IL DIODO A GIUNZIONE pn

IL DIODO A GIUNZIONE pn
Il diodo a giunzione pn è formato da due
regioni adiacenti di materiale semiconduttore
di tipo n e di tipo p.
La concentrazione delle lacune è alta nella regione p e
bassa nella regione n. Quindi le lacune DIFFONDONO
attraverso la giunzione dal lato p al lato n
Analogamente, la concentrazione degli elettroni è alta
nella regione n e bassa nella regione p. Quindi gli elettroni
DIFFONDONO attraverso la giunzione dal lato n al lato p

ID
 Se i processi di diffusione continuassero indisturbati, si
avrebbe alla fine una concentrazione uniforme di elettroni
e lacune nell’intero semiconduttore, e la giunzione pn
cesserebbe di esistere.

Che cosa frena la diffusione?

Man mano che le lacune mobili diffondono verso al regione n, lasciano

nella regione p degli atomi accettori immobili carichi negativamente;
Analogamente, gli elettroni lasciano nella regione n degli atomi donatori
con carica positiva.
 Si forma nelle immediate vicinanze della giunzione una
REGIONE SVUOTATA DEI PORTATORI, detta
REGIONE DI SVUOTAMENTO.

La carica ai due lati della regione fa in modo che si stabilisca

un campo elettrico nella regione stessa

E
Viene prodotta una d.d.p. ai capi della regione svuotata, con il lato n
positivo rispetto a quello p.
Il verso del campo elettrico è tale da opporsi alla diffusione delle
lacune nel materiale n e degli elettroni nel materiale p.
Quindi il moto di deriva di ciascun portatore si oppone a quello di
diffusione!

IS
 La giunzione pn
in condizioni di circuito aperto

Poiché la corrente ai terminali deve essere nulla si stabilisce

un equilibrio dinamico all’interno della regione di svuotamento,
tale che:

ID=IS
 La giunzione pn
in condizioni di polarizzazione inversa
Il flusso di elettroni scorre nel circuito esterno dalla regione n alla regione p
Questo causa un aumento della regione di svuotamento e della carica in essa contenuta.
Questo a sua volta porterà ad una tensione maggiore ai capi della regione svuotata,
con la conseguente diminuzione della corrente di diffusione ID. i≅-IS=-(10-15÷10-14)A
ID
IS
+ + + - + - - -
p - + n
+ + + - + - - -

-V+

I
 La giunzione pn
in condizioni di polarizzazione inversa
Quando la tensione ai capi della giunzione varia, anche la carica
immagazzinata nella RDS subisce una variazione.

Nel punto di lavoro Q, si può definire una

CAPACITA’ DI SVUOTAMENTO Cj:

Cj=dqj/dv|v=Vq

Cj=K/(VO-VD)m
 La giunzione pn
in regione di breakdown
 La giunzione pn
in regione di breakdown a valanga
La velocità media di deriva dei portatori nella regione di
svuotamento è il risultato di continui urti con il reticolo cristallino
(in cui viene ceduta energia) e movimento accelerato dal campo
elettrico tra un urto e l’altro. Se l’energia cinetica acquisita
durante la fase di accelerazione e
ceduta al reticolo cristallino durante un urto è tale da rompere un
legame covalente, si ha un effetto moltiplicativo (“a valanga”)
causato dai nuovi portatori così prodotti che, a loro volta
vengono accelerati dal campo elettrico e possono provocare
la rottura di altri legami covalenti
 La giunzione pn
in regione di breakdown ZENER

In giunzioni pesantemente drogate, la regione

di svuotamento risulta sottile ed il campo
elettrico alla giunzione così elevato da riuscire
a rompere legami covalenti e a creare coppie
elettrone-lacuna con conseguente aumento
della corrente inversa.
 La giunzione pn
in condizioni di polarizzazione diretta
Il flusso di elettroni scorre nel circuito esterno dalla regione p alla regione n: vengono
forniti portatori maggioritari ad entrambi i lati della giunzione. Questo causa una
diminuzione della regione di svuotamento e della barriera di potenziale. Questo a sua
volta permette ad un numero maggiore di portatori di attraversare la RDS (lacune dal
lato p ad n e elettroni dal lato n al p), con il conseguente aumento della corrente di
diffusione ID. I
D
IS

+ + + - + - - -
p - + n
+ + + - + - - -

+V -

I
 Distribuzione dei portatori minoritari
in condizioni di polarizzazione diretta
 La giunzione pn
in condizioni di polarizzazione diretta
Quando la tensione ai capi della giunzione varia, anche la carica
associata ai portatori minoritari presenti nel materiale p ed n (in
aggiunta alla variazione della carica immagazzinata nella RDS)
subisce una variazione.
La giunzione pn manifesta quindi un effetto capacitivo (in aggiunta
alla capacità di svuotamento) legato all’accumulo di cariche dei
portatori minoritari, che può essere schematizzato per mezzo di una
capacità per piccoli segnali Cd.
Poiché le cariche sono proporzionali alla corrente IA che attraversa la
giunzione, anche la Cd, detta CAPACITA’ DI DIFFUSIONE, è
proporzionale alla corrente di polarizzazione IA nel punto di lavoro.

Cd=kcIA
 Caratteristica i-v del diodo

IS=corrente di saturazione inversa

VT=tensione termica=kT/Q