21/01/22, 02:42 GTO vs IGCT vs IGBT | differenza tra GTO, IGCT, IGBT

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GTO vs IGCT vs IGBT | differenza ESERCITAZIONI

tra GTO, IGCT, IGBT WIRELESS RF

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Big performance - small cost
GSM |
UMTS | LTE |
Helping you do more with less WLAN | 802.11ac |

IoT | RADAR |

satellitare |
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Guida d'onda |

Questa pagina confronta GTO vs IGCT vs IGBT e menziona la

differenza tra GTO, IGCT e IGBT. GTO sta per Gate Turn-Off
Thyristor, IGCT sta per Insulated Gate Commutated Thyristor e IGBT
sta per Insulated Gate Bipolar Transistor. Il confronto tra i tre dispositivi
è derivato rispetto a simbolo, caratteristica, vantaggi, svantaggi e
applicazioni.

GTO | Tiristore di spegnimento del

cancello

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La figura 1 sopra raffigura la costruzione GTO e il simbolo del circuito. aiutarti. Compila il
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La figura 2 mostra l'unità base del transistor GTO e il suo modello
equivalente a due transistor. DECT | 
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La figura 3 mostra le forme d'onda di tensione e corrente quando la
FTTH | 
KNX | 
AMP
struttura GTO è disattivata.
| 
IP mobile | 
Wireless

IGCT | Tiristore commutato con gate ottico | 

isolato
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TERMINI POPOLARI

Indice terminologico | 

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La figura 4 mostra il simbolo del circuito IGCT.
Canali GSM | 
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La figura 5 mostra la struttura dell'IGCT.

La Figura 6 mostra le forme d'onda di tensione e corrente quando la

struttura IGCT è disattivata.

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IGBT | Transistor bipolare a gate

isolato

La forma completa di IGBT è transistor bipolare a gate isolato. La

Figura 7 mostra la struttura dell'IGBT Trench da 600 Volt e il simbolo
del circuito. Entrambe le strutture sembrano uguali, ma la differenza
principale nel substrato p IGBT viene aggiunta sotto il substrato n.

La Figura 8 menziona le caratteristiche di uscita di IGBT. Fare

riferimento a MOSFET e IGBT >> per saperne di più sul dispositivo
IGBT.

Following table compares GTO vs IGCT vs IGBT and mentions

difference between GTO, IGCT and IGBT.

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Specifications GTO IGCT IGBT

Full Form Gate Turn-Off Insulated Gate Insulated

Thyristor Commutated Gate
Thyristor Commutated
Thyristor

Advantages • Controlled • Controlled • Controlled

turn-off ability. turn-off ability. turn-off ability.
• Relatively • Relatively • Minimum
high overload high overload working
capacity. capacity. frequency up
• Series • Low on-state to 10 kHz.
connection losses. • Very low
possibility. • Working control power.
• Working frequency of
frequency of kHz.
hundreds of • Series
Hz. connection
possibility.
• High cyclic
resistance.

Disadvantages • Higher on- • Very high

state losses. on-state
• High control losses.
power. • Relatively
low cyclic
resistance.

Applications • High power • High power • Choppers

drives drives • Continuous
• Static • Supply supply
compensators inverter sources
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p
• Continuous sources for DC • Statical
supply transmissions compensators

sources • Big frequency and active

• Induction converters filters
heating • Switching
sources sources

Following points summarize useful comparison between IGCT and

IGBT:
➨IGBT has high switching frequency compare to IGCT.
➨IGBT lifetime is ten times greater than IGCT.
➨IGCT has low ON state voltage drop.
➨IGCT are made like normal disk devices which has
high electro-
magnetic emission. They also have cooling problems.

MOSFET and BJT related links

MOSFET vs IGBT➤
PNP Transistor Vs NPN Transistor➤
BJT vs FET➤
JUGFET vs MOSFET➤
Depletion MOSFET vs Enhancement MOSFET➤
MOSFET Fabrication Technology➤
MOSFET vs BJT-Difference between MOSFET and BJT➤
Application Note-MOSFET as switch and amplifier➤
Difference between NMOS vs PMOS➤

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difference between FDM and OFDM
Difference between SC-FDMA and OFDM
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Difference between 802.11 standards viz.11-a,11-b,11-g and 11-n
OFDM vs OFDMA
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