Formulario essenziale per lo scritto di Elettronica I EERRO ALBERTO 449103/IL A.A.

: 2001-2002
Equazione del diodo:
]
]
.
}

\
|
= 1
Q 9
9
6 '
7
'
H , ,
Equazioni dei BJT in zona attiva diretta:
]
]
.
}

\
|
+
]
]
.
}

\
|
= =
$
&( 9
9
6 % ) &
9
9
H , , ,
7
%(
1 E
]
]
.
}

\
|
+ =
$
&(
) )
9
9
1
0
E E
]
]
.
}

\
|
= =
7
%(
9
9
)
6
)
&
%
H
, ,
,
0
E E
NB: V
BE
e V
CE
diventano V
EB
e V
EC
nei PNP
Equazioni dei EET:
'66 71 Q
, 9 . = 2
2
'66 73 S
, 9 . = 2
2
NMOS PMOS JEET canale N JEET canale P
Saturazione:
'6 71 *6
Q
'6
9 9 9
.
, O + = 1
2
2

6' 73 6*
S
6'
9 9 9
.
, O + + = 1
2
2

'6
3
*6
'66 '6
9
9
9
, , O +
]
]
.
}

\
|
= 1 1
2

6'
3
6*
'66 6'
9
9
9
, , O +
]
]
.
}

\
|
+ = 1 1
2
Regione
lineare:
'6
'6
71 *6 Q '6
9
9
9 9 . , ]
.
}

\
|
=
2
6'
6'
73 6* S 6'
9
9
9 9 . , ]
.
}

\
|
+ =
2
'6
'6
3 *6
3
'66
'6
9
9
9 9
9
,
, ]
.
}

\
|
=
2
2
2 6'
6'
3 6*
3
'66
6'
9
9
9 9
9
,
, ]
.
}

\
|
+ =
2
2
2
Cond. di
saturazione:
V
DS
> (V
GS
-V
TN
) > 0 V
SD
> (V
SG
V
TP
) > 0 V
DS
>(V
GS
-V
P
)>0 e V
GS
V
ON
V
SD
>(V
SG
V
P
)>0 e V
SG
V
ON
Modelli DC semplificati per i BJT:
NPN PNP
Interdizione I
C
I
E
I
B
0 V
BE
V
BEmin
V
BC
V
BCmin
I
C
I
E
I
B
0 V
EB
V
EBmin
V
CB
V
CBmin
Zona attiva diretta I
C

E
I
B
V
BE
cost I
B
~0 V
CE
~V
CEsat
I
C
I
Csat
I
C

E
I
B
V
EB
cost I
B
~0 V
EC
~V
ECsat
Saturazione (CE) V
BE
V
BEsat
V
CE
V
CEsat
I
C
I
Csat
I
B
~I
Csat
/
E
V
EB
V
EBsat
V
EC
V
ECsat
I
C
I
Csat
I
B
~I
Csat
/
E
Modelli ai piccoli segnali:
BJT EET
g
m
40I
C
71 *6
'
9 9
,

2
r
t
P
J
U
0
E
S
=

r
0
&
&( $
,
9 9 +
'
'6
,
9 + O 1
Condizione |v
be
|s 5mV |v
gs
|s 0.2(V
GS
-V
TN
)
NB: V
TN
diventa -V
TP
nei PMOS e -V
P
nei JEET. V
DS
e V
GS
diventano V
SD
e V
SG
nei PMOS e nei JEET a canale P. V
CE
diventa V
EC
nei PNP
Studio in frequenza:
A(s)A
mid
E
L
(s)E
H
(s). dove
) ( .. ) (
) ( .. ) (
) (
1
1
/
3N
/
3
/
=N
/
=
/
V V
V V
V )
Z Z
Z Z
+ +
+ +
=
e
) 1 ( .. ) 1 (
) 1 ( .. ) 1 (
) (
1
1
+
3Q
+
3
+
=O
+
=
+
V V
V V
V )
Z Z
Z Z
+ +
+ +
=
con n~l
Polo dominante:

=
~
Q
L L
6
L
/
& 5
1
1
Z
e

=
~
P
L
L
2
L
+
& 5
1
1
Z
NB: il n di poli di A(s) e pari al n di capacita indipendenti
Stadi elementari:
CE con R
E
CE CS con R
E
CC CD CB CG
A
Vth
trascur.
r
o

( P
/ P
( WK
/
5 J
5 J
5 U 5
5
+

~
+ + +

1
1
0
0
E
E
S
/ P
WK
/
5 J
U 5
5
~
+

S
E
0
( P
/ P
5 J
5 J
+

1


/ P
/ P
/ WK
/
5 J
5 J
5 U 5
5
+
~
+ + +
+
1
1
1
0
0
E
E
S
/ P
/ P
5 J
5 J
+ 1

WK P
/ P
WK
/
5 J
5 J
5 U
5
+
~
+ +
1
1
0
0
E
E
S
WK P
/ P
5 J
5 J
+ 1
A
Ith
-
0
-
0

0
1 o
0
1
R
IN
trasc.
r
o


( P
(
5 J U
5 U
+
~ + +
1
1
0
S
S
E
S
U


/ P
/
5 J U
5 U
+
~ + +
1
1
0
S
S
E

P
J
U 1
1
0
~
+ E
S
P
J
1
R
OUT

( P R
( WK
( P
R
5 J U
U
5 5
5 J
U
+
~
]
]
]
]
.
}

\
|
+
+
+
1
1
1
S
r
0

( P R
5 J U + 1
P
WK
J
5 U 1
1
0
~
+
+
E
S
(trascurando r
o
)
P
J
1
(trascurando r
o
)

WK P R
WK
WK P
R
5 J U
U
5
5 J
U
+
~
]
]
]
]
.
}

\
|
+
+
1
1
1
S

WK P R
5 J U + 1
|v
th
|s

( P
5 J P9 + 1 5 5mV


( P
71 *6
5 J
9 9
+

1
2 . 0

/ P
5 J P9 + 1 5


/ P
71 *6
5 J
9 9
+

1
2 . 0

WK P
5 J P9 + 1 5


WK
71 *6
5 J
9 9
+

1
2 . 0
NB: R
IN
e R
OUT
sono quelle viste direttamente sul transistor; A
Vth
e A
Ith
sono i guadagni rispetto al generatore di Thevenin in ingresso
CE: CC: CB:
Darlington:
DC:
%
) )
) ) &
, ,

+ + =
2 1
2 1
1 1
1
E E
E E
V
BE
V
BE1
V
BE2
AC:
2 1
2
S S
E U U
R
~ g
m
~g
m2
/ 2 r
o
~ (2/3) r
o2

o
~
o1

o2
Cascode:
DC: I
C2
o
E
I
C1
V
BB
>2V
BE
AC:
1 S S
U U = g
m
~g
m2
r
o
~
o2
r
o2
Differenziali:
DC (v
1
v
2
0):
((
%( ((
(
5
9 9
,
2

= ( ) &
, , D =
& & && & &
5 , 9 9 9 = =
2 1
AC:
& P YLF
LG
RG
GG
5 J
Y
Y
$ = =
=0
2
0
1 & P
YLF
LG
F
GP
5 J
Y
Y
$ = =
=

((
&
YLG
LF
F
FP
YLG
LF
RF
FF
5 U
5
Y
Y
$
Y
Y
$
1 2
0
0
0
1
0
+ +
= = = =
= =
E
E
S
S
U
L
Y
5
E
LG
,'
2
1
= =
0
|| 2 U 5 5
& 2'
=
0
|| U 5 5
& 2'P
=

2
1 2
2
0 ((
E
LF
,&
5 U
L
Y
5
+ +
= =
E
S
(( P
FP
GP
5 J
$
$
&055 = =
Specchi di corrente:
BJT EET BJT con buffer BJT Widlar BJT Cascode
DC:
)2 $
%(
$
&(
5() 2
9
9
9
9
, ,
E
2
1
1
2
+ +
+
=
1
2
1
1
'6
'6
5() 2
9
9
, ,
O
O
+
+
=
1
2
1
1
3 1
+
+
=
)2 )2
5() 2
, ,
E E
2
1 1
1
1
) )
5() 2
, ,
E E
+ +
=
R
OUT:
r
o2
r
o2
r
o2
|1g
m2
R]
2
04 04
U E
AC:
R
IN:
r
o1
// (1/g
m1
) // r
t1
//r
t2
r
o1
// (1/g
m1
)
Potenza dissipata:
BJT: PNP: PI
C
V
CE
I
B
V
BE
NPN: PI
C
V
EC
I
B
V
EB
EET: canale N: PI
D
V
DS
canale P: PI
D
V
SD
Alimentaz. singola: PV
CC
I
CC
Alimentaz. doppia: PV
CC
I
CC
V
EE
I
EE
Non idealita negli operazionali:
max
0
W
9
65
c
c
=
65 9
20
s Z

2 1 1
5 5 5 + = E Invertente Non invertente
A
V ]
]
.
}

\
|
+
=
E
E
$
$
5
5
$
9
1
1
2
E $
$
$
9
+
=
1
R
IN
$
5
5 5
,'
+
+
1
||
2
1
) 1 ( E $ 5
,'
+
R
OUT
) 1 (
0
E $ 5 + ) 1 (
0
E $ 5 +