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Esame di Elementi di Elettronica 13-7-2010 Nome Cognome 

1) Scrivere la seguente funzione come somma canonica e come somma minima

    
A   B  D  A  B  D  A  C   A  B   C  A  A  C  A B  A C  B  C
 

Somma canonica + ++++
Somma minima + ++++
2) Utilizzando la mappa di Karnaugh, 1) individuare tutti gli implicanti primi, 2) ricavare l’espressione della funzione F come somma minima,
3)ricavare l’espressione della funzione F come prodotto minimo. ON-set = (2,4,6,13,14) DC-set = (10,12)

IMPLICANTI PRIMI: , , , AB


CD
, , , ,
SOMMA MINIMA:  +  + 
+  +  +  + 
PRODOTTO MINIMO:     
       
3) Trovare i valori di X1, X2, X3, X4 affinchè il circuito implementi la funzione S  A B  C
X1
X1=
X2
X2= X3
X3= X4 S

X4=
A A B B

4) Disegnare il circuito CMOS che implementa la funzione F  A B  C   D





5) Dati Vdd=5V, Vin=2V , VTHN=1V, 12=200A/V2 R1= R2= 10k  Vdd
trovare: la zona di funzionamento dei MOSFET e le seguenti tensioni e correnti  IR1 R1
IR2
M1: SAT TRI OFF M2: SAT TRI OFF Vin Vout

R2
ID1= , A, ID2= , A,

V out= , V, IR1= , A, IR2= , A, M1 M2


6) Trovare i parametri differenziali del circuito dell’esercizio 5 e disegnare il circuito equivalente

gm1= , S,

go1= , S,

gm2= , S,

go2= , S,

7) Trovare il guadagno di tensione del circuito dell’es. 5


vout/ vin = , (in forma simbolica) vout/ vin =
Esame di Elementi di Elettronica 13-7-2010 Nome Cognome 
1) Scrivere la seguente funzione come somma canonica e come somma minima

    
C   B  D  C  B  D  A  C   C  B   A  C  C  A  C  B  C  A  A  B
 

Somma canonica + ++++
Somma minima + ++++
2) Utilizzando la mappa di Karnaugh, 1) individuare tutti gli implicanti primi, 2) ricavare l’espressione della funzione F come somma minima,
3)ricavare l’espressione della funzione F come prodotto minimo. ON-set = (3,5,9,10,11) DC-set = (1,8)
AB
IMPLICANTI PRIMI: , , , CD
, , , ,
SOMMA MINIMA:  +  + 
+  +  +  + 
PRODOTTO MINIMO:     
       
3) Trovare i valori di X1, X2, X3, X4 affinchè il circuito implementi la funzione S  A B  C
X1
X1=
X2
X2= X3
X3= X4 S

X4=
A A B B

4) Disegnare il circuito CMOS che implementa la funzione F  A  B  C  D






5) Dati Vdd=5V, Vin=2V , VTHN=1V, 12=200A/V2 R1= R2= 20k  Vdd
trovare: la zona di funzionamento dei MOSFET e le seguenti tensioni e correnti  IR1 R1
IR2
M1: SAT TRI OFF M2: SAT TRI OFF Vin Vout

R2
ID1= , A, ID2= , A,

V out= , V, IR1= , A, IR2= , A M1 M2



6) Trovare i parametri differenziali del circuito dell’esercizio 5 e disegnare il circuito equivalente

gm1= , S,

go1= , S,

gm2= , S,

go2= , S,

7). Trovare il guadagno di tensione del circuito dell’es. 5


vout/ vin = , (in forma simbolica) vout/ vin =
Esame di Elementi di Elettronica 13-7-2010 Nome Cognome 
1) Scrivere la seguente funzione come somma canonica e come somma minima

    
A  C  D  A  C  D  A  B   A  C   B  A  A  B  A  C  A  B  B  C
 

Somma canonica + ++++
Somma minima + ++++
2) Utilizzando la mappa di Karnaugh, 1) individuare tutti gli implicanti primi, 2) ricavare l’espressione della funzione F come somma minima,
3)ricavare l’espressione della funzione F come prodotto minimo. ON-set = (4,7,8,12,14) DC-set = (0,6)
AB
IMPLICANTI PRIMI: , , ,
CD
, , , ,
SOMMA MINIMA:  +  + 
+  +  +  + 
PRODOTTO MINIMO:     
       
3) Trovare i valori di X1, X2, X3, X4 affinchè il circuito implementi la funzione S  A C
X1
X1=
X2
X2= X3
X3= X4 S

X4=
A A B B

4) Disegnare il circuito CMOS che implementa la funzione F  A   B  C  D






5) Dati Vdd=5V, Vin=2V , VTHN=1V, 12=200A/V2 R1= R2= 30k  Vdd
trovare: la zona di funzionamento dei MOSFET e le seguenti tensioni e correnti  IR1 R1
IR2
M1: SAT TRI OFF M2: SAT TRI OFF Vin Vout

ID1= , A, ID2= , A,


R2

V out= , V, IR1= , A, IR2= , A, M1 M2



6) Trovare i parametri differenziali del circuito dell’esercizio 5 e disegnare il circuito equivalente

gm1= , S,

go1= , S,

gm2= , S,

go2= , S,

7).. Trovare il guadagno di tensione del circuito dell’es. 5


vout/ vin = , (in forma simbolica) vout/ vin =
Esame di Elementi di Elettronica 13-7-2010 Nome Cognome 
1) Scrivere la seguente funzione come somma canonica e come somma minima

     
A B  D  A  B  D  A C  A  B   C  A  A  C  A B  A C  B  C
   
Somma canonica + ++++
Somma minima + ++++
2) Utilizzando la mappa di Karnaugh, 1) individuare tutti gli implicanti primi, 2) ricavare l’espressione della funzione F come somma minima,
3)ricavare l’espressione della funzione F come prodotto minimo. ON-set = (0,1,3,9,15) DC-set = (2,11)
AB
IMPLICANTI PRIMI: , , ,
CD
, , , ,
SOMMA MINIMA:  +  + 
+  +  +  + 
PRODOTTO MINIMO:     
       
3) Trovare i valori di X1, X2, X3, X4 affinchè il circuito implementi la funzione S  A B C
X1
X1=
X2
X2= X3
X3= X4 S

X4=
A A B B

4) Disegnare il circuito CMOS che implementa la funzione F  A  B  C  D





5) Dati Vdd=5V, Vin=2V , VTHN=1V, 12=200A/V2 R1= R2= 40k 
Vdd
trovare: la zona di funzionamento dei MOSFET e le seguenti tensioni e correnti  IR1 R1
IR2
M1: SAT TRI OFF M2: SAT TRI OFF Vin Vout

ID1= , A, ID2= , A, R2

V out= , V, IR1= , A, IR2= , A, M1 M2



6) Trovare i parametri differenziali del circuito dell’esercizio 5 e disegnare il circuito equivalente

gm1= , S,

go1= , S,

gm2= , S,

go2= , S,

7)… Trovare il guadagno di tensione del circuito dell’es. 5


vout/ vin = , (in forma simbolica) vout/ vin =
soluzione Esame di Elementi di Elettronica 13-7-2010

1) A canonica
A B C  D  A B  C  D  A B C  D  A B  C  D 
A B  C  D  A B  C  D  A B  C  D  A B  C  D  A B  C  D  A B  C  D  A B  C  D  A B  C  D 
minima A B  C
Passaggi:

  
A   B  D  A  B  D  A  C   A  B   C  A  A  C  A  B  A  C  B  C
 
  =
= 
A   B  D  A  B  D  A  C  A  B   C 1  C  A  B  A  C =
= 
A   B  D  A  B  D   C  1 A  B  A  = A  B   D  D   C = A  B  C
1) B minima B C  A
A
1) C minima A C  B AB
CD 00 01 11 10
1) D minima A B  C 00 1 d
04 12 8

2)A implicanti primi A C  D, B  D, A  B  C , somma min. C  D  B  D  A B C , 01 1 5


1 13 9
D
prodotto min.  A  D   B  C   C  D C
11 3 7

10 1 2 1 6 1 14 d 10
15 11

3) A B C D

A B C S S' A B C S S' A B C S S' A B C S S'


0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1
X1=C’ X1=1 X1=1 X1=C’
0 0 1 1 0 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0
0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0
X2=C’ X2=1 X2=1 X2=0
0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 0
1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 0 0 1 0
X3=C’ X3=1 X3=C’ X3=0
1 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 1 1 0
1 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 0 1 1 1 0 1 0
X4=0 X4=C’ X4=C’ X4=0
1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0

4)

C
A B D

F
A
B C

D
5-7) M1: SAT M2: SAT

vin vout

R2

gm1 vout gm2 vin


R1

1 1
g m 2 vin  vout   vin  vout 
R1 R2
1
 gm2
R2 R  g m 2 R1 R2
vout  vin  vin 1
1 1 R1  R2

R1 R2

5-7) A
ID1= 400 A, ID2= 100 A, IR1= 200 A, IR2= 100 A, V out= 3 V
gm1=0 S, go1=0 S, gm2= S, go2=0 S Av = -0,5

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