende a equi- liprare la concentrazione di portatori di carica, e di con- seguerza si origina una corrente di elettroni maggiorita- rinella zona N che si dirigono verso la zona Be una cor- rente di lacune dalla zona P verso la N. Incontrandosi nel'area di contatto, gli elettroni liberi con le lacune for- mano una zona neutra stabile, allo stesso tempo la zo- rra N perdendo elettroni si carica positivamente e la 20- ra P perdendo lacune si carica negativarente, IL DIODO SEMICONDUTTORE E Funione di un semiconduttore tipo N con un altro di tipo P. Nella zona di unione si crea una zona neutra, € dal lato N si genera un potenziale positivo per la perdita di elettroni, mentre dal lato P si genera un potenziale negativo per la perdita di lacune. Questo voltaggio tra i due tipi di semiconduttor, si chiama "barriera di poten- ziale", e diventa sufficientemente elevato per impedire che prosegua I'unione degli elettroni con le lacune. Diodi_rettifica' i=? FONDAMENTI DI Diodi rettificatori ELETTRONICA abit coe yg Un diodo semicondittore @ Funione di un semiconduttore ‘ipo N con un altro tipo P Questa unione genera una zona neutra alnterno della quale vie la bara di potenziale. POLARIZZAZIONE DIRETTA E INVERSA Se esternamente applichiamo al diodo una tensione che vinca Ia barriera di potenziale, si elimina la causa che impedisce il proseguire delle unioni degli elettroni della zona N con le lacune della zona, e si produce una corrente di portatori maggioritari in entramibe le ire- zioni. Questa forma di polarizzazione del diodo si chia- ma diretta, e alla zona N, che si chiama alternata, @ i | Fa primo paso che si compie per trasformare la corrente al tetnata in con- tinua, Applicand corrente altemata a un dodo passa solo un semicic, quale ppolarizza direttamente la giunzione N-P Lolinazione di un semiciclo dala c.2, si chiama retiticazione. FONDAMENTI DI ELETTRONICA &x Diodi rettificatori a principale appiicazione dei diodi semicon- duttori é la rettificazione della corrente alter- ata, Le compagnie di distribuzione la forni- sconio - per loro convenienza - in forma alter- ata e, in Europa, pill precisamente @ 220 Ve 50 Hz. Gli apparecchi elettronici come i televisori, i com- puters e i robots funzionano con corrente continua, ppertanto devoro avere un circuito che trasformi la cor- rente alternata in continua. Questo circuito si chiama “alimentatore”. Per poter compiere questa opera di trasformazione é indispensabile Iutilizzo del diodo se- miconduttore, quale elimina uno dei due semicicli del- la corrente alternata. Con un solo diodo si rettifica un ssemicicio, 0 una semionda (che dir si voglia); questo cir=

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