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1 MOS 5 Rumore
ID saturazione ID = µCox W
2 L (Vov )2 (1 + λVDS ) Media vn (t)
2
h i
µCox W VDS
ID triodo ID = 2 L (VGS − Vt ) VDS − 2 Varianza = Potenza Statistica vn2 (t) = σ 2
q q
gm = µCox W
L VOV = V2IOV
D
= 2ID µCox W L Valore RMS vn2 (t) = σvn
ηL 2
vn
Resistenza di uscita r0 = ID Densità spettrale di potenza (PSD) Svn (f ) = ∆f
gm
efficienza di transconduttore ID Resistenza vn2 = 4kB T RB i2n = 4kB T GB
gm 3µ i2th
frequenza di transito ωT = Cgs = V
2L2 OV MOS termico S(f ) = ∆f = 4kB T γgd0 = 4kB T αγ gm
γ
Fattore di corrente β = k 0 W
L α ≈ 2 oppure ≈ 2
3
i21/f Kf ID 1
Rumore flicker ∆f = L2 Cox f
Kf V∗
2 Amplificatore cascode Frequenza di corner f co = γ 2
4kB T α L 2
βCG ≈ 1 → Gm = gm1 2 =
RC parallelo vo,n KB T
C
0 r
Gm Z0 = Gm R0 ≈ gm1 r01 gm2 02
6 OTA a 5 MOS
3 Modello a canale corto con feedback capacitivo:
θ1
θ = θ0 + L Gm = gm1
Vout Cs
CM RR = | A
Acm | ≈ 1 + (gm + gmb )2Rtail
dm A∞ = Vin = −C f
1
T0
H0 = A∞ 1+T 0
con T0 = βGm R0 d = e−ts /τ −→ ts = − ω1c ln(d )
1 1 Itail
errore di guadagno statico 0 = 1+T0 ≈ T0 slew rate SR = Ctot
√
Ho Slew Rate solo se |Vx | > 2Vov
7 OTA a 2 stadi T0
V∞ = A∞ 1+T Vstep
0
1 Cx
β = 1 + |A∞ | + Cf
11 Mismatch e offset
Mismatch tra resistori di carico di una coppia
9 Risposta al gradino degli OTA ∆R/R
differenziale: VOS = gm /ID
T0 1 βgm1
H(s) = A∞ 1+T ωC ≈ C
0 1+s/ωC ∆β/β
Mismatch di fattore di corrente: VOS = gm /ID
Ctot OTA a 1 stadio
dove C = T0 = βAv0 Mismatch della tensione di soglia: VOS = ∆Vt
CC OTA di Miller
se sono presenti più offset, si sommano.
T0 Mismatch nello specchio di corrente
Vout (t) = A∞ Vstep 1 − e|−t/τ
| {z } 1 + T0 {z }
errore dinamico
risposta ideale Mismatch di resistenza di Source: VOS = RIout
| {z }
Errore statico
2
∆Iout N Iref −Iout
Errore nella corrente di uscita: Iout = Iout = Figura di Rumore:
gm (VOS1 +VOS2 )
Iout dove VOS1,3 sono gli offset dovuti alla F = 1 + αγ ( ωωT0 )2 gm RS
Rg
resistenza di source e ad una caduta di tensione tra i In presenza di Rg : F = 1 + αγ ( ωωT0 )2 gm RS + RS
R Rp
Q= √ p = ω0 Rp Cp = ω0 Lp
Lp /Cp
15 Oscillatori
1 ω−3dB
In entrambi i casi vale: Q = ω0
Oscillatore di Colpitts:
Adattamento di Impedenza C2
n = 1+ C1 dove C2 è il condensatore collegato a
PL
Guadagno di Trasduttore: GT = Pav,S
massa e in parallelo al source del MOS
cioè la potenza al carico, diviso la massima potenza 2 C1 C2
RT = R|| gnm CT = C + C1 +C2 ω0 = √1
LCT
erogabile dalla sorgente gm RT ngm R
Al = n lo startup richiede Al = n2 +gm R
>1
ˆ = 2Ibias RT
VLO
13 Amplificatori accordati oscillatore differenziale a nMOS
stadio CS con carico RLC parallelo A ω0 = √1 :
LC Se il Q del tank è limitato dall’induttore RT = ω0 LQ
guadagno in tensione A(jω0 ) = −gm RL gm RT
lo startup si ha per 2 >1
ω0 1
banda ω−3dB = =
Q RL C VLO =ˆπ2 RT Ib
1 1
Zin (s) = sCgs + [1 + β(s)]sLs = sCgs + sLs + ωT Ls
|id | = gm Q|Vin |
Q= 1
ω0 RS Cgs −→ | Viin
d
|= 1 ωT
R S ω0
R L ωT
| VVout
in
|= R S ω0
3
16 Capacità e Stadi elementari
1 2
Cgs Col 2 W LCox + Col 3 W LCox + Col
1
Cgd Col 2 W LCox + Col Col
−
xd 1
Cgb W LSi + W LCox 1 0 0
1 W LSi 2 W LSi
Csb Cjsb Cjsb + 2 xd Cjsb + 3 xd
1 W LSi
Cdb Cjdb Cjdb + 2 xd Cjdb
Vo io
Av = Vi βi = ii Zin Zout
gm 1
CS −gm r0 ||ZL sCgs sCgs +sCgd (1−Av0 ) r0 || s(Cgd1+Cdb )
0 Z
gm
0 r ||Z S 1 ZL 0 Z )
CG gm 0 L 1+gm0 Z
S
0 (1
gm + r0 ) r0 (1 + gm S
0
gm ZL gm 1 1
CD 1+gm ZL0 1+ sCgs sCgs (1−Av0 ) 0
gm