Elettronica Generale

Transistori bipolari a giunzione (BJT)

A.A. 2013/2014



Elettronica Generale
Il transistore bipolare: struttura fisica
1
! E formato da 3 regioni alternate di
materiale semiconduttore di tipo p e di
tipo n chiamate emettitore (E), base (B) e
collettore (C)

! La maggior parte della corrente entra dal
collettore, attraversa la regione di base
ed esce dallemettitore. Una piccola
corrente entra dalla base, attraversa la
giunzione base-emettitore ed esce
dallemettitore.

! Il flusso dei portatori nella regione di base,
situata sotto la regione molto drogata (n
+
)
di emettitore, definisce le caratteristiche
i-v del BJT.
Elettronica Generale
Modello del trasporto nel transistore npn
2
! La piccola larghezza della regione di
base determina laccoppiamento
delle due giunzioni pn opposte.
! Lemettitore inietta elettroni nella
regione di base, quasi tutti passano
attraverso la sottile regione di base e
sono poi raccolti dal collettore
Le tensioni base-emettitore v
BE
e
base-collettore v
BC
determinano
le correnti nel transistore e se
positive polarizzano direttamente
le rispettive giunzioni pn
Le correnti ai terminali sono la
corrente di collettore (i
C
), la
corrente di base (i
B
) e la corrente
di emettitore (i
E
).
Elettronica Generale
Transistore npn: caratteristiche di funzionamento diretto
3
La corrente diretta di trasporto :

i
C
=i
F
=I
S
exp
v
BE
V
T
!
"
#
#
$
%
&
&
'1
(
)
*
*
*
+
,
-
-
-
La corrente di base data da:
i
B
=
i
F
!
F
=
I
S
!
F
exp
v
BE
V
T
!
"
#
#
$
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&
&
'1
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)
*
*
*
+
,
-
-
-
!
20"#
F
"500
La corrente di emettitore data da:
!
!
!
"
#
$
$
$
%
&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
- = + = 1 exp
T
BE
F
S
B C E
V
v
I
i i i
.
1 +
=
F
F
F
!
!
"
il guadagno di corrente
diretto a emettitore comune
il guadagno di corrente
diretto a base comune
Nella regione attiva diretta:
!
i
C
i
B
="
F

i
C
i
E
=#
F
Elettronica Generale
Transistore npn: caratteristiche di funzionamento inverso
4
La corrente inversa di trasporto :

!
!
!
"
#
$
$
$
%
&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
- = - = 1 exp
T
BC
S E R
V
v
I i i
!
!
!
"
#
$
$
$
%
&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
- = = 1 exp
T
BC
R
S
R
R
B
V
v
I i
i
. .
!
0"#
R
"20
La corrente di emettitore data da:
!
!
!
"
#
$
$
$
%
&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
- - = 1 exp
T
BC
R
S
C
V
v
I
i
.
1 +
=
R
R
R
!
!
"
il guadagno di corrente
inverso a emettitore comune
il guadagno di corrente
inverso a base comune
La corrente di base data da:
Le correnti di base nei modi di
funzionamento diretto e inverso sono
differenti a causa dellasimmetria nei
livelli di drogaggio nelle regioni di
emettitore e collettore
Elettronica Generale
Transistore npn: equazioni per il modello del trasporto completo
5
!
!
!
!
!
"
#
$
$
$
$
$
%
&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
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#
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'
'
'
(
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*
*
+
,
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"
#
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#
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'
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*
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+
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#
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-
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!
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#
$
$
%
&
+ - =
-
!
!
"
#
$
$
%
&
- - =
1 exp 1 exp
1 exp exp exp
1 exp exp exp
T
BC
R
S
T
BE
F
S
B
T
BE
F
S
T
BC
T
BE
S E
T
BC
R
S
T
BC
T
BE
S C
V
v I
V
v
I
i
V
v I
V
v
V
v
I i
V
v I
V
v
V
v
I i
. .
.
.
Il primo termine presente sia nellespressione della corrente di
collettore che di emettitore rappresenta la corrente trasportata
attraverso la regione di base
Esiste una simmetria tra le tensioni base-emettitore e base-collettore
nel definire la corrente principale del dispositivo
Elettronica Generale
Modello del trasporto nel transistore pnp
6
! Le tensioni v
EB
e v
CB
sono positive quando polarizzano direttamente le
rispettive giunzioni pn.
! La corrente di collettore e la corrente di base escono dal transistore,
mentre la corrente di emettitore entra nel dispositivo.
Elettronica Generale
Transistore pnp: caratteristiche di funzionamento diretto
7
La corrente di trasporto diretta :


!
!
!
"
#
$
$
$
%
&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
- = = 1 exp
T
EB
S F C
V
v
I i i
La corrente di base data da:
!
!
!
"
#
$
$
$
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&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
- = = 1 exp
T
EB
F
S
F
F
B
V
v
I i
i
. .
La corrente di emettitore data da:
!
!
!
"
#
$
$
$
%
&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
- = + = 1 exp
T
EB
F
S
B C E
V
v
I
i i i
.
Nella regione attiva diretta:
!
i
C
i
B
="
F

i
C
i
E
=#
F
!
20"#
F
"500
1 +
=
F
F
F
!
!
"
il guadagno di corrente
diretto a emettitore comune
il guadagno di corrente
diretto a base comune
Elettronica Generale
Transistore pnp: caratteristiche di funzionamento inverso
8
La corrente di trasporto inversa :


!
!
!
"
#
$
$
$
%
&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
- = - = 1 exp
T
CB
S E R
V
v
I i i
La corrente di base data da:
!
!
!
"
#
$
$
$
%
&
'
'
'
(
)
*
*
*
+
,
- = = 1 exp
T
CB
R
S
R
R
B
V
v
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i
. .
La corrente di collettore data da:
!
i
C
="I
S
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1
#
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$
%
&
&
&
&
'
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$
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'
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)
)
"1
*
+
,
,
,
-
.
/
/
/
!
0"#
R
"20
1 +
=
R
R
R
!
!
"
Le correnti di base nei modi di
funzionamento diretto e inverso sono
differenti a causa dellasimmetria nei
livelli di drogaggio nelle regioni di
emettitore e collettore
Elettronica Generale
Transistore pnp: equazioni per il modello del trasporto completo
9
!
i
C
=I
S
exp
v
EB
V
T
"
#
$
$
%
&
'
'
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v
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V
T
"
#
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.
.
.
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R
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$
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'
'
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v
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"
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'
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v
CB
V
T
"
#
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+
+
,
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.
.
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F
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V
T
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#
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v
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'
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I
S
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R
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"
#
$
$
%
&
'
'
(1
"
#
$
$
$
$
%
&
'
'
'
'
Il primo termine presente sia nella corrente di emettitore che in
quella di collettore rappresenta la corrente che passa attraverso
la regione di base
Esiste una simmetria tra le tensioni base-emettitore e base-
collettore nel definire la corrente principale del dispositivo
Elettronica Generale
Regioni di funzionamento dei BJT
10
Giunzione Base-
Emettitore
Giunzione Base-Collettore
Polarizzazione
inversa
Polarizzazione
diretta
Polarizzazione
diretta
Regione attiva
diretta (buon
amplificatore)
Regione di
saturazione
(interruttore
chiuso)
Polarizzazione
inversa
Regione di
interdizione
(Interruttore
aperto)
Regione attiva
inversa (scarsa
amplificazione)
Stati logici
Elettronica Generale
Caratteristiche i-v di uscita del BJT: emettitore comune
11
Per i
B
= 0, il transistore in interdizione. Se i
B
> 0,
anche i
C
cresce.


Per v
CE
> v
BE
, il transistore npn in regione attiva
diretta, i
C
= !
F
i
B
indipendente da v
CE.

Per v
CE
< v
BE
, il transistore npn in saturazione.

Per v
CE
< 0, nel transistore npn i ruoli di collettore e
emettitore si invertono.
Transistore npn
Elettronica Generale
Caratteristiche i-v di uscita del BJT con v
BC
=0
12
Nel transistore npn, impostando v
BC
= 0
nellespressione della corrente di collettore
si ottiene:
!
i
C
=I
S
exp
v
BE
V
T
"
#
$
$
%
&
'
'
(1
)
*
+
+
+
,
-
.
.
.
Lespressione della corrente di collettore
ha la stessa forma dellequazione di un
diodo.
Relazione tra corrente di collettore e
tensione base-emettitore del transistore
Elettronica Generale
Modello semplificato: INTERDIZIONE
13
Nella regione di interdizione
entrambe le giunzioni sono
polarizzate inversamente. Per
un transistor npn si ha:
v
BE
< 0 e v
BC
< 0

Il transistore spento.
Le equazioni del transistore
possono essere scritte nella
forma semplificata:
R
S
F
S
B
F
S
E
R
S
C
I I
i
I
i
I
i
! ! ! !
" " = " = + = , ,
Elettronica Generale
Modello semplificato: ZONA ATTIVA DIRETTA
14
Nella regione attiva diretta, la giunzione base-emettitore polarizzata
direttamente e la giunzione base-collettore inversamente. Per un transistore npn
si ha:
v
BE
> 0, v
BC
< 0
Le equazioni delle correnti ai teminali possono essere semplificate come:
!
i
C
=I
S
exp
v
BE
V
T
"
#
$
$
%
&
'
'
+
I
S
(
R
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S
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v
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I
S
)
F
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v
BE
V
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"
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'
'
+
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S
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F
=
I
S
)
F
exp
v
BE
V
T
"
#
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'
i
B
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I
S
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F
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'
'
!
i
C
="
F
i
E
i
C
=#
F
i
B
i
E
=(#
F
+1)i
B
Il BJT spesso considerato un dispositivo controllato in corrente, sebbene il
comportamento in regione attiva diretta sia quello di un generatore di corrente
controllato in tensione.
Elettronica Generale
Modello semplificato: ZONA ATTIVA DIRETTA
15
! La corrente nel diodo base-emettitore amplificata dal guadagno di corrente
a emettitore comune b
F
e appare sul collettore; le correnti di base e di
collettore sono legate alla tensione base-emettitore da una relazione
esponenziale.

! Il diodo base-emettitore viene rappresentato secondo il modello a caduta di
tensione costante (V
BE
= 0.7 V) dato che polarizzato direttamente in regione
attiva diretta.
Elettronica Generale
Modello semplificato: ZONA ATTIVA INVERSA
16
In regione attiva inversa, il diodo
base-collettore polarizzato
direttamente e quello base-
emettitore inversamente
Semplificando, le equazioni sono:
i
C
=!
I
S
!
R
exp
v
BC
V
T
"
#
$
$
%
&
'
'
i
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S
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v
BC
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S
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BC
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T
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&
'
'
i
E
=!
R
i
C
i
E
=!"
R
i
B
Elettronica Generale
Modello semplificato: SATURAZIONE
17
! Nella regione di saturazione,
entrambe le giunzini sono polarizzate
direttamente, e il transistore lavora
con una piccola tensione tra
collettore e emettitore.
! v
CESAT
la tensione di saturazione per
il BJT npn.
!
i
C
=I
S
exp
v
BE
V
T
"
#
$
$
%
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BC
V
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'
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C
B
B F
C
B R
C
R
T CESAT
i
i
i
i
i
i
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!
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(
)
$
$
$
$
$
%
&
'
'
'
'
'
(
)
per
1
) 1 (
1
1
ln
Non esistono espressioni
semplificate per le
correnti ai teminali se
non:
i
C
+ i
B
= i
E
.
Elettronica Generale
Effetti non ideali del BJT: effetto Early
18
! Al crescere della polarizzazione inversa sulla regione collettore-base,
lo spessore della regione di svuotamento aumenta e lo spessore della
base diminuisce (modulazione dello spessiore di base)
! Nei BJT reali, le caratteristiche di uscita hanno una pendenza positiva
nella regione attiva diretta; la corrente di collettore non
indipendente da v
CE
.
! Effetto Early: le caratteristiche di uscita, se estrapolate fino al punto in
cui i
C
uguale a zero, si intersecano (approssimativamente) in un
punto comune v
CE
= -V
A
. (V
A
detta tensione di Early, tipicamente
compresa tra 15 V e 150V)
! Equazioni semplificate (che includono leffetto Early):
i
C
=I
S
exp
v
BE
V
T
!
"
#
#
#
$
%
&
&
&
'
(
)
)
)
)
*
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,
,
,
,
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v
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V
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'
(
)
)
)
*
+
,
,
,
!
F
=!
FO
1+
v
CE
V
A
'
(
)
)
)
*
+
,
,
,
i
B
=
I
S
!
FO
exp
v
BE
V
T
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"
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#
#
$
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&
&
&
'
(
)
)
)
)
*
+
,
,
,
,
Elettronica Generale
Effetti non ideali del BJT: effetto Early
19
!
!
!
!
!
"
#
$
$
$
$
$
%
&
!
!
!
!
"
#
$
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*
*
+
,
= + = +
'
'
(
)
*
*
+
,
=
T
BE
FO
S
B
A
CE
FO F
A
CE
T
BE
S C
V
v I
i
V
v
V
v
V
v
I i exp 1 1 exp
-
- -
Elettronica Generale
Modello per piccoli segnali di un BJT
20
Il modello a !-ibrido
! Il modello a !-ibrido per piccolo
segnale la rappresentazione
intrinseca del BJT
! I parametri di piccolo segnale
sono dipendenti dal punto Q e
sono indipendenti dalla
geometria del BJT
Transconduttanza:
C
T
C
m
I
V
I
g 40 ! =
Resistenza differenziale
dingresso:
m
o
C
T o
g I
V
r
! !
"
= =
Resistenza differenziale di uscita:
C
A
C
CE A
o
I
V
I
V V
r !
+
=
!
0
: guadagno di corrente per piccoli segnali
Elettronica Generale
Guadagno di corrente per piccoli segnali
21
!
0
: guadagno di corrente per piccoli
segnali
!
"
o
=g
m
r
#
=
"
F
1$I
C
1
"
F
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F
%i
C
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(
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+
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Q$ point
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-
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.
.
.
/
0
1
1
1
1
!
o
> !
F
per i
C
< I
M
!
o
< !
F
per i
C
> I
M

Si assume tuttavia che !
F
e !
o
siano uguali.
I
M
la corrente per cui !
F
ha il valore
massimo.
Elettronica Generale
Forme equivalenti del modello per piccoli segnali per il BJT
22
! Il generatore di corrente controllato in tensione g
m
v
be
pu essere
trasformato in un generatore di corrente controllato in corrente,
! La relazione i
c
= ! i
b
utile sia nellanalisi DC che AC quando il BJT
si trova in regione attiva diretta.
b o b m be m
b be
i r i g v g
r i v
!
"
"
= =
=
Elettronica Generale
Modello per piccoli segnali per il transistore pnp
23
Il modello a !-ibrido per piccolo segnale di un transistore pnp
uguale al modello a !-ibrido per piccolo segnale di un transistore npn
Elettronica Generale
Polarizzazione del BJT
24
! Lo scopo della polarizzazione quello di stabilire un punto Q assegnato
che definisce la regione di funzionamento iniziale del transistore.
! Per un BJT, il punto Q rappresentato da (I
C
, V
CE
) per un transistore npn o
da (I
C
, V
EC
) per un transistore pnp.
! Il punto Q definisce i valori della capacit di diffusione, della
transconduttanza e delle resistenze di ingresso e di uscita.
! In generale, durante lanalisi circuitale, utilizziamo relazioni matematiche
semplificate per le specifiche regioni di funzionamento, e si assumer un
valore infinito per la tensione di Early.
! Due circuiti di polarizzazione utilizzati comunemente per i BJT sono:
! Rete di polarizzazione a due resistori
! Rete di polarizzazione a quattro resistori
Elettronica Generale
Rete di polarizzazione a due resistori
25
Calcolare il punto Q per un transistore pnp con rete di polarizzazione a due
resistori per i valori forniti (!
F
= 50, V
CC
= 9 V)

Ipotesi: Funzionamento in regione attiva diretta, V
EB
= 0.7 V

0) ( V 18 . 2
V 88 . 2 ) ( 1000 9
mA 01 . 6 50
A 120
69000
V 7 . 0 V 9
) 51 ( 1000 18000 9
) ( 1000 18000 9
< ! =
= + ! =
= =
=
"
!
=
+ + =
+ + + =
CB
B C EC
B C
B
B B EB
B C B EB
V
I I V
I I
I
I I V
I I I V

Il funzionamento in regione attiva diretta

corretto e il punto Q : (6.01 mA, 2.88 V)
Elettronica Generale
Rete di polarizzazione a quattro resistori
26
0) ( V 62 . 3
V 32 . 4
A 204 ) 1 (
< ! =
= + ! =
! ! =
= + =
"
"
"
"
"
#
$
%
%
%
%
%
&
'
BC
C
F
E
C
CC CE
E E C C CC CE
B F E
V
I
R
R V V
I R I R V V
I I
(
)
Regione attiva diretta
Punto Q (201 mA, 4.32 V)
A 201
A 68 . 2
6
10 23 . 1
V 7 . 0 - V 4
) 1 (
) 1 ( 16000 7 . 0 12000 4
12 4V
2 1
2 1
2
1
2 1
1
!

!
!
= =
=
" #
=
+ +
$
=
+ + + =
+ + =
" =
+
= = =
+
=
B F C
E F EQ
BE EQ
B
B F B
E E BE B EQ EQ
EQ CC EQ
I I
R R
V V
I
I I
I R V I R V
k
R R
R R
R R R
R R
R
V V Equivalente Thevenin:


LKT maglia 1:

!
F
= 75
LKT maglia 2:

Elettronica Generale
Rete di polarizzazione a quattro resistori
27
! Tutte le correnti calcolate sono maggiori di 0, inoltre:
V
BC
= V
BE
- V
CE
= 0.7 - 4.32 = - 3.62 V
! Quindi la giunzione base-collettore polarizzata inversamente, e lipotesi di
funzionamento in regione attiva diretta corretta

! La retta di carico per il circuito :
C C
F
E
C
CC CE
I I
R
R V V 38200 12! = + ! =
"
"
"
"
"
#
$
%
%
%
%
%
&
'
(
I due punti necessari per disegnare la retta
di carico sono (0, 12 V) e (314 mA, 0). La
retta di carico risultante viene disegnata su
una caratteristica a emettitore comune.
Lintersezione della caratteristica
corrispondente a I
B
= 2.68 mA con la retta di
carico fornisce il punto Q.
I
B
= 2.68 mA