Lezione 11 0607

Fisica dello Stato Solido
Lezione n. 11
Trasporto elettrico in metalli e semiconduttori

Corso di Laurea Specialistica
Ingegneria Elettronica
a.a.06-07
Prof. Mara Bruzzi
Prof. Mara Bruzzi – Lezione n. 11 - Fisica dello Stato Solido

Laurea specialistica in Ingegneria Elettronica a.a.06-07
Conducibilità elettrica nei metalli e nei semiconduttori
Sommario
Conducibilità elettrica nel modello quantistico - processi di
scattering - metalli: dipendenza dalla temperatura del tempo
medio di collisione, resistività elettrica – resistività elettrica e
mobilità nei semiconduttori

Modello a elettroni liberi
Tabella riassuntiva parametri superficie di Fermi
Date le espressioni:
2/3
h 2  3n  2mεF 2ε F εF
εF =   kF = ; vF = TF = ; otteniamo:
8m  π  ; h2 m
; KB
n [cm-3] εF [eV] kF [cm-1] vF [cm/s] TF [K]
Li 4.6 1022 4.7 1.1 108 1.3 108 5.5 104
Na 2.5 1022 3.1 0.9 108 1.1 108 3.7 104
K 1.34 1022 2.1 0.73 108 0.85 108 2.4 104

Cu 8.50 1022 7.0 1.35 108 1.56 108 8.2 104
Ag 5.76 1022 5.5 1.19 108 1.38 108 6.4 104

Au 5.90 1022 5.5 1.20 108 1.39 108 6.4 104

Trasporto elettrico nel modello di Sommerfeld
Abbiamo visto che per forza F = 0 e T = 0 abbiamo una ky
distribuzione di velocità nel gas di fermioni tra 0 e vF. Gli
elettroni hanno velocità legata al vettor d’onda k con kF
legge:
hk
v= p = hk
2πm kx
Gli stati occupati da elettroni sono quelli entro la fera kz
di Fermi: essa comprende infatti tutti gli stati
elettronici che allo stato fondamentale risultano
occupati dagli elettroni. All’istante t = 0 applichiamo ky F
una forza esterna F. In assenza di collisioni essa fa
variare la distribuzione iniziale dei vettori k, della
quantità δk tale che:
d (δ k )
F =h (*)
dt δk kx
kz
e la velocità dell’elettrone subisce la variazione:
h δk
δv =
m
La sfera di Fermi, prima centrata nell’origine, ora risulta centrata in δk.
Notiamo che nel processo di variazione di k sono coinvolti solo gli elettroni
che hanno |k| ~ |kF|.:
k F
y
δk kx
L’effetto delle collisioni tra ioni ed elettroni può essere descritto pensando che,
oltre alla forza F, sull’elettrone agisca una forza di attrito viscoso direttamente
proporzionale alla variazione di velocità δv e inversamente proporzionale al tempo
medio tra due collisioni successive τ. La legge di Newton diviene quindi:
δv d (δ v )  d 1
F− =m che scritta evidenziando la δv diviene: F = m + δ v
τ dt  dt τ 

Equazioni del moto in presenza di E, B
Siano: B = (0,0,Bz) ; E = (Ex, Ey,Ez). La forza sull’elettrone è: F = −e[E + δ vx B ]
 d 1
L’equazione generale del moto e: m + δ v = −e[E + δ vx B ]
 dt τ 
 d 1
[
m + δ v x = −e E x + B zδ v y ]
Risolvendo il prodotto vettoriale otteniamo
 dt τ 
 d 1
le equazioni per le componenti di δv: [
m + δ v y = − e E y − B zδ v x ]
 dt τ 
 d 1
m  + δ v y = − eE z
 dt τ 
Definisco:
eB
ωc = pulsazione ciclotronica dell’elettrone libero: ωc =
m

Caso stazionario
d (δ v)
Nel caso stazionario: =0
dt
eτ
δ vx = − E x − ω cτ δ v y
m
E le equazioni eτ
δ vy = − E y + ω cτ δ v x
divengono: m
eτ
δ vz = − Ez
m
eτ 1
δ vx = − (E x − ω cτ E y )
m 1 + (ω cτ )2
eτ 1
Con soluzione: δ vy = −
m 1 + (ω cτ )2
(E y + ω cτ E x )
eτ
δ vZ = − EZ
m

n e 2τ
Siano: σ0 = ; J x = − ne δ v x ; J y = − ne δ v y ; J Z = − ne δ v Z .
m
Allora la densità di corrente è il vettore di espressione:
Jx   1 − ω cτ 0  E x 
  σ0   
Jy  =  ω cτ 1 0  E y  .
J  1 + (ω cτ ) 2
 0 0 1 + (ω cτ )  E z 
2
 z 
Caso 1. Legge di Ohm
Per B = 0 ωc = 0 e l’equazione si riduce a: J = σ0 E
Equivalente all’espressione di Drude, con : J = − neδ v

Caso 2. Valutazione del coefficiente di Hall
Le formule appena viste si applicano al caso dell’effetto Hall, dove la geometria

dell’esperimento impone che B = Bz e J = JX. Quindi JY = Jz = 0 e :
B
z δ vy = 0 E y = −ω cτ E x
y
da cui si ottengono facilmente le relazioni:
q<0 x
eBz e:
+++++++ J Ey = − τ Ex
EH Eel m
----------
eτ
δ vx = −
1
m 1 + (ω cτ )2
(
E x + (ω cτ ) E ) = − emτ E
2
x x .
FL
1
Otteniamo l’espressione del campo di Hall: EH = E y = − Bz J x
ne
1
e quella del coefficiente di Hall: RH = − .
ne

Confronto tra coefficiente di Hall misurato e calcolato dalla teoria di elettrone libero
1
RH (teorico) = − RH(sperim) / RH(teorico)
ne
Ey Li + 1.3
RH ( sperim) =
Bz J x + 0.9
Na
Buon accordo per metalli monovalenti + 0.8
Cu
( alcalini e nobili ). Per Be, Cd, W il
segno dell’effetto Hall è positivo, + 0.8
Ag
opposto a quello previsto per
conduzione di elettroni. Questo + 0.7
Au
problema viene risolto solo
utilizzando la teoria delle bande, ove - 5.0
Be
gli stati vacanti (lacune) prossimi alla
cima di una banda di energie per - 0.5
Cd
elettroni si comportano come se
dotati di carica positiva. - 1.2
W

Trasporto elettrico nel modello a Bande
E=0 E≠0
ε
ε
dk
E
F Si ha forza : F = −e E = h
εF
dt
π π
−
π
a
π
a
k −
a 0 a k
In presenza di F gli elettroni aumentano k in direzione di F, (eventualmente

subendo il fenomeno dell’Umklapp a bordo zona). Ne risulta una distribuzione
asimmetrica degli elettroni nella banda. C’è corrente elettrica poiché si hanno
più elettroni che si muovono in una direzione che in quella opposta.
Problema: Questa interpretazione non riesce a descrivere il caso stazionario, e

quindi i casi della legge di Ohm e dell’esperimento per la misura del
coefficiente di Hall. Poiché l’interazione tra elettroni e reticolo cristallino è già
inglobata nel modello, che ci ha portato a utilizzare le funzioni d’onda di Bloch
per gli elettroni nel cristallo e a definire le bande di energia εn(k), non possiamo
considerare le collisioni tra elettroni e ioni del reticolo cristallino come fattore
dissipativo che produce la stazionarietà.

Processi di scattering
Ogni irregolarità nella periodicità del cristallo perturba il moto altrimenti libero
degli elettroni di Bloch. Le irregolarità sono essenzialmente di due tipi:
1. Imperfezioni del solido ( disordine reticolare come vacanze, interstiziali,

dislocazioni o impurezze intenzionali o intrinseche ) . Questo effetto è debolmente
dipendente dalla temperatura.
2. Moto oscillatorio degli ioni intorno alle posizioni di equilibrio del reticolo cristallino
per agitazione termica. Questo effetto è ovviamente dipendente dalla temperatura.
La legge di Ohm viene quindi re-interpretata considerando le collisioni tra

gli elettroni di conduzione e tali irregolarità del reticolo.

Principali tipi di difetti in un solido
Disordine Impurezze
Difetti puntuali Difetti puntuali

o Vacanze o atomi estranei sostituzionali
o interstiziali o atomi estranei interstiziali
Difetti lineari
o dislocazioni
Difetti di volume
Difetti estesi o precipitati
o bordi grano
o Interfaccia
o Superficie esterna

IMPUREZZE PUNTUALI
La presenza di imperfezioni nel reticolo cristallino può variare

significativamente le proprietà elettriche del materiale semiconduttore.
In generale si dicono “impurezze estrinseche” ( piu’ semplicemente
impurezze) gli atomi di elementi diversi da quelli che compongono il
reticolo. Esse possono essere incorporate durante la crescita o
introdotte intenzionalmente.
ESEMPI DIFETTI PUNTUALI NEL SOLIDO
C A vacanza reticolare
A B divacanza reticolare
C auto interstiziale
D impurezza sostituzionale
E impurezza interstiziale
B
D

Impurezze native in Silicio
Ossigeno e Carbonio sono impurezze estrinseche incorporate

durante la crescita del silicio cristallino.
L’ossigeno è presente in posizione interstiziale ed è elettricamente

inattivo. In Si Float Zone la sua concentrazione è dell’ordine di
1015cm-3. In Czochralski è tipicamente dell’ordine di 1017-1018cm-3, la
maggiore concentrazione è dovuta alla fusione del crogiolo di
quarzo durante la crescita del cristallo. In Si Czochralski possono
essere presenti aggregati di atomi ossigeno che danno luogo a
livelli energetici localizzati elettricamente attivi (Donori Termici).
Il carbonio è presente in posizione prevalentemente sostituzionale.

In Si la sua concentrazione è dell’ordine di 1015cm-3.

Impurezze profonde
Rispetto alle impurezze shallow sono caratterizzate da una funzioni d’onda

fortemente localizzate e da un livello energetico situato profondamente all’interno nel
gap proibito, vicino a metà gap .
Le proprietà di questi difetti sono in

εt εc
generale descritte da tre grandezze:
εi
energia di attivazione del livello εt,
concentrazione del difetto Nt e sezione εv
d’urto per la cattura σ dei portatori liberi.
Alcuni parametri importanti dei dispositivi a semiconduttore sono regolati dalla

presenza di piccole concentrazioni Nt di queste impurezze dette che si comportano
da trappole o da centri di generazione - ricombinazione (corrente di fuga dei diodi,
lunghezza di diffusione dei minoritari, … ).

I processi fondamentali di scambio di portatori liberi del difetto profondo con le bande
di valenza e conduzione sono 4: cattura di elettrone da BC, cattura di lacuna da BV,
emissione di elettrone in BC, emissione di lacuna in BV, rispettivamente regolati dai
coefficienti di cattura cn, cp ed emissione en, ep.
cn εc
en
εt εt
cp ep
εv
Coefficienti di cattura : cn = nσ n vth c p = pσ p vth (1)
Sia nt la concentrazione di livelli occupati con elettroni. Allora all’equilibrio

termico si hanno: en nt = cn (N t − nt ) ; e p (N t − nt ) = c p nt . (2)
Equazioni del bilancio dettagliato

Nt (3)
Inoltre nt è determinato dalla statistica di Fermi-Dirac: nt = ε F −ε t
K BT
1+ e
Combinando le (1), (2), (3) con le relazioni
ε C −ε F ε F −ε v
− −
K BT K BT
n = NC ⋅ e ; p = Nv ⋅ e
otteniamo l’espressione dei coefficienti di emissione:

ε c −ε t ε t −ε v
− −
K BT K BT
en = N cσ n vth ⋅ e e p = N vσ p vth ⋅ e
Quindi i coefficienti di emissione dipendono dalla ε c −ε t

−
K BT
temperatura con andamento: → en (T ) α T 2 ⋅ e


Per il principio di esclusione di Pauli lo scattering per
ε interazione con le imperfezioni del reticolo avviene per
gli elettroni più energetici verso stati vuoti
−
π π k
a a
L’effetto delle interazioni con le imperfezioni del reticolo è quello di produrre delle
transizioni k → k’ nelle quali avviene trasferimento di momento ed energia. Il
risultato è che gli elettroni più energetici invertono il loro moto bilanciando così
l’effetto accelerante del campo elettrico. L’effetto di bilanciamento produce
corrente elettrica stazionaria.

Riconsideriamo ora l’equazione del moto dell’elettrone di conduzione:
F = forza esterna applicata = -e(E + vxB)

dp
F− f = f = forza di attrito dovuta ai processi di scattering
dt
p = momento cristallino
dp p
che diviene: F = +
dt < τm >
ove <ττm> è il valore medio del tempo di rilassamento. Il suo significato deriva dal
fatto che, annullando la forza F all’istante t = 0, <ττm> è costante di tempo della
funzione esponenziale di rilassamento del momento elettronico :
t
−
<τ m >
p(t ) = p0 e
In generale τm è dello stesso ordine del tempo di collisione τc, tempo medio
tra due collisioni successive.

Se Pc è la probabilità per unità di tempo che avvenga una collisione allora:
1
Pc =
τc
Tale probabilità dipende da N, concentrazione di centri di scattering,
σ, sezione d’urto di scattering e v velocità del portatore carico: N
v
1 σ
=N vσ
τc
Tale espressione si spiega considerando i centri di scattering
come N dischi di area σ per unità di volume: il portatore che si
muove perpendicolarmente ai dischi coprendo la distanza dx = vdt
nel tempo dt ha probabilità di colpire uno dei dischi pari a:
Pc = N σ v dt = dt/ττc.

Metalli: Dipendenza dalla Temperatura di τc
1
= N v σ = Σsv
τc
Nei metalli v = vF che per definizione è indipendente dalla temperatura. In caso di

imperfezioni reticolari anche il termine Σ = N σ è indipendente dalla temperatura.
Nel caso di oscillazioni del reticolo σ è proporzionale al quadrato dell’ampiezza A
di oscillazione. Poiché anche l’energia dell’oscillatore armonico dipende da A2 :
1 2 1 2 1 1 1
U= mv + kx = mω 2 A 2 sen 2 (ω t + ϕ ) + kA2 cos 2 (ω t + ϕ ) = k A 2
2 2 2 2 2
A
Inoltre se vale la legge di Dulong Petit: U = 3 K BT ( T >> ΘD )
Otteniamo perciò che per:
Scattering da disordine / impurezze reticolari: τc è indipendente da T

1
mentre per scattering da vibrazione reticolare: α T
τc

Resistività elettrica nei metalli
Riconsideriamo ora l’espressione della conducibilità elettrica nel modello di Drude:
ne 2τ
σ =
m
La stessa espressione può essere mantenuta anche alla luce del modello
quantistico se consideriamo le seguenti modifiche:
m → m* massa efficace al livello di Fermi

τ→ < τm> → τc tempo di collisione
v → vF velocità di Fermi
n densità efficace di elettroni al livello di Fermi
Otteniamo per la resistività del metallo:
1 m * vF
Regola di Mathiessen ρ= = 2
(Σ i + Σ t ) = ρi + ρt
σ ne
ρi = resistività residua del metallo. Dovuta alle impurezze è essenzialmente indipendente da T
e prevale a bassa T. ρt resistività dovuta alle vibrazioni reticolari.

Dipendenza di ρ da T nei metalli
La resistività residua, dipendendo

dalle impurezze, può variare per una
stessa sostanza da campione a
campione.
La resistività dovuta all’agitazione termica dipende da T ad alte temperature ( T >> ΘD) e
da T5 a basse ( T << ΘD) ( Relazione di Grünesein).
In un intervallo limitato, intorno ad una decina di gradi a 20°C, la relazione è
praticamente lineare : ρ = ρ 20 (1 + α (t − 20 )) con t temperatura in °centigradi.
materiale ρ20 [Ohm m] α [°C-1]

Argento 1.59 10-8 4.1 10-3
Rame 1.67 10-8 6.8 10-3
Oro 2.35 10-8 4.0 10-3
Alluminio 2.65 10-8 4.3 10-3
Tungsteno 5.65 10-8 4.5 10-3
Zinco 5.92 10-8 4.2 10-3
Platino 10.6 10-8 3.9 10-3
Ferro 9.71 10-8 6.5 10-3
Piombo 20.7 10-8 3.4 10-3
Questo effetto è di solito impiegato per la costruzione di termometri a resistenza ( e.g.

al platino).
Superconduttività
Esiste una classe di materiali, detti superconduttori, percui la resistività si
annulla al di sotto di una certa temperatura ( detta temperatura critica Tc)
materiale Τc [K]
Niobio 9.25
Piombo 7.23
Mercurio 4.15
Alluminio 1.18
Zinco 0.88

Resistività elettrica e mobilità nei semiconduttori
Nell’espressione della conducibilità elettrica nel modello di Drude: ne 2τ

σ =
si considerano ora le seguenti modifiche.
m
1. La conduzione può essere data sia da elettroni in BC che da lacune in BV

2. m → m* massa efficace al minimo banda di conduzione ( massimo banda di valenza )
3. → < τm> è mediato sulla distribuzione di velocità degli e di conduzione ( h di valenza)
4. v → velocità termica dell’elettrone in banda di conduzione ( lacuna in banda valenza)
5. n densità efficace di elettroni in banda di conduzione ( lacune in banda di valenza)
2
ne 2 < τ m > n pe < τ m > p
σ = σn +σ p = *
+ *
= neµ n + peµ p
mn mh
con: µn,p = mobilità di elettroni in banda di conduzione ( lacune in banda di valenza )
e < τ m >n, p
µn, p =
mn*, p
Dipendenza da T di τm
r
 ε 
In generale τm dipende dall’energia del portatore e dalla temperatura: τ m = τ 0  
 K BT 
Con r esponente che varia da -1/2 ( scattering da vibrazioni reticolari acustiche ) a

+3/2 ( scattering da impurezze ionizzate ). Facendo la media di τm sulla distribuzione
di velocità dei portatori per un semiconduttore non degenere ( quindi utilizzando la
statistica di Maxwell Boltzmann ) si ottiene la seguente espressione per <ττm>:
3/ 2 ε
4
∞
 ε  −  ε  4 3
∫ τ m    
K BT
< τ m >= e d  → <τm > =τ0 (r + )!
3 π 0  K BT   K BT  3 π 2
Con τ0 fattore di proporzionalità in generale dipendente da T. Dato che <ττm> è
contenuto nella mobilità può però essere utile esprimere direttamente la
dipendenza da T di µ:
e < τ m > n, p
µn, p =
mn*, p
Dipendenza della mobilità dei semiconduttori da T,m*, N
Scattering da impurezze neutre. Prevale a T basse quando si ha congelamento dei

portatori nelle impurezze, quindi la maggior parte di esse sono neutre, e il
contributo dei fononi è trascurabile. La mobilità risulta indipendente da T,
inversamente proporzionale alla concentrazione di impurezze e linearmente
dipendente dalla massa efficace m*.
Scattering da impurezze ionizzate. Prevale per elevate concentrazioni di impurezze,
a medio/alta T quando sono tutte ionizzate. La mobilità risulta dipendente da T3/2,
inversamente proporzionale alla concentrazione di impurezze ionizzate NI e
proporzionale a m*-1/2 .
Scattering da vibrazioni reticolari. A bassa T il modo di vibrazione acustico prevale

su quello ottico. In questo caso la mobilità risulta dipendente da T-3/2 ( acustiche, T-
1.67 per quelle ottiche ). Nel modo acustico è anche proporzionale a m-5/2, da cui si ha
elevata mobilità per piccola massa efficace. Lo scattering da fononi ottici è
importante nei cristalli ionici.

Andamento con la temperatura delle mobilità di elettroni e
lacune in alcuni semiconduttori
In generale si hanno più fenomeni il cui effetto si combina, si tiene conto di una
media sulla mobilità tipo: 1 n
1 che include i vari meccanismi di
scattering. µ
=
µ
∑i =1 i

Mobilità in Silicio al variare di T Mobilità in Silicio a T ambiente
Diminuzione della mobilità all’aumentare della concentrazione del drogante (n

=ND+, p=NA-) dovuta a scattering da impurezze ionizzate. La differenza nelle
mobilità per uno stesso tipo di portatore in diverso tipo di diverso tipo di Si ( n o
p) parzialmente dovuta a interazioni tra i portatori carichi.

Dipendenza della conducibilità elettrica dalla Temperatura in semiconduttore
ne 2 < τm >
σ= = neµ
m*
La dipendenza della mobilità da ~ T-2 è particolarmente visibile nel regime

estrinseco, dove n è costante.


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Fisica dello Stato Solido

Trasporto elettrico in metalli e semiconduttori

Prof. Mara Bruzzi

Prof. Mara Bruzzi – Lezione n. 11 - Fisica dello Stato Solido

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n [cm-3] εF [eV] kF [cm-1] vF [cm/s] TF [K]

Li 4.6 1022 4.7 1.1 108 1.3 108 5.5 104

Na 2.5 1022 3.1 0.9 108 1.1 108 3.7 104

K 1.34 1022 2.1 0.73 108 0.85 108 2.4 104

Ag 5.76 1022 5.5 1.19 108 1.38 108 6.4 104

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Allora la densità di corrente è il vettore di espressione:

Caso 1. Legge di Ohm

Per B = 0 ωc = 0 e l’equazione si riduce a: J = σ0 E

Equivalente all’espressione di Drude, con : J = − neδ v

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Le formule appena viste si applicano al caso dell’effetto Hall, dove la geometria

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In presenza di F gli elettroni aumentano k in direzione di F, (eventualmente

Problema: Questa interpretazione non riesce a descrivere il caso stazionario, e

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1. Imperfezioni del solido ( disordine reticolare come vacanze, interstiziali,

La legge di Ohm viene quindi re-interpretata considerando le collisioni tra

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Difetti puntuali Difetti puntuali

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La presenza di imperfezioni nel reticolo cristallino può variare

ESEMPI DIFETTI PUNTUALI NEL SOLIDO

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Ossigeno e Carbonio sono impurezze estrinseche incorporate

L’ossigeno è presente in posizione interstiziale ed è elettricamente

Il carbonio è presente in posizione prevalentemente sostituzionale.

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Rispetto alle impurezze shallow sono caratterizzate da una funzioni d’onda

Le proprietà di questi difetti sono in

Alcuni parametri importanti dei dispositivi a semiconduttore sono regolati dalla

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Coefficienti di cattura : cn = nσ n vth c p = pσ p vth (1)

Sia nt la concentrazione di livelli occupati con elettroni. Allora all’equilibrio

Equazioni del bilancio dettagliato

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otteniamo l’espressione dei coefficienti di emissione:

Quindi i coefficienti di emissione dipendono dalla ε c −ε t

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F = forza esterna applicata = -e(E + vxB)

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Nei metalli v = vF che per definizione è indipendente dalla temperatura. In caso di

Scattering da disordine / impurezze reticolari: τc è indipendente da T

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Riconsideriamo ora l’espressione della conducibilità elettrica nel modello di Drude:

m → m* massa efficace al livello di Fermi

Otteniamo per la resistività del metallo:

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La resistività residua, dipendendo

materiale ρ20 [Ohm m] α [°C-1]

Questo effetto è di solito impiegato per la costruzione di termometri a resistenza ( e.g.

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