Elettronica Digitale

Formulario




A. Modello unificato del transistore MOS a canale N per tecnologie a canale corto (L << 1 m)

!
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% +
&
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'
(
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*
+
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. =
0 V per ) V 1 (
2
V
V V
L
W
k I
0 V per 0 I
GT DS
2
min
min GT D
GT D
/

dove ) V , V , V min( V
DSAT DS GT min
= e
t GS GT
V V V ! =



B. Resistenza equivalente del transistore MOS a canale N in commutazione


!
"
#
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%
&
' (
DD
DSAT
DD
eq
V
9
7
1
I
V
4
3
R )

dove
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%
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' ' ( =
2
V
V ) V V (
L
W
k I
2
DSAT
DSAT t DD DSAT




C. Invertitore CMOS: formule fondamentali


DD OH
V V =
GND V
OL
=

DSATn
n
n
DSATp
p
p
DD
M
V
L
W
k
V
L
W
k
r con
r 1
rV
V
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+
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g
V V
V V
g
V
V V
M DD
M IL
M
M IH
!
+ = ! = dove
( )
p n
DSATn
tn M
2
V
V V
r 1
g
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%
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+
=
2
R R
C 69 . 0
2
t t
t
eqp eqn
L
pLH pHL
p



f V C P
2
DD L diss
=


_____________________________________________________________________________




Modello semplificato di processo CMOS da 0.25 m

V
t
[V] V
DSAT
[V] k [A/V
2
] ! [V
-1
]
NMOS 0.43 0.63 11510
-6
0.06
PMOS -0.4 -1 -3010
-6
-0.1