Dispositivi elettronici

Il transistor bipolare a
Il transistor bipolare a
giunzione (
giunzione (
bjt
bjt
)
)
Sommario
Il transistor bipolare a giunzione (bjt)
come fatto un bjt
principi di funzionamento
(giunzione a base corta)
effetto transistor (W
B
<<L
n
,
p
)
effetto di amplificazione (N
E
>>N
B
)
..
npn bjt
(bipolar junction transistor)
tipo-n
regione di
Emettitore
(E)
tipo-n
regione di
Collettore
(C)
tipo-p
regione di
Base
(B)
W
B
Emettitore Collettore
(E)
(C)
Base
(B)
Giunzione
Base-emettitore
(EBJ)
Giunzione
Base-collettore
(CBJ)
pnp bjt
(bipolar junction transistor)
tipo-p
regione di
Emettitore
(E)
tipo-p
regione di
Collettore
(C)
tipo-n
regione di
Base
(B)
W
B
Emettitore Collettore
(E)
(C)
Base
(B)
Giunzione
Base-emettitore
(EBJ)
Giunzione
Base-collettore
(CBJ)
Transistor bipolare a giunzione
modi di funzionamento
ATTIVA Diretta Inversa Diretta
SATURAZIONE Diretta Diretta
ATTIVA Inversa Diretta Inversa
SPENTO Inversa Inversa
MODO
Giunzione
Base-collettore
(CBJ)
Giunzione
Base-emettitore
(EBJ)
Transistor bipolare a giunzione
Il bjt per avere un corretto funzionamento deve
avere due caratteristiche principali:
Spessore di base molto sottile se confrontato
con la lunghezza di diffusione dei portatori
minoritari nella base (per avere effetto
transistor):
W
B
<< L
B
Drogaggio di emettitore molto maggiore del
drogaggio di base (per avere amplificazione):
N
E
>> N
B
(> N
C
)
Transistor bipolare a giunzione
Principio di
Funzionamento
(trascuriamo lo spessore delle RCS)
Considero un bjt npn
In polarizzazione attiva diretta
Nel quale
non
non
siano soddisfatte
siano soddisfatte le due
condizioni precedentemente descritte.
Sia quindi:
W
B
>> L
B
, N
E
= N
B
Transistor bipolare a giunzione
Cosa succede se
W
B
>> L
B
, N
E
= N
B
n (emitter) p (base) n (collector)
I
C
I
E
El. Inj
El. Ric.
L
a
c
.

I
n
j
L
a
c
.

R
i
c
.
I
B
Giunzione
Polarizzata
direttamente
Giunzione
Polarizzata
inversamente
La giunzione BC
polarizzata in inversa
fornisce una corrente
trascurabile (Is)
Transistor bipolare a giunzione
Cosa succede se
W
B
>> L
B
, N
E
= N
B
Quindi se la base del transistor non stretta, tutti
gli elettroni iniettati dallemettitore si ricombinano in base
e la giunzione BC polarizzata in inversa non d nessun
contributo (quasi). come se fosse:
QUINDI:
NON HO NESSUN
EFFETTO TRANSISTOR
I
E
= I
B
I
C
= 0
I
B
I
E
I
C
E C
B
I
B
E C
B
I
E
I
C
Transistor bipolare a giunzione
Principio di
funzionamento
Considero un bjt npn
In polarizzazione attiva diretta
Che sia a base stretta W
B
<< L
B
(considero nulla la ric. in base)
Con drogaggio di emettitore e
base uguali: N
E
= N
B
Transistor bipolare a giunzione
Base stretta
W
B
<< L
B
, N
E
= N
B
n (emitter) p (base) n (collector)
I
C
I
E
El. Inj
El. Ric.
L
a
c
.

I
n
j
I
B
Giunzione polarizzata
inversamente
Giunzione polarizzata
direttamente
La giunzione BC
polarizzata in inversa
raccoglie tutti gli
elettroni.
E
Transistor bipolare a giunzione
Base stretta
W
B
<< L
B
, N
E
= N
B
Se la base del transistor stretta, (quasi) tutti gli
elettroni iniettati dallemettitore raggiungono la giunzione
BC polarizzata in inversa (il loro tempo di permanenza in
base molto minore del loro tempo medio di
ricombinazione). La giunzione BC polarizzata in inversa
raccoglie tutti gli elettroni e li spinge (grazie al campo
elettrico favorevole) verso il collettore dando cos luogo ad
una corrente di collettore. Tuttavia essendo N
E
= N
B
la
corrente di collettore uguale a quella di base.
QUINDI:
C EFFETTO
TRANSISTOR MA NON
C AMPLIFICAZIONE
I
C
= I
B
I
E
= 2 I
C
Transistor bipolare a giunzione
Principio di
funzionamento
Considero un bjt npn
In polarizzazione attiva diretta
Che sia a base stretta W
B
<< L
B
(considero nulla la ric. in base)
Con drogaggio di emettitore maggiore
(molto) del drogaggio di base: N
E
>> N
B
Transistor bipolare a giunzione
Condizioni ideali
W
B
<< L
B
, N
E
>> N
B
n (emitter) p (base) n (collector)
I
C
I
E
El. Inj
L
a
c
.

I
n
j
I
B
Giunzione Polarizzata
inversamente
Giunzione Polarizzata
direttamente
El. Ric.
A fronte di poche
lacune iniettate in
base, nel
collettore
arrivano molti
elettroni!
Transistor bipolare a giunzione
Condizioni ideali:
W
B
<< L
B
, N
E
>> N
B
Se il drogaggio di emettitore molto
maggiore del drogaggio di base, a fronte di
una piccola quantit di lacune iniettate in base
(per la legge della giunzione) si ha un gran
numero di elettroni iniettati dallemettitore che
raggiungono il collettore (continua a esserci la
base stretta).
QUINDI:
C EFFETTO
TRANSISTOR E ANCHE
AMPLIFICAZIONE
I
C
>> I
B
I
E
I
C
Transistor bipolare a giunzione
Analisi semplificata
Considero un bjt npn
In polarizzazione attiva diretta
Che sia a base stretta W
B
<< L
B
(non trascuro la ricombinazione in base)
Con drogaggio di emettitore maggiore
(molto) del drogaggio di base: N
E
>> N
B
Trascuro il contributo della BCJ
(polarizzata in inversa)
Trascuro la Gen/Ric nelle RCS
(peraltro mai considerate)
Transistor bipolare a giunzione
Analisi semplificata
n (emitter) p (base) n (collector)
I
B
I
C
I
pE
I
RB
I
nB
I
nC
I
E
I
C
I
E
I
B
Transistor bipolare a giunzione
Analisi semplificata
Indichiamo con V
E
e V
C
le tensioni
applicate alle giunzioni Base_Emettitore e
Base-Collettore rispettivamente, con la
convenzione che tali tensioni si intendono
positive in caso di polarizzazione diretta e
negative in caso di polarizzazione inversa
In polarizzazione attiva diretta sar
quindi: V
E
< 0, V
C
> 0.
Transistor bipolare a giunzione
Analisi semplificata (I
nB
)
n (emitter) p (base) n (collector)
p
E0
p
C0
p
E
(0)
n
B
(0)
W
B
I
nB
x
X=0
( ) ( )
|
.
|

\
|
= =
B
B
B E
B
B E nB
W
0 n
qD A
dx
x dn
qD A ) x ( I
( )
T
E
V
V
0 B B
e n 0 n =
Transistor bipolare a giunzione
Analisi semplificata (I
C
)
n (emitter) p (base) n (collector)
p
E0
p
C0
p
E
(0)
n
B
(0)
W
B
I
nB
I
nC
x
X=0
I
C
NOTA:
non ho
considerato la
I
RB
in quanto
I
nC
>>I
RB
e quindi
I
nB
I
nC
= -I
C
T
E
T
E
V
V
S
V
V
B B
2
i B E
nB nC C
e I e
W N
n qD A
I I I =
|
|
.
|

\
|
= = =
Transistor bipolare a giunzione
Analisi semplificata (I
B
)
Dalla legge
della giunzione
n (emitter) p (base) n (collector)
p
E0
p
C0
p
E
(0)
n
B
(0)
W
B
x
I
pE
I
RB
Q
n
T
E
V
V
E E
2
i E E
pE
e
L N
n qD A
I
|
|
.
|

\
|
=
n
RB
b
Q
I

=
Q
n
=carica di minoritari in base

b
=tempo di vita dei minoritari
Transistor bipolare a giunzione
Analisi semplificata (I
B
)
( )
T
E
V
V
B
B
2
i
E
B B
E n
e
N 2
W n
q A
2
W 0 n
q A Q = =
T
E
V
V
b B
B
2
i
E RB
e
N 2
W n
q A I

=
|
|
.
|

\
|

+ = + =
C
V
V
b B
2
B
E
B
E
B
B
E
S RB pE B
I
e
D 2
W
L
W
N
N
D
D
I I I I
T
E
Transistor bipolare a giunzione
Analisi semplificata (I
B
)
b B
2
B
E
B
E
B
B
E
D 2
W
L
W
N
N
D
D
1

+
=
=Guadagno di
corrente ad
emettitore comune
Per avere valori di elevati bisogne avere:
Base stretta (W
B
piccolo) e poco drogata
rispetto allemettitore (N
B
/N
E
piccolo)
Transistor bipolare a giunzione
Funz. in zona ATTIVA DIRETTA

=
+

=
=

+
=

+
= + =
1 1
I I
e I
1
I
I
1
I I I
E C
V
V
S E
C C B E
T
E
E
T
E
T
E
T
V
V
C S
V
V
C S
B
V
V
C S
E
I I e
I I
I e
I I
I e


=
| |
= =
|
\ .
| |
= =
|
\ .
=Guadagno di corrente a base
comune
Transistor bipolare a giunzione
Modello circuitale
C B
I I =
C
I
B
I
E
I
C
E
B
+
_
v
BE
( )
E B
I 1 I = +
C B
I I =
I
B
I
E
I
C
E
C
B
+
_
0.7 V
( )
E B
I 1 I = +
IN ZONA
ATTIVA DIRETTA
Transistor bipolare a giunzione
Funz. in zona di SATURAZIONE
SATUR AZI ONE Diretta Diretta
MODO
Giunzione
Base-collettore
Giunzione
Base-emettitore
SATUR AZI ONE Diretta Diretta
MODO
Giunzione
Base-collettore
Giunzione
Base-emettitore
n (emitter) p (base) n (collector)
Giunzioni polarizzate
direttamente
Eccesso di portatori
accumulati in base
che danno problemi
nella commutazione
C B
I I <
Transistor bipolare a giunzione
Modello circuitale
IN ZONA DI
SATURAZIONE
I
B
I
E
I
C
E
C
B
+
_
0.8 V
+ -
0.6 V
V
CE
=0.2 V
Le correnti
I
B
, I
C
e I
E
sono
determinate
dal circuito
esterno
C B
I I <
E C B
I I I = +
Transistor bipolare a giunzione
Funz. in INTERDIZIONE
SP ENTO Inversa Inversa
MODO
Giunzione
Base-collettore
Giunzione
Base-emettitore
SP ENTO Inversa Inversa
MODO
Giunzione
Base-collettore
Giunzione
Base-emettitore
n (emitter) p (base) n (collector)
C
B
E
I 0
I 0
I 0
=
=
=
Giunzioni polarizzate
inversamente
Trascurando la corrente di saturazione inversa
Transistor bipolare a giunzione
Modello circuitale
IN INTERDIZIONE
I
B
I
E
I
C
E
C
B
C
B
E
I 0
I 0
I 0
=
=
=
Transistor bipolare a giunzione
Funz. in ATTIVA INVERSA
ATTI VA I n ve r s a Diretta Inversa
MODO
Giunzione
Base-collettore
Giunzione
Base-emettitore
ATTI VA I n ve r s a Diretta Inversa
MODO
Giunzione
Base-collettore
Giunzione
Base-emettitore
Vedremo dopo che il bjt non e simmetrico, c ancora effetto
transistor, ma c poca (anche < 1) amplificazione!!
NON VIENE MAI USATA!
n (emitter) p (base) n (collector)
Giunzione
polarizzata
inversamente
Giunzione polarizzata
direttamente
Transistor bipolare a giunzione
Simboli circuitale e convenzioni
I
B
I
E
I
C
E
C
B
pnp
I
B
I
E
I
C
E
C
B
npn
La freccia presente nel terminale di emettitore indica il
verso della corrente. Con la convenzione adottata nel
verso delle correnti, nel normale funzionamento, si
troveranno sempre correnti positive.
Transistor bipolare a giunzione
Interdizione
Attiva
Saturazione
Caratt. ad Emettitore Comune
I
C
(mA)
V
CE
(V)
I
B
=10 A
I
B
I
C
E
C
B
+
_
V
CE
100 =
20 A
30 A
40 A
50 A
0 1 2
5
4
3
2
1
0
Dalla trattazione
Semplificata, non
c Dipendenza da
V
CE
(V)
Transistor bipolare a giunzione
EFFETTO EARLY
n (emitter) p (base) n (collector)
p
n0
p
n0
P
n
(0)
n
p
(0)
I
n
W
p p
n E n E n
n (x) n (0)
I A qD A qD
x W

| |
= =
|

\ .
I
n
dipende dal gradiente
di concentrazione di
elettroni in base
Transistor bipolare a giunzione
EFFETTO EARLY
n (emitter) p (base) n (collector)
p
n0
p
n0
P
n
(0)
n
p
(0)
W
I
n
Si ha un
allargamento
della RCS e
diminuzione di W
W
Aumentando V
CE
,
aumenta anche la
polarizzazione
inversa della BCJ
Questo comporta un aumento del gradiente di concentrazione
di elettroni in base con il conseguente aumento di I
n
Transistor bipolare a giunzione
EFFETTO EARLY caratt. uscita
I
C
(mA)
V
CE
(V)
I
B
=10 A
20 A
30 A
40 A
50 A
0 1 2
5
4
3
2
1
0
V
A
Tensione
Early
Transistor bipolare a giunzione
EFFETTO EARLY caratt. uscita
I
C
(mA)
V
CE
(V)
I
B
=10 A
20 A
30 A
40 A
50 A
0 1 2
5
4
3
2
1
0
V
A
Tensione
Early
I
C
(mA)
V
CE
(V)
I
B
=10 A
20 A
30 A
40 A
50 A
0 1 2
5
4
3
2
1
0
V
A
Tensione
Early
V
A
Tensione
Early
E
T
V
V
CE
C S
A
V
I I e 1
V
| |
= +
|
\ .
B BE
1
C
0
CE
I ,V cos t
A
C
I
r
V
V
I

(
=

r
0
ha importanti ripercussioni
sul funzionamento
del transistor come amplificatore
Transistor bipolare a giunzione
Struttura dei transistor attuali
n
-
Si-p
bulk
n
+
p
B E C
n
+
n
+