Capitolo 3

Metalli

Diamo qui alcune proprietà dei metalli che riusciamo a spiegare in parte mediante la teoria
classica dell’elettrone. Un modello elementare che cercava di spiegare le proprietà degli
elettroni nei metalli in maniera classica che fu ideato alla fine dell’800 . Tale teoria è dovuta
a Drude e fu perfezionata in seguito da Lorentz. Il modello si basava sulle conoscenze
dell’epoca. Infatti si conoscevano le proprietà elementari degli elettroni, particelle elementari
appena scoperte, quali la loro massa me = 9.11 · 10−31 kg e la loro carica q = −e = −1.6 ·
10−19 C. In tale modello si consideravano gli elettroni delle particelle praticamente libere
soggette a forze elementari e che obbedivano alle leggi della meccanica classica e dal punto di
vista statistico a leggi simili a quelle usate per spiegare la teoria cinetica dei gas, che aveva
avuto successo per spiegare le proprietà dei gas perfetti.
Dalle proprietà chimiche dei vari elementi, si sapeva che, di tutti gli elettroni Z che apparten-
gono ad un atomo, solo quelli più esterni Zc , responsabili della valenza dei vari elementi,
vengono messi in comune per formare un gas di particelle, praticamente libero, trattenuto
semplicemente dalla superficie esterna del metallo. La tabella seguente esemplifica tali pro-
prietà per alcuni metalli. Le ultime due colonne vengono descritte nel seguito.
Proprietà di alcuni metalli
Elemento Z Zc reticolo a(nm) n(1028 m−3 ) ρ(293 K) (10−8 Ωm) α o C −1
Na 11 1 bcc 0.423 2.64 4.77 0.0052
Cu 29 1 fcc 0.361 8.5 1.68 0.0044
Al 13 3 fcc 0.405 18.1 2.65 0.0048
Fe 26 2 bcc 0.287 17 9.61 0.0061

3.1 Legge di Ohm

Il modello di Drude spiega molto bene una proprietà elementare dei metalli: la legge di
Ohm. In qualsiasi metallo, purché la sua temperatura si mantenga costante, vi è una perfetta
proporzionalità tra corrente che scorre e differenza di potenziale che si sviluppa agli estremi:
V = IR (3.1)
Se la sezione del conduttore è costante e vale S e la lunghezza vale l possiamo scrivere che:
l
R=ρ (3.2)
S
51
Dove ρ è detta resistività del materiale. Tale legge si traduce a livello microscopico in:
~ = ρJ~
E (3.3)

scritta spesso anche come:

J~ = σ E
~
Dove σ detta conducibilità è l’inverso della resistività. Infatti se la sezione del metallo è
costante la differenza di potenziale agli estremi del conduttore è proporzionale al campo
elettrico, interno al conduttore, che é diretto secondo la normale alla sezione del conduttore
stesso (n̂), cioé:
~ = V n̂
E
l
Mentre la corrente I è legata alla densità di corrente dalla relazione:
I
J~ = n̂
S
Sostituendo le ultime due espressioni nelle equazioni 3.1 e 3.2 si ottiene l’espressione micro-
scopica della legge di Ohm eq.3.3.
Ma essendo J~ = nq~vd si ha anche che:
~ = ρJ~ = nqρ~vd
E (3.4)

Dove n è il numero dei portatori (calcolati ad esempio nella tabella precedente), q è la carica
dei portatori di carica.
Il modello di Drude ipotizza che la forza elettrica venga esattamente bilanciata da una forza
di attrito viscoso, in maniera tale che la velocità di drift degli elettroni è proporzionale al
campo elettrico localmente presente nel conduttore. Il fatto che la legge di Ohm valga nei
conduttori per qualsiasi valore di corrente iniettata significa che l’attrito viscoso è esatta-
mente proporzionale alla velocità istantanea (a differenza del mondo macroscopico in cui la
proporzionalità esiste solo nel limite di basse velocità). Risulta naturale quindi per dare un
migliore senso fisico definire un tempo τ che dà l’entitá di tale forza viscosa:
~vd
F~v = −me
τ
In maniera tale che l’equilibrio tra la forza di trascinamento dovuta al campo elettrico e
l’attrito viscoso si traduca in:
qE~ = me ~vd
τ
m
~ = e ~vd
E (3.5)
qτ
Dall’eguaglianza tra 3.4 ed 3.5 segue che:
me
nqρ =
qτ
me
τ=
nq 2 ρ
Per i metalli dati in tabella all’inizio del capitolo riassumo nella tabella seguente i valori di τ

52
 Tempo di rilassamento
Elemento n(10 m−3 ) ρ(293 K) (10−8 Ωm) τ (10−14 s)
28

Na 2.65 4.77 2.8

Cu 8.47 1.68 2.5
Al 18.1 2.65 0.74
Fe 17 9.61 0.22

come si vede i tempi di rilassamento assumono valori molto piccoli rispetto alla scala tem-
porale umana.

La velocità di drift per qualsiasi campo ragionevole ha valori piccolissimi sulla scala delle
velocitá del mondo macroscopico: si consideri un filo di Rame di sezione S = 1 mm2 che
venga percorso da una corrente di I = 10 A (un valore al limite delle possibilità del filo) la
velocià di drift è appena:
I
|vd | = = 7.4 · 10−4 m/s
Snq
ed il campo elettrico all’interno del metallo ha un valore di:
I
|E| = ρ = 0.168 V /m
S

La velocità di drift non può essere confusa con la velocità quadratica media, che dovrebbero
avere gli elettroni a causa della agitazione termica, tale velocità applicando regole simili alla
teoria cinetica dei gas dovrebbe valere:
1 3
me vt2 = kB T
2 2
Cioé a temperatura ambiente T = 300 K tale velocitá vale:
r
p 3kB T
vt2 = = 1.1 · 105 m/s
me
Il valore cosı̀ elevato della velocità termica apparentemente spiega perché in un filo elettrico,
quando la propagazione dei segnali non è spiegabile con la propagazione di onde elettroma-
gnetiche in una linea di trasmissione, la trasmissione dei segnali elettrici avviene in maniera
estremamente rapida. Ma in realtà tale rapiditá sembrerebbe legata alla temperatura di
lavoro, si dovrebbe avere una forte variazione con la temperatura della velocità di trasmissione
dei segnali, questa é la prima contraddizione del modello.
La legge di Ohm vale non solo per i metalli, ma in vasto intervallo di campi elettrici anche
per i semiconduttori. Come vedremo essendo il numero dei portatori di un semiconduttore
una grandezza fortemente variabile sia con la preparazione, che le condizioni di lavoro nei
semiconduttori si preferisce parlare di mobilità: la costante di proporzionalità tra campo
elettrico e velocità di drift.

53
La legge di Ohm vale in realtà qualsiasi sia
la forma del conduttore. In particolare vale
per i film sottili, in tali casi difficilmente la
si riesce ad esprimere nella maniera semplice
di 3.2.
Un caso semplice è quello mostrato in figura
3.1, in cui si hanno 4 elettrodi (puntiformi)
allineati ed equispaziati a distanza d, nei due
estremi si inietta la corrente e nei due centrali
si misura la tensione. In tale caso, se h è lo Figura 3.1: Schema della misura a 4 contatti
spessore del film: di resistività.

Vh
ρ = FC
I

Dove FC è un fattore correttivo, adimensionale, di valore compreso tra 2π/3 (dimensioni del
film molto grande rispetto a d) e 1 caso del filo monodimensionale.
La misura delle resistività dei film ha una grossa importanza nello studio della qualità dei
film prodotti. Negli anni ’501 si è trovato che disponendo gli elettrodi sul bordo del film ed
iniettando la corrente tra due elettrodi e leggendo la d.d.p. tra gli altri due, se si scambiano i
collegamenti in maniera opportuna i contatti in cui si inietta la corrente con quelli di tensione,
mediante un semplice algoritmo matematico è possibile sapere con precisione la resistività
del materiale indipendentemente dalla geometria del film. Tale metodo viene comunemente
usato nella industria dei semiconduttori per conoscere la resistività dei film.

3.1.1 Variazione della resistività con la temperatura

Sperimentalmente si trova che la resistività elettrica nella maggior parte dei metalli sia
esprimibile come somma di due termini:

ρ = ρi + ρT

Il primo termine dipende dal processo di fabbricazione (purezza, cristallinità, difetti etc.) ed
è indipendente dalla temperatura, mentre il secondo varia con la temperatura e dipende solo
dal metallo che si sta utilizzando. In particolare ρT a temperatura molto bassa (qualche K)
è praticamente nullo in tutti i metalli e quindi domina il primo termine. Il secondo termine
dipende a temperatura ambiente in maniera lineare con la temperatura con una legge del
tipo:
ρT = ρo (1 + αT )
Dove ρo è la resistività a 0 O C, α viene detto coefficiente di temperatura e T viene espresso in
gradi centigradi onde rimarcare la validità della espressione solo nell’intorno di temperatura
ambiente. Nella prima tabella del capitolo sono date assieme alle resistività anche i coeffi-
cienti di temperatura di alcuni metalli a temperatura ambiente. Come si vede i coefficienti
di temperatura sono abbastanza simili per i vari metalli. Sulla base del modello classico si
comprende come a temperatura ambiente (300 K) la collisione degli elettroni di conduzione
1
L.J: van der Pauw, Philips Res. Rep. 13, 1 (1958)

54
con i fononi del reticolo cristallino sia il meccanismo dominante che limita il tempo di rilas-
samento τ . Mentre a temperatura molto bassa o nelle leghe (con quindi un alto grado di
impurezze) dominano le collisioni con i difetti. Una cosa che non torna nel modello classico
è la ragione per cui dalla variazione lineare della resistività con la temperatura si passi ad
una diminuzione molto più brusca (T 3 ) quando si è a temperatura bassa (il valore di tale
temperatura dipende dal materiale, ma in genere è molto minore di temperatura ambiente).
Nel seguito vedremo come tale temperatura si chiami temperatura di Debye che dipende
dallo spettro fononico.
Per quanto riguarda i semiconduttori il comportamento della resistività con la temperatura
è assolutamente inspiegabile con il modello classico. Quello che si trova è una variabilità
enorme con il grado di preparazione, non paragonabile in nessuna maniera con i metalli ed
una enorme variazione della resistenza con la temperatura, ma in senso opposto a quello dei
metalli: infatti i semiconduttori diminuiscono la loro resistenza al crescere della temperatura.
I semiconduttori saranno trattati a parte nel seguito.

3.1.2 Resistività in c.a.

Il modello microscopico della legge di Ohm si può estendere facilmente in corrente alternata
considerando un campo elettrico variabile nel tempo con la legge esponenziale già vista:

E = Eω exp(−jωt)
√
Notiamo che solo qui usiamo j = −1, per non fare confusione con la corrente, mentre nel
resto delle lezioni si usa i. Considerando l’equazione della dinamica di un singolo elettrone :
dv mv
m =− − eEω exp(−jωt) (3.6)
dt τ
Imponendo che la soluzione sia del tipo:

v = vω exp(−jωt)

segue che:
mvω
−jωmvω = − − eEω
τ
da cui:
mvω
(1 − jωτ ) = −eEω
τ
Se chiamo, estendendo il concetto di densità di corrente:

Jω = −nevω

segue la generalizzazione della legge di Ohm in corrente alternata:

m
(1 − jωτ )Jω = Eω
ne2 τ
~ = ρ(ω)J~
E
con:
m
ρ= (1 − jωτ ) = ρo (1 − jωτ )
ne2 τ
55
La presenza di τ fa sı̀ che vi sia uno sfasamento tra corrente e tensione, e questo con l’algebra
dei numeri complessi si esprime mediante una resistività complessa. Solo quando ωτ ≈ 1 si
hanno effetti connessi con la parte complessa della resistenza. Ma abbiamo visto come τ sia
dell’ordine di frazioni di ps per cui solo a frequenze molto elevate (infrarosso) si hanno effetti
connessi con la parte complessa della resistività.

3.1.3 Equazioni di Maxwell nei metalli ed effetto pelle

Lo studio della propagazione delle onde e.m. nei metalli parte dalle equazioni di Maxwell:
~ ·E
∇ ~ =0

~ ·B
∇ ~ =0
~
~ ×E
∇ ~ = − ∂B
∂t
~ ~ ~
~ = 1 ∂ E + µo J~ = 1 ∂ E + µo E
~ ×B
∇
c2 ∂t c2 ∂t ρ(ω)
Nell’ultima equazione si hanno nel membro di destra un termine dovuto alla corrente di
spostamento e uno alla corrente di conduzione. A causa dei valori estremamente bassi delle
resistività la corrente di spostamento è trascurabile nei conduttori, finchè:
ω µo
2

c ρo
1
ω
 o ρo
Se anche ρ = 0.1 Ωm (un semiconduttore) essendo o = 8.85 10−12 F/m segue che:

ω  1012 rad/s

Quindi frequenze al di sopra delle microonde.

Invece della equazione delle onde si ha che la combinazione delle equazioni di Maxwell de-
termini (una equazione simile a quella della diffusione):
~
µo ∂ E
~ =
∇2 E (3.7)
ρ(ω) ∂t
Approssimando ρ(ω) con ρo . L’equazione 3.7 diviene:
~
µo ∂ E
~ =
∇2 E (3.8)
ρo ∂t
Se si cercano soluzioni dell’equazione tipo onde piane, considerando nel caso unidimensionale:

E = Eo e−j(kx−ωt) (3.9)

Sostituita nella 3.8:

ωµo
k 2 E = −j E
ρo

56
 ωµo ωµo (1 − j)2
k 2 = (−j) =
ρo ρo 2
Infatti se sviluppo:
(1 − j)2 (1 − 2j + j 2 ) 1 − 2j − 1
= = = −j
2 2 2
Quindi:
1−j
r
µo ω
k= (1 − j) =
2ρo δ
Dove definisco: r
2ρo
δ=
µo ω
quindi l’espressione 3.9 dell’onda piana esplicitando la parte complessa di k diviene:
E = Eo e−x/δ e−j(x/δ+ωt)
Quindi l’onda elettromagnetica viene attenuata di 1/e in uno spessore δ. Questo effetto di
attenuazione dei segnali alternati dal primo strato di un metallo va sotto il nome di effetto
pelle. Riguarda sia la propagazione di onde e.m. nei metalli che la propagazione di segnali
elettrici alternati nei conduttori. L’effetto pelle è una proprietà sperimentale ben nota ed in
ottimo accordo con questa teoria. Nel rame ad una frequenza di 1.6M Hz corrisponde un δ
di 50µm. Nell’acqua già a 160 Hz δ vale 50 m.
A causa dell’effetto pelle sotto la superficie del mare non è possibile captare segnali radio,
come all’interno delle gallerie la conducibilità elettrica della terra sovrastante impedisce la
propagazione di onde radio. Inoltre nel progetto di circuiti risuonanti ad alta frequenza
la dimensione del filo costituente le bobine deve crescere con la frequenza usata. Infatti
all’aumentare della frequenza diminuendo lo spessore dello strato che viene percorso dalla
corrente elettrica all’aumentare della frequenza aumenta la resistività elettrica per unità di
lunghezza e quindi solo l’aumento di diametro del filo compensa tale diminuzione di fattore
di merito globale.

3.2 Effetto Hall

Un ulteriore successo, parziale, del modello

è la spiegazione del fatto che nei metalli
percorsi da corrente elettrica immersi in un
campo magnetico si sviluppa una d.d.p. nella
direzione mutuamente perpendicolare alla Figura 3.2: Schema della misura mediante
corrente e alla direzione del campo. l’effetto Hall.
La spiegazione sulla base del modello è
basato sull’uso dell’espressione della forza di
Lorentz ( vista a Fisica II).
Infatti tale forza prevede che una particella carica in moto con velocità ~vd in presenza di un
campo elettrico E ~ e magnetico B~ sia soggetta alla forza:

F~L = q(E
~ + ~vd ∧ B) (3.10)

57
Per semplicità consideriamo una caso semplice, una lastrina di metallo di spessore h, larghezza
w e lunghezza l (non mostrata nella figura a fianco) attraversata nella direzione x da una
corrente elettrica (caratterizzata per quanto abbiamo visto da una velocità di drift ~vd ), se
nella direzione dello spessore della lastra applichiamo un campo magnetico. Tale campo ten-
derebbe a deviare la traiettoria degli elettroni aumentando la loro densità nella direzione della
lastrina non visibile in figura. Tale processo di accumulo di cariche genera nella direzione y
un campo elettrico e si raggiunge la condizione di equilibrio dinamico quando:

Ey − vd Bz = 0 (3.11)
Il segno − in ~vd tiene conto del fatto che gli elettroni essendo di carica negativa hanno
una velocità di drift opposta alla direzione della corrente elettrica. I tempi caratteristici di
raggiungimento dell’equilibrio dinamico sono dell’ordine di τ , quindi il fenomeno ci appare
avvenire istantaneamente. Sostituendo nella eq. 3.11 l’espressione della densità di corrente:
Jx Bz
Ey = −
ne
Tale campo elettrico è costante nella direzione y e quindi integrandolo si ha che tra la faccia
posteriore e anteriore della lastra si sviluppa una d.d.p. pari a:
Jx Bz w
Vy = −
ne
Ma la densità di corrente è pari a: Jx = I/(wh). Quindi:
IBz w
Vy = −
whne
Vy h 1
RH = =−
IBz ne
Quindi dalla misura del coefficiente di Hall RH possiamo risalire sperimentalmente al valore
di ne calcolato all’inizio a partire da valori strutturali.
Effetto Hall
Elemento n(1028 m−3 ) −1/ne (m3 /C) × 10−10 RH (m3 /C) × 10−10
Na 2.65 2.35 2.5
Cu 8.47 0.74 0.55
Al 18.1 0.3 -1
Fe 17 0.37 -0.3
Dai dati in tabella si evince chel’accordo sia molto qualitativo. Infatti il Sodio come tutti
metalli alcalini è in accordo soddisfacente con il modello. Per il rame l’accordo è solo qualita-
tivo. Mentre per quanto riguarda l’Alluminio ed il Ferro addirittura non torna il segno della
carica degli elettroni. La misura di effetto Hall in realtà nei metalli è difficilmente eseguibile:
tanto per avere una idea una lastrina di rame a sezione quadrata di 1mm × 1mm percorsa
da una corrente di 10 A immersa in un campo magnetico normale di 1 T ( un campo molto
intenso che si riesce a produrre solo in laboratori specializzati), genera sulle facce opposte
alla direzione del campo e della corrente una d.d.p. di solo 550 nV . Una d.d.p. di questo tipo
richiede strumentazione particolare per potere essere misurata. Il valore cosı̀ piccolo delle
d.d.p. sviluppato dipende dal fatto che n nei metalli sia molto elevato, nei semiconduttori in
cui n è molto più piccolo l’effetto Hall è facilmente utilizzato proprio per misurare il numero
di portatori di carica, come anche per fabbricare semplici magnetometri.

58
3.3 Conducibilità termica
I solidi rispettano la cosidetta legge di
Fourier che scritta in forma semplificata in
una dimensione dice che dato un cilindro di
sezione S e lunghezza l ai cui estremi sono
poste due sorgenti di calore rispettivamente
a temperatura T e T + dT .
La quantità di calore che passa nel tempo dt
Figura 3.3: Definizioni utili per la misura
vale:
S della conducibilità elettrica
dQ = k dT dt
l
Dove k è detta conducibilità termica. L’esperienza quotidiana ci rivela come un materi-
ale buon conduttore elettrico sia anche un buon conduttore termico e questo effetto viene
empiricamente stabilito dalla legge di Wiedemann-Frantz che stabilisce che in tutti i metalli:
kρ
=L (3.12)
T
La costante L detta costante di Lorentz, in effetti sperimentalmente si trova come la va-
lidità di tale legge empirica sia buona, viene mostrato nella figura seguente cosa si trovi
sperimentalmente:
Valore sperimentale della costante di Lorentz
Elemento L(T = 0o C) × 108 ΩW K −2 L(T = 100o C) × 108 ΩW K −2
Ag 2.31 2.37
Au 2.35 2.40
Cu 2.23 2.33
Pb 2.47 2.56
Sn 2.52 2.49

Dai dati in tabella si vede come tale legge sia ben rispettata. Un grande successo della teoria
dell’elettrone classico è stato il mostrare che, da semplici ragionamenti classici basati sulla
energia media statistica degli elettroni, ci si aspetti che per tutti i metalli la costante di
Lorentz valga:  2
3 k
L= = 1.11 · 10−8 ΩW K −2
2 e
In buon accordo con il valore sperimentale, ad onor del vero circa la metà del valore speri-
mentale.

3.4 Capacità termica del gas di elettroni

Il modello classico dell’elettrone ha una chiara incongruenza macroscopica: la capacità ter-
mica dei metalli. Abbiamo visto che a seguito della legge di Dulong-Petit tutti i solidi hanno
un calore specifico molare pari a 3R. Ci si aspetterebbe quindi che essendo presenti in una
mole di metallo anche NA Zc particelle libere, gli elettroni di conduzione debbano contribuire

59
significatamente alla energia interna. L’energia interna dei metalli dovrebbe avere un termine
in più elettronico:
3 3
Ue = NA kT Zc = RT Zc
2 2
e quindi il calore specifico per mole dovuta al solo gas di elettroni di conduzione, la derivata
di tale espressione rispetto alla temperatura dovrebbe essere pari a:
3
ce = RZc
2
In definitiva il calore specifico molare dei metalli dovrebbe essere:
3
cth = 3R + RZc (3.13)
2
La tabella seguente illustra come tale comportamento sia completamente diverso dal va-
lore sperimentale. Infatti nella seconda colonna sono dati i calori specifici sperimentali di
alcuni elementi e nelle ultima colonna viene riportato il valore appena calcolato dato in
equazione 3.13, si ricorda che quanto aspettato dalla semplice legge di Dulong Petit vale
3R = 24.9 J/(moleK):

Capacità termica molare

Elemento cexp (J/moleK) Zc 3R + 3/2RZc (J/moleK)
Na (Sodio) 28.23 1 37
Cu (Rame) 24.4 1 37
Al (Alluminio) 24.2 3 62
Fe (Ferro) 25.1 2 49.3
P (Fosforo) 23.8 isol. 24.9
S (Zolfo) 22.7 isol. 24.9
As (Arsenico) 24.6 isol. 24.9

La conclusione è che la legge di Dulong Petit vale a temperatura ambiente indipendentemente

dal fatto che il materiale sia conduttore od isolante. Gli elettroni non si comportano come
particelle classiche in quanto il loro calore specifico a temperatura ambiente è apparentemente
trascurabile.

60