INSTITUTO CENTRAL DE CAPACITACIÓN EDUCACIONAL

CENTRO DE FORMACIÓN TÉCNICA

Electrónica Analógica con

Semiconductores
Parte II Unión PN
Bienvenidos

EAS-02
Profesor Erick Ortega Klapp
Material Semiconductor
Material Semiconductor Parte 1

Material tipo N

Por medio del proceso de

dopado se añaden átomos al
semiconductor agregando
portadores libres en este caso
electrones.

El propósito de este dopaje es

el de producir abundancia
de electrones

Dopaje de portadores libres

Material Semiconductor Parte 2

Material tipo P

Por medio del proceso de

dopado se añaden átomos al
semiconductor agregando
material aceptor en este
caso huecos.

El propósito de este dopaje es

el de producir abundancia
de huecos

Dopaje de aceptores
Material Semiconductor Parte 3

Unión PN

Se podría pensar que la unión

PN se puede formar
simplemente uniendo un
material P a un material N,
pero no es tan simple además
de estar en contacto deben
tener contacto eléctrico

En la zona de unión, huecos y

electrones se recombinan
quedando una estrecha zona Unión PN
de transición.
El Diodo
El Diodo Parte 1

Notación para diodos semiconductores

En la figura puede observarse las notaciones mas comunes para el diodo.

La terminología Ánodo y Cátodo viene del tiempo de los tubos al vacío.

Ánodo: Potencial Positivo

Cátodo: Potencial Negativo.
El Diodo Parte 2

Diodo Semiconductor

Ahora que los materiales

tanto tipo n como tipo p
están disponibles, es posible
construir nuestro primer
dispositivo electrónico de
estado solido.

Este componente cuenta con

numerosas aplicaciones y se
crea uniendo un material n a
un material tipo p

Diodos
El Diodo Parte 3

Diodo Semiconductor

En el momento en que los dos

materiales se unen,
electrones y huecos en la
región de unión se combinan
y provocan una carencia de
portadores libres.

Las únicas partículas en la

región de unión son iones
positivos y negativos, estos
quedan una vez que se han
absorbidos los portadores
libres

Unión PN
El Diodo Parte 4

Diodo Semiconductor

La región donde iones

positivos y negativos se
encuentran se llama región
de empobrecimiento debido
a la disminución de
electrones libres.

Unión PN
El Diodo Parte 5

Diodo Semiconductor

Si Conectamos cables
conductores a los extremos
de cada material, se produce
un dispositivo de dos
terminales .

Esto permite tres posibilidades

- Sin polarización
- Polarización directa
- Polarización inversa

Diodo internamente
El Diodo Parte 6

Polarización

Aplicación de un voltaje
externo a través de las dos
terminales del dispositivo para
extraer una respuesta.

Sin Polarización

Cuando el componente se
encuentra sin energía en sus
terminales, puede decirse la
condición de cualquier diodo Polarización
dejado en la mesa del
laboratorio.

Voltaje Aplica 0v
Corriente consumida 0A
El Diodo Parte 7

Sin Polarización

En esta condición, cualquier

portador minoritario (huecos)
del material tipo n localizados
en la región de
empobrecimiento, pasaran
de inmediato al material p

Los portador mayoritario

(electrones) del material tipo
n deben vencer las fuerzas de Sin Polarización, es como un
atracción de la capa de
iones positivos en el material
grupo de diodos en el
tipo n y el escudo de iones laboratorio
negativos en el material tipo
p
El Diodo Parte 8

Analogía.

Con Frecuencia al Diodo se le

compara con un interruptor
mecánico.
En Polarización directa se
considera cerrado.
En polarización inversa se
considera abierto.

A diferencia del interruptor, el

diodo solo permite el paso de
la corriente en un sentido.
El Diodo Parte 9

Analogía.

Si Representamos
internamente el diodo como
un conjunto de
componentes, podríamos
considerar una resistencia de
10 Ohm y una fuente de 0,7v
en serie.
Tener en cuenta que los 0,7v
no equivalen a una fuente
de voltaje independiente, si
se coloca un voltímetro en un
diodo aislado no se generara
energía, esta fuente
representa la caída de
tensión en el diodo.
Polarización
Polarización Parte 1

Polarización Inversa VD<0v

Al aplicar un potencial
externo a través de la unión
pn (Terminal positivo
conectada al material tipo n
y el material negativo al
material tipo p).

Se incrementan los iones

positivos en la región de
empobrecimiento en la
región tipo n.
Por la cantidad de electrones Polarización en inversa.
libres atraídos por el potencial
positivo del voltaje aplicado.
Los iones negativos no
revelados se incrementan en
el material tipo p
Polarización Parte 2

Corriente de Saturación

Esta corriente rara vez supera

los microamperios, excepto
en el caso de la alta
potencia. Se encuentra en el
orden de los nano Ampere en
el silicio, alcanza su nivel
máximo con rapidez y no
cambia de manera
significativa con los
incremento de potencial
Polarización Parte 3

Polarización Directa VD>0v

Esta condición, denominada

encendido, se establece
aplicando potencia positivo
al material tipo p y el
negativo al material tipo n.

La aplicación de este
potencial, presionara a los
electrones en el material tipo
n y a los huecos en el material
tipo p, para que se
reconvinen con los iones,
reduciendo el ancho de la
región de empobrecimiento.
Produciendo un flujo intenso
de portadores.
Polarización Parte 4

Corriente de Saturación

Este alto flujo de portadores

produce un aumento
exponencial de la corriente
en la región de polarización.

Nota: El voltaje de
polarización del diodo será
menor a 1v
Polarización Parte 5

El modelo de Shockley

Es el modelo matemático mas utilizado en 𝑉𝐷

el estudio del diodo, este permite
aproximar su comportamiento
• 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (𝑒 𝑛𝑉𝑇 − 1)
𝑘𝑇
IS= Corriente de saturación • 𝑉𝑇 =
VD=Voltaje de polarización en directa 𝑞
N=Factor de idealidad (Varia entre 1 y 2)
VT= Voltaje Térmico • 𝑘 = 1.38 ∗ 10−23 𝐽 𝐾
k=Constante de Boltsmann
T= Temperatura absoluta en Kelvin • 1.6 ∗ 10−19 𝐶
q=Magnitud de carga del electrón
Polarización Parte 6

El modelo de Shockley Ejercicio.

A una temperatura de 27°C (temperatura común para componentes en un

sistema de operación cerrado), determine el voltaje térmico VT.

• 𝑇 = 273 + °𝐶 = 273 + 27 =
300𝐾
𝐾𝑇 1.38∗10−23 𝐽 𝐾(300) El voltaje térmico se
• 𝑉𝑇 = = convertirá en un
𝑞 1.6∗10−19 𝐶 parámetro importante
en todo los análisis del
• 𝑉𝑇 = 25.875𝑚𝑉 ≈ 26𝑚𝑉 Diodo
Curva Característica
Curva Característica Parte 1

Curva característica.

La corriente esta en la parte

superior de la curva en mA y
en la parte inferior en pA
La línea punteada indica un –
Diodo ideal.
El desvió de la línea real es por
la resistencia interna del
cuerpo y la externa del
contacto, esto desplaza a la
derecha la curva por ley de
ohm
Curva Característica Parte 2

Curva Característica.

El voltaje en la zona positiva

esta en decimas de volt y en
la región negativa en decenas
de volt.

Esta grafica tiene relación con

el diodo polarizado en
directa, cabe destacar que el
lado negativo de la fuente de
alimentación debe estar
relacionada con la punta de
flecha del diodo.
A partir de los 0,7 volt la
corriente aumenta
rápidamente
Curva Característica Parte 3

Curva Característica.

Esta curva característica es la

representación grafica de la
intensidad de corriente que
circula por el voltaje existente
en sus extremos
El diodo es un dispositivo no
lineal.
Prueba Practica de Diodos
Prueba practica de Diodos Parte 1

Revisión de funcionamiento de
un Diodo

1. Para verificar el 1
funcionamiento del diodo, lo
primero es retirar este
componente del la placa en
que se encuentra instalado,
ya que el circuito contiene
resistencias, condensadores
y muchos otros
componentes que influirán
erróneamente en la lectura
del equipo.

2. Los multímetros digitales

actuales cuentan con una 2
función especifica para
verificar el funcionamiento
del diodo, para ello
debemos seleccionar en la
rueda selectora el símbolo
de diodo
Prueba practica de Diodos Parte 2

Revisión de funcionamiento de
un Diodo

Para este ejercicio se utilizo el

diodo 1N4001 que presenta
una caída de tensión de 0,7
volt polarizado directamente
(diodo de silicio) para diodos
de germanio seria 0,3 volt)

Al estar polarizado
directamente (conectando el
terminal negativo (negro) al
cátodo (físicamente cuenta
con una ralla para
reconocerlo) y el terminal
positivo (rojo) al ánodo, el
instrumento indicara alrededor
de 0,7 v
Prueba practica de Diodos Parte 3

Revisión de funcionamiento de
un Diodo

Al estar polarizado en inversa

el terminal positivo del el
instrumento (rojo) en el
cátodo y el terminal negativo
(negro) del multitester en el
ánodo debería marcar sobre
escala.

Nota: En alguno equipos la

sobre escala se indica como
OL (Over low) o sobre rango,
esto depende mucho del
instrumento
Zener
Zener Parte 1

Región Zener.

Considerando la curva del

diodo en la región negativa
que esta en decimas de volts.
Hay un punto donde la
aplicación de un voltaje
demasiado negativo,
producirá un cambio abrupto
de las características.
Zener Parte 2

Región Zener.

La corriente se incrementa
muy rápido en dirección
opuesta a la región de voltaje
positivo, el potencial de
polarización inversa que
produce este cambio se
denomina Potencial Zener
(Vz).

Al incrementar el voltaje a
través del diodo en la región
de polarización inversa, se
aumentara la velocidad de los
portadores minoritarios
responsables de la corriente
de saturación.
Zener Parte 3

Región Zener.

Con el tiempo, la velocidad y

energía cinética será
suficiente para liberar mas
portadores por colisión con
otras estructura atómicas.
Los electrones de valencia
tendrán suficiente energía
para abandonar el átomo
padre.
Esto establece una corriente
de avalancha .
Zener Parte 4

Región Zener.

El máximo potencial de
polarización inversa que se
puede aplicar antes de entrar
a la región zener, se llama
voltaje inverso pico PIV

Esta región característica se

emplea en el diseño de los
diodos Zener
Son Diodos que están
diseñados para mantener un
voltaje constante en sus
terminales, denominado Vz
Zener Parte 5

Región Zener.

Para el diodo zener la

dirección de conducción es
opuesta a la flecha del
símbolo.
En la imagen se compara la
polarización de un diodo
normal y una resistencia.

El potencial Zener de un diodo

es muy sensible a la
temperatura de operación.

El Silicio es el material
preferido par la fabricación
de diodos Zener
Zener Parte 6

Región Zener.

Región de polarización inversa

- bajo Vz: Se comporta como
un gran resistor, se considera
circuito abierto
- Sobre Vz: El diodo estabiliza
el voltaje en la carga al rango
definido en sus características.

Región de polarización
Directa: Se comporta como
Diodo, Permite el flujo de
electrones.
Zener Parte 7

Hoja de especificaciones

En la imagen se observa la hoja de características de un diodo Zener de 10v y

500mW.
Esta tabla da parámetros importantes

Característica eléctricas, Temperatura ambiente 25°C

Zener Parte 8

Coeficiente de potencial.

Considerando los valores

obtenidos en la tabla anterior, • 𝑃𝑍𝑀𝑎𝑥 = 4𝐼𝑍𝑇 ∗ 𝑉𝑧
nos es posible determinar el
valor de la potencia.
Izt=12,5mA
• 𝑃𝑍𝑀𝑎𝑥 = 4 12.5𝑚𝐴 ∗ 10𝑣
Pzmax=?
Zener Parte 9

Coeficiente de potencial.
Para el ejemplo se considera un diodo Zener de
10v y se incrementa le temperatura hasta 100°
El coeficiente de potencial,
tendrá una variación, para ∆𝑉𝑧 𝑉𝑧
determinar esta variación se
• 𝑇𝐶 = ∗ 100%/°𝐶
𝑇1−𝑇0
puede utilizar el coeficiente 𝑇𝑐𝑉𝑧
de temperatura. • ∆𝑉𝑧 = ∗ (𝑇1 − 𝑇0)
100%
T1: Nuevo nivel de
(0.072%/°𝐶)∗(10𝑣)
temperatura • ∆𝑉𝑧 = ∗ (100°𝐶 − 25°𝐶)
100%
T0: Temperatura ambiente
de un gabinete cerrado a • ∆𝑉𝑧 = 0.54𝑣
25°C
• ∆𝑉𝑧 = 0.54𝑣
Tc: Coeficiente de
temperatura • 𝑉𝑧 ′ = 𝑉𝑧 + ∆𝑉𝑧
Vz: Potencial Zener a 25°C
• 𝑉𝑧 ′ = 10 + 0.54
Vz’: Potencial Zener a XX°C
• 𝑉𝑧 ′ = 10.54𝑣
Zener Parte 10

Región Zener.

En el caso del ejemplo el

coeficiente de temperatura
fue positivo, con zener de
menores a 5v es muy común
ver coeficientes de
temperatura negativos.
En estos el voltaje zener se
reduce
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Electrónica Analógica con

Semiconductores
Parte II Unión PN
Fin

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