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Formulario PCIA

1 MOS 5 Rumore
ID saturazione ID = µCox W
2 L (Vov )2 (1 + λVDS ) Media vn (t)
2
h i
µCox W VDS
ID triodo ID = 2 L (VGS − Vt ) VDS − 2 Varianza = Potenza Statistica vn2 (t) = σ 2
q q
gm = µCox W
L VOV = V2IOV
D
= 2ID µCox W L Valore RMS vn2 (t) = σvn

ηL 2
vn
Resistenza di uscita r0 = ID Densità spettrale di potenza (PSD) Svn (f ) = ∆f

gm
efficienza di transconduttore ID Resistenza vn2 = 4kB T RB i2n = 4kB T GB

guadagno intr. a0 = |A0 | = gm r0 = gm IηL


D
= 2
VOV ηL Svn = 4kB T R

gm 3µ i2th
frequenza di transito ωT = Cgs = V
2L2 OV MOS termico S(f ) = ∆f = 4kB T γgd0 = 4kB T αγ gm

γ
Fattore di corrente β = k 0 W
L α ≈ 2 oppure ≈ 2
3

i21/f Kf ID 1
Rumore flicker ∆f = L2 Cox f

Kf V∗
2 Amplificatore cascode Frequenza di corner f co = γ 2
4kB T α L 2

βCG ≈ 1 → Gm = gm1 2 =
RC parallelo vo,n KB T
C

Zi−1 ≈ sCgs Rumore ota FB capacitivo (n = numero di MOS)


0 r )||[s(C
Z0 = r02 (1 + gm2 − KB T γ
gd2 + Cdb2 )] 1
βCT OT α n
01

0 r
Gm Z0 = Gm R0 ≈ gm1 r01 gm2 02

6 OTA a 5 MOS
3 Modello a canale corto con feedback capacitivo:
θ1
θ = θ0 + L Gm = gm1

V ∗ = 2/(gm /ID ) = VOV (1 + θVOV ) R0 = r01 ||r03


q
gm 2 2 2µCox W ID
= = = s √L
ID VOV (1+θVOV ) V∗ 2ID Cx ≈ Cgs1 + (gm1 R0 )Ggd1
1+θ W
µCox
L
2 Cf
ID = µCox W Vov β= Cf +Cs +Cx
2 L 1+θVov
βgm R0 T0
T (s) = 1+s/ωp = 1+s/ωp

4 Coppia differenziale CT OT = CL + (1 − β)Cf CL include le capacità

Guadagno di modo diff. Adm = −gm (RD ||r0 ) parassite

||r0 [1+(gm +gmb )2Rtail ])


di modo comune Acm = − gm (RD1+(g m +gmb )2Rtail
ωp = 1
R0 CT OT

Vout Cs
CM RR = | A
Acm | ≈ 1 + (gm + gmb )2Rtail
dm A∞ = Vin = −C f

1
T0
H0 = A∞ 1+T 0
con T0 = βGm R0 d = e−ts /τ −→ ts = − ω1c ln(d )

1 1 Itail
errore di guadagno statico 0 = 1+T0 ≈ T0 slew rate SR = Ctot

Ho Slew Rate solo se |Vx | > 2Vov

7 OTA a 2 stadi T0
V∞ = A∞ 1+T Vstep
0

Av (s) = av1 (s)av2 (s) V∞ A∞ Vstep T0


tSR = SR −τ = SR 1+T0 −τ
gm1 R1 gm11 R2
av1 (s) = 1+sR1 C1 av2 (s) = 1+sR2 C2 Itail
per un OTA di Miller SR = CC

R1 = r01 ||r03 R2 = r010 ||r011 V∞


cap. esterna ts = tSR + ts,lin ≈ SR − τ [1 + ln(d )]
z}|{
C1 ≈ Cdb1 + Cdb3 + Cgs11 + Cgd11 (gm11 R2 ) + C10
V∞ = A∞ Vstep
C2 ≈ Cdb10 + Cdb11 + CL0 +(1 − β)Cf
| {z }
CL
Cf
β= Cf +Cs +Cx con Cx ≈ Cgs1 + (gm1 R1 )Ggd1 10 Altro sugli OTA
Telescopic OTA Ro ≈ (r03 gm3 r01 )||(r05 gm5 r07 )

8 OTA di Miller |Av0 | = gm1 R0


Se CC >> {C1 , C2 }
Swing di uscita Vod,max ≈ VDD − 5Vov
1 gm11
ωpd ≈ R1 Cc (gm11 R2 ) ωpnd ≈ C1 +C2 OTA folded cascode Vod,max ≈ VDD − 4Vov
guadagno DC Av0 = gm1 R1 gm11 R2 |ID5 | Itail
Bias ID1A = ID11 − |ID5 |/2 con 2 = 2
gm11 1 
ωpnd = C1 C2 ≈ 1

C C
Cc
+C2 +C1 ωT 11
1+ C2 + g 2 |Av0 | = gm1 R0
c m11
βgm1
ω−3db ≈ ωc ≈ T0 ωpd = Cc
R0 = r01A gm1A (r01 ||r011 )||r03A gm3A r03
T0 = βgm1 R1 gm11 R2
1
ωpd = R0 Ctot ωpnd = gm3(1A) /Cp
C1 +C2
Cancellazione zero-polo RZ ≈ gm11 Cc
active cascode R0 ≈ r02 gm2 r01 (1 + av )
1
Trasf. in zero a parte reale negativa Rz > gm11

1 Cx
β = 1 + |A∞ | + Cf
11 Mismatch e offset
Mismatch tra resistori di carico di una coppia
9 Risposta al gradino degli OTA ∆R/R
differenziale: VOS = gm /ID
T0 1 βgm1
H(s) = A∞ 1+T ωC ≈ C
 0 1+s/ωC ∆β/β

 Mismatch di fattore di corrente: VOS = gm /ID
Ctot OTA a 1 stadio


dove C = T0 = βAv0 Mismatch della tensione di soglia: VOS = ∆Vt


CC OTA di Miller


se sono presenti più offset, si sommano.
 
T0 Mismatch nello specchio di corrente
Vout (t) = A∞ Vstep 1 − e|−t/τ 
| {z } 1 + T0 {z }
errore dinamico
risposta ideale Mismatch di resistenza di Source: VOS = RIout
| {z }
Errore statico

2
∆Iout N Iref −Iout
Errore nella corrente di uscita: Iout = Iout = Figura di Rumore:
gm (VOS1 +VOS2 )
Iout dove VOS1,3 sono gli offset dovuti alla F = 1 + αγ ( ωωT0 )2 gm RS
Rg
resistenza di source e ad una caduta di tensione tra i In presenza di Rg : F = 1 + αγ ( ωωT0 )2 gm RS + RS

gate dello specchio Common Gate: F = 1 + αγ gm RS = 1 + γ


α

12 RLC e Matching 14 Mixer


1 Guadagno di conversione: GC = π2 gm RD
RLC Serie Impedenza Z = RS + jωLS + jωCS
P+∞ jωLO t
LO feedthrough: RD IQ −∞ Mk e
Frequenza di risonanza ω0 = 2πf0 = √ 1
LS CS

L /C ω0 LS Con una cella di Gilbert double-balanced cancello
Fattore di qualita’ Q = RSS S = ω0 R1S CS = RS
l’LO feed, ho lo stesso guadagno di conversione ma
Guadagno di risonanza V0 = Q|VS |
consumo il doppio
RLC Parallelo

R Rp
Q= √ p = ω0 Rp Cp = ω0 Lp
Lp /Cp
15 Oscillatori
1 ω−3dB
In entrambi i casi vale: Q = ω0
Oscillatore di Colpitts:
Adattamento di Impedenza C2
n = 1+ C1 dove C2 è il condensatore collegato a
PL
Guadagno di Trasduttore: GT = Pav,S
massa e in parallelo al source del MOS
cioè la potenza al carico, diviso la massima potenza 2 C1 C2
RT = R|| gnm CT = C + C1 +C2 ω0 = √1
LCT
erogabile dalla sorgente gm RT ngm R
Al = n lo startup richiede Al = n2 +gm R
>1

ˆ = 2Ibias RT
VLO
13 Amplificatori accordati oscillatore differenziale a nMOS
stadio CS con carico RLC parallelo A ω0 = √1 :
LC Se il Q del tank è limitato dall’induttore RT = ω0 LQ
guadagno in tensione A(jω0 ) = −gm RL gm RT
lo startup si ha per 2 >1
ω0 1
banda ω−3dB = =
Q RL C VLO =ˆπ2 RT Ib

Imp. ingresso CS con degenerazione induttiva

1 1
Zin (s) = sCgs + [1 + β(s)]sLs = sCgs + sLs + ωT Ls

LNA a degenerazione induttiva |Vgs | = Q|Vin | −→

|id | = gm Q|Vin |

Q= 1
ω0 RS Cgs −→ | Viin
d
|= 1 ωT
R S ω0

R L ωT
| VVout
in
|= R S ω0

3
16 Capacità e Stadi elementari

Subthreshold Triodo Saturazione

1 2
Cgs Col 2 W LCox + Col 3 W LCox + Col

1
Cgd Col 2 W LCox + Col Col
 −
xd 1
Cgb W LSi + W LCox 1 0 0

1 W LSi 2 W LSi
Csb Cjsb Cjsb + 2 xd Cjsb + 3 xd

1 W LSi
Cdb Cjdb Cjdb + 2 xd Cjdb

Vo io
Av = Vi βi = ii Zin Zout

gm 1
CS −gm r0 ||ZL sCgs sCgs +sCgd (1−Av0 ) r0 || s(Cgd1+Cdb )
0 Z
gm
0 r ||Z S 1 ZL 0 Z )
CG gm 0 L 1+gm0 Z
S
0 (1
gm + r0 ) r0 (1 + gm S

0
gm ZL gm 1 1
CD 1+gm ZL0 1+ sCgs sCgs (1−Av0 ) 0
gm