Apparati Per La Conversione Elettrica Da Fonti Rinnovabili - 4

La giunzione PN costituisce il componente base
dellelettronica chiamato DIODO, il cui simbolo elettrico il

seguente
ANODO

CATODO

Il morsetto collegato alla zona P si chiama anodo
Il morsetto collegato alla zona N si chiama catodo

1 Apparati per la Conversione Elettrica da Fonti Rinnovabili - 4
Il diodo ideale:
in condizioni di polarizzazione inversa equivale ad un
interruttore aperto (circuito aperto)
in condizioni di polarizzazione diretta equivale ad un
interruttore chiuso senza caduta di tensione (corto
circuito)

La condizione in cui si trova il diodo dipende dal circuito
esterno e non pu essere controllata agendo sul
componente stesso ( lequivalente elettronico di una
valvola di non ritorno).
Lo stato di on ed off dipende dal circuito esterno
Diodo: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale
regione di
blocco
inverso
tensione
limite inversa
Nei diodi a ripristino veloce (fast-recovery)
il tempo di ripristino (reverse-recovery
time) della distribuzione di cariche nella
giunzione piccolo
Andamento qualitativo della corrente
nel diodo in fase di spegnimento
carica presente nella giunzione in
condizioni di blocco del diodo
Diodi Schottky: bassa caduta di tensione diretta (0.3 V) ma
anche tensione limite inversa limitata (50100 V);
applicazioni in circuiti a bassa tensione
Diodi a ripristino veloce (fast recovery diodes): t
rr
dellordine
dei s; tensione limite inversa e corrente nominale
dellordine delle centinaia di volt ed ampere; applicazioni per
convertitori di potenze considerevoli con frequenze di
commutazione elevate
Diodi a frequenza di rete (line-frequency diodes): bassa
caduta di tensione diretta ma t
rr
relativamente elevato (va
bene per applicazioni a frequenza di rete); tensione limite
inversa dellordine dei kV e corrente nominale dei kA;
applicazioni in raddrizzatori non controllati e convertitori con
frequenze di commutazione prossime a quella di rete
Un transistor bipolare pu essere pensato, in linea di
principio, come linsieme di due giunzioni PN orientate in
senso opposto messe una di seguito allaltra. Ci sono due
possibilit a cui corrispondono due tipi di transistor bipolari:
NPN e PNP La regione centrale si chiama base, le altre
due emettitore e collettore. Il simbolo elettrico il seguente:
EMETTITORE BASE COLLETTORE
.
EMETTITORE BASE COLLETTORE
Sono presenti due giunzioni: una BASE-
EMETTITORE ed una BASE-COLLETTORE. La
regione di base molto sottile e molto meno drogata
rispetto alle altre regioni
Se le due giunzioni sono entrambe polarizzate
inversamente il transistor lavora nella zona di interdizione
(INTERRUTTORE APERTO).

Se le due giunzioni sono entrambe polarizzate
direttamente il transistor lavora nella zona di saturazione
(INTERRUTTORE CHIUSO).

Se la giunzione base-emettitore polarizzata
direttamente e la giunzione base collettore polarizzata
inversamente il transistor lavora in regione attiva o lineare
(FUNZIONAMENTO DA AMPLIFICATORE).
Transistor a giunzione bipolare BJT (NPN): a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale
conduzione
blocco
pilotato in corrente (I
B
>I
C
/h
FE
, con h
FE
=510 guadagno statico in corrente)
V
CE(sat)
=12 V; tempi di commutazione 0.110 s
usato comunemente in passato
ora impiegato solo in applicazioni specifiche
rimpiazzato da MOSFET e IGBT
coefficiente di temperatura negativo cautela nel parallelo (derating in
corrente di circa il 20%, se idealmente bastano 4 transistor in parallelo, se
ne mettono 5)
Dispositivo semicontrollato
Si porta in conduzione applicando un impulso positivo di
corrente al gate con polarizzazione diretta e vi rimane
Si spegne allinversione della corrente
regione
di blocco
inverso
scarica
inversa
tensione
di scarica
inversa
caratteristica
di conduzione
da aperto a chiuso
applicando un impulso i
G
caratteristica di blocco
diretto
tensione
di scarica
diretta
caratteristica
di conduzione
da aperto a chiuso

blocco inverso blocco diretto
Tiristore: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale
Per garantire lo spegnimento la tensione inversa deve essere
applicata per un tempo maggiore di quello di spegnimento t
q

(NB t
q
>t
rr
reverse recovery time, per cui i
A
=0)
Tiristore: a) circuito; b) forme donda; c) tempo di spegnimento t
q

Impulso di corrente
positivo i
G
tempo di ripristino
(reverse-recovery time)
tempo di spegnimento
(turn-off time)
I data sheet specificano t
q
in base al
valore della tensione inversa v
AK
ed
anche la velocit di risalita della
tensione dv
AK
/dt>0 alla fine del tempo
di spegnimento
Tiristori a controllo di fase (phase-control t.): possono operare a
frequenze prossime a quella di rete; tensioni di blocco fino a 57
kV e valore medio della corrente fino a 4 kA; caduta di tensione
diretta 1.5 V per tensioni di blocco fino a 1 kV, 3 V per tensioni
pi elevate (57 kV); adatti per raddrizzatori controllati
Tiristori per inverter (inverter-grade t.): hanno un basso tempo di
spegnimento t
q
(da pochi s a 100 s) e bassa caduta di
tensione diretta (che cresce al ridursi di t
q
); tensioni di blocco fino
a 2.5 kV e correnti fino a 1.5 kA;
Tiristori attivati dalla luce (light-activated t.): sono innescati da
impulsi luminosi convogliati mediante fibre ottiche; utilizzati in
applicazioni HVDC per la trasmissione dellenergia elettrica, dove
necessario mettere pi componenti in serie ed difficile pilotarli
in corrente (tensioni di blocco fino a 4 kV, correnti fino a 3 kA,
cadute di tensione 2 V, potenza impulso luminoso 5 mW)

a) configurazione Darlington; b) triplo Darlington
guadagno pi elevato
maggiore caduta di tensione
velocit di commutazione leggermente pi bassa

MOSFET a canale N: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale
conduzione
blocco
conduzione
blocco
2.7 2.5
DSS
BV k DS(on)
r

=
Il controllo attraverso la tensione di gate pi facile
Entra in conduzione quando V
GS
>V
GS(th)
(valore di soglia)
Competitivo con i BJT a basse tensioni, elevate
frequenze (<300400 V, >30100 kHz)
La resistenza di conduzione aumenta allaumentare della
tensione nominale di blocco BV
DSS

Valore massimo della tensione di controllo 20 V (si
trova anche 5V): pilotaggio pi facile
Tensioni massime >1 kV ma con correnti modeste
Correnti massime 100 A ma con tensioni basse
Coefficiente di temperatura positivo maggiore facilit
per la messa in parallelo
GTO: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale
Rispetto ai tiristori standard, si spengono con un impulso
negativo di corrente di gate abbastanza elevata 1/3i
A

Dimensionamento oneroso del circuito di pilotaggio
Bassa frequenza di commutazione (100 Hz10 kHz max)
Impiego per potenze elevate
conduzione
blocco
conduzione
blocco
apertura
chiusura
Non sopporta dv/dt elevate per cui richiede un circuito R-C di
protezione allo spegnimento (snubber)
Tensioni massime 4.5 kV, correnti massime di qualche kA
Cadute di tensione 23 V
Tempi di commutazione 525 s
circuito di
pilotaggio
del gate
Caratteristiche transitorie del GTO: a) circuito di protezione (snubber); b) spegnimento di un GTO
circuito di protezione
(snubber) per ridurre la
dv/dt allo spegnimento
conduzione
blocco
conduzione
blocco
IGBT: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale
Pilotato in tensione (circuito di pilotaggio pi semplice)
Tensioni massime 23 kV, correnti massime 12 kA
Cadute di tensione 23 V, tensioni di blocco di 1000 V
Tempi di commutazione 1 s
Apparati per la Conversione Elettrica da Fonti Rinnovabili - 4 20
Interfaccia tra reti non controllata (da AC a DC)
Schema a blocchi di raddrizzatore
valore di picco della tensione inversa sul diodo:
s
V
(a): raddrizzatore elementare con carico resistivo, (b) forme donda

( )
( )( )
( ) ( )
0.435
8
2
1
1 n 1 n
1
2 2
THD
1 n 1 n
cosn
2 2
sin
2
1
2
R
V
t i
2
1 k
2k n
2 2
i
1 k
2k n
~
=
+
=
|
|
|
.
|
\
|
+
+ =
=
=
=
=
( ) ( )
( )
( )
( ) ( ) ( )
B Area A Area
0 0 i t i L
dt
dt
t di
L dt t v
0 0 i t i
3
t
0
t
0
L
3
3 3
=
= =
= =
= =
} }
valore di picco della tensione inversa sul diodo:
s
V

Osservazione 1: il punto
*
di zero dipende solo da
Osservazione 2: dato che

il valore medio dipende da V,
R e
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
( )

tan
sin
cos e 0 i
R
L
tan , L R Z , sin cos sin cos e
Z
V 2
i
0 0 i i' L i R Vsin 2
*
* tan *
2 2 2 /tan
*
= =
= + = + =
= + =
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
} } } }
= + =
* * * *
0
*
0
d Vsin 2
R
1
d i 0 i i L d i R d Vsin 2
( ) ( )
*
0
avg
cos 1 V
R 2
2
d i
2
1
I
*
= =
}
Andamento di * e I
avg
al variare di R/(L)
0.001 0.01 0.1 1 10 100
200
225
250
275
300
325
350
*

1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
2
R
V
I
avg
L
R
valore di picco della tensione
inversa sul diodo:
d s
E V +
La corrente inizia a
circolare quando v
s
>E
d

La corrente continua a
circolare per un certo
tempo dopo che v
s
<E
d

(vale ancora il criterio
Area A=Area B)
Elevato ripple, basso fattore di potenza
Dipendenza della prestazione dal valore di L
Componente continua nel secondario del
trasformatore (saturazione del nucleo)
i

i
DC
M
+

M
i
M
i
M

M
+

M
i
M1
i
M2
Una modesta componente continua
I
DC
, che sposta la variazione del
flusso di (da
M
a
M
+),
scompensa in modo drastico la
corrente magnetizzante (da i
M
a
[i
M2
,+i
M1
])
senza componente continua
con componente continua
Condensatore (induttore) adeguato lato DC per
filtraggio tensione (corrente) e accumulo energia
Raddrizzatore a ponte monofase
modello della rete
di alimentazione
=
Configurazioni idealizzate di raddrizzatore a ponte
con L
s
=0

Il circuito a destra con I
d
=cost corrisponde ad avere
uninduttanza di filtro lato DC

Si possono identificare due gruppi di due diodi
ciascuno che conducono in alternativa (D1-D2
e D3-D4)
Raddrizzatori a ponte della slide precedente ridisegnati
FORME DONDA CON CARICO
PURAMENTE RESISTIVO E CON
CORRENTE DUSCITA COSTANTE

la forma donda della
tensione duscita la
stessa

5
1
Ip.: corrente duscita Id costante

h
I
I
h
2 2
I 0.9I I
2 2
I
4
2
1
I
s1
d sh d d d s1
= = ~ = =
48.34% 1
8
1
h
1
h
1
I
I
THD
2
0 k
1 2k h
2
1 k
1 2k h
2
1 k
1 2k h
2
s1
sh
i
~ = = =
|
|
.
|
\
|
=

=
+ =
=
+ =
=
+ =
Nel momento in cui v
s
diventa
negativa, la corrente in L
s
non pu
passare da +I
d
a I
d
istantaneamente
ma dovr esserci un transitorio
(commutazione)
A
B
Ip.: corrente duscita Id costante
Essendo costante la corrente assorbita dal carico, per il principio di
Kirchhoff applicato in A si ha che deve iniziare a circolare una corrente
in D
3
, che diventer Id nel momento in cui la corrente in D
1
si annulla; a
quel punto condurr solo D
3
; analogo ragionamento nel nodo B vale per
il trasferimento della corrente da D
2
a D
4

Durante la conduzione simultanea
di D
1
-D
3
e D
2
-D
4
la tensione tra A
e B praticamente nulla. Si perde
quindi il contributo di v
s
durante
la fase di commutazione e perci
il valore medio della tensione di
uscita v
d
risulta inferiore di
quanto ricavato nellipotesi L
s
=0.

A
B

Circuito elementare e forme donda con L
s
=0
A sinistra: circuito durante la commutazione (inizio della semionda positiva di tensione)
A destra: circuito a commutazione completata
Area A
u
: parte dellintegrale di v che viene perso nella
commutazione (e quindi non d contributo al valore medio)
( )
d s
I
0
s s
u
0
s
s
I L cosu 1 V 2 di L d Vsin 2
d
di
L Vsin 2
d
= = =
} }
A parit di corrente, maggiore L
s
, pi dura la commutazione;
Viceversa, a parit di L
s
, maggiore I
d
, pi dura la commutazione
A vuoto (I
d
=0) o con L
s
=0, u=0 caso ideale
( )
|
.
|
\
|
= = =

V 2
I L
1 cos u
V 2
I L
1 cosu I L cosu 1 V 2
d s
1
d s
d s
V 2
I L
d s
0.5 1 1.5 2
30
60
90
120
150
180 u
d
s
d0
d s
u
0
u
d
I
2
L
V
2
I L
2
V 2 2
d Vsin 2
2
1
d Vsin 2
2
1
d Vsin 2
2
1
V
= =
= = =
} } }
tensione con L
s
=0

Area A
u
d s d
s
d0
I L f I
2
L
V 0.45
2
V 2 2
V
=
~ = tensione a vuoto

caduta di tensione da vuoto a carico

Area A
u
: parte dellintegrale di v che viene perso nella commutazione
(e quindi non d contributo al valore medio)
conduzione simultanea di D
1
-D
3
e D
2
-D
4
( )
d s
I
I
s s
u
0
s
s
I L 2 cosu 1 V 2
di L d Vsin 2
d
di
L Vsin 2
d
d
=

= =
} }

d
s
d0
d s
u
0
u
d
I
L 2
V
I L 2
V 2 2
d Vsin 2
1
d Vsin 2
1
d Vsin 2
1
V
= =
= =
= =
} }
}
d s d
s
d0
I L 4f I
L 2
V 0.9
V 2 2
V
=
~ = tensione a vuoto

caduta di tensione
da vuoto a carico

( ) ( )
d s s s
I 0 i ' i L Vsin 2 = = ( ) ( ) ( ) cos 1 I I cos 1
L
V 2
I i
cc d
s
d s
+ = + =
s
cc
L
V 2
I =
( ) ( )
|
|
.
|
\
|
= = + =

cc
1
d cc d d s
I
Id
2 1 cos u I cosu 1 I I I u i
d
s
I
i
u
100
1
I
I
cc
d
=
0 30 60 90 120 150 180
- 1
- 0.75
- 0.5
- 0.25
0.25
0.5
0.75
1
1
I
I
cc
d
=
2
1
I
I
cc
d
=
10
1
I
I
cc
d
=
Si possono considerare le tre maglie percorse dalle correnti
I
d
(maglia D
4
-A-L
s
-gen.v
s
-B-D
4
-gen.I
d
) e i
u
(maglie D
1
-D
3
-B-
gen.v
s
-L
s
-A e D
4
-A-L
s
-gen.v
s
-B-D
2
); ovviamente i risultati
sono uguali

( ) ( ) ( ) ( )
d s d s d u u d u s
u d D4 D3 u D2 D1
I u i I 0 i I u i 0 0 i I i 2 i
i I i i i i i
= = = = =
= = = =
( )
( ) ( )
b f d f b
0
0
s s
d
s
s d
V cos cos V 2
di L d V Vsin 2
d
di
L V Vsin 2
f
b
=

= =
} }
Pu essere assimilato ad un
generatore di tensione un carico
R-C (C in derivazione) con una
costante di tempo RC>>T=1/f.
Ip.: corrente i
s
inizialmente nulla.
s
d
s
d
d0
d
V 0.9
V
V
2 2
V
V
V
~ =
d
s
d
cc
d
L
V
I
I
I
=
La corrente si annulla quando la tensione lato DC uguale a
quella di picco lato AC:
d0 s s
V
2
V
2
2 2
V 2 = =
30 60 90 120 150 180
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
d
s
d
cc
d
L
V
I
I
I
=

1.2
V
V
d0
d
=
1.4
V
V
d0
d
=
1.3
V
V
d0
d
=
1.5
V
V
d0
d
=
THD alto a basso carico (comunque anche la corrente
bassa)

d
s
d
cc
d
L
V
I
I
I
=
Fattore di cresta (I
p
/I
rms
) alto a basso carico (comunque
anche la corrente bassa)

cc
d
I
I
0 d
V
V
circuito equivalente per lanalisi su
di una semionda
carico rappresentato dalla resistenza equivalente
(ricavato con MATLAB)
(ricavato con Pspice)
PCC: nodo di accoppiamento con un altro carico
buchi di tensione (notching) e distorsione della tensione di linea
La presenza del neutro consente la circolazione di
correnti omopolari (3
e
armoniche e multiple, anche
in caso di carico simmetrico)

sistema
raddrizzatore
monofase
380 V
220 V
La corrente nel neutro pu essere cospicua
(in certi casi pu arrivare a )
linea
I 3
la configurazione pi usata nelle applicazioni di potenza
medio-alta per cui non sia richiesto un ripple molto basso
della tensione di uscita (se f la frequenza di rete, il ripple
ha frequenza 6f)
Del gruppo 1-3-5, conduce il diodo con anodo a tensione
di fase v
in
pi alta (i=a,b,c), mentre del gruppo 2-4-6
attivo il diodo con tensione catodica v
in
pi bassa.
Ip.: corrente di uscita costante

Ip.: corrente costante lato DC ed induttanza nulla lato AC
6
6
3 3 3
2 cos 2 2sin 2 1.35
6
d LL LL LL LL
V V d V V V
t
t
t
u u
t t t
= = = ~
}
-90 -60 -30 0 30 60 90
D
1
D
5
D
3
D
6
D
2
s
2V
=
s LL
3 2V 2V
V
d

con un cambio di variabile riporto lintervallo 060 a 3030
Ip.: corrente costante lato DC ed induttanza nulla lato AC
( )
3
1
0
1
1 4 2 2 6 1
cos sin 0.78 3
3
2
sh
sh d d s d d
s
I
I I h d I h I I I h k
h I h
t
t
u u
t t t
| |
= = = ~ = =
|
\ .
}
3
t
90 120 150 180
D
1
D
3
D
6
D
2
i
a
i
b
i
b
i
c
Ip.: corrente costante lato DC
Per =90 la corrente i
b
non pu annullarsi istantaneamente
e quindi D
6
e D
2
condurranno simultaneamente per un certo
tempo; lo stesso avviene con D
1
e D
3
per =150.
Ip.: corrente costante lato DC
Fasi di
commutazione:
le aree perse
corrispondono ad
una diminuzione
del valore medio
-90 -60 -30
D
1
D
5
v
an
v
cn
v
bn
D
6
v
an
+v
cn

2

v
an
v
cn

2

0 0
maglia con , 2
2 2
2
3 3 3
diminuzione del valore medio
2
d
a c a
u an cn s s c d a an cn s
a an cn an cn
Pn an s an
a an cn
PN an bn s an bn
u I
an cn
s a s d
d i d i d i
i v v L L i I i v v L
dt dt dt
d i v v v v
v v L v
dt
d i v v
v v v L v v
dt
v v
d L di L I u e e
t t t
= = =
+
= = =
= =
= = =
} }
6
s d
fL I
variazione di tensione
da vuoto a carico
Ip.1: tensione costante
lato DC (costante di
tempo RC del carico
grande rispetto a
1/(6f));
Ip.2: corrente
discontinua (la
corrente riparte da
zero ad ogni ciclo
corrispondente a 60)
corrente espressa in p.u. rispetto alla I
cc

cc
d
I
I
s
L
L
3 / V
=
V
s
L
L
3 /
=
Fattori di cresta elevati a correnti basse (preoccupa
relativamente se la corrente in valore assoluto piccola)
cc
d
I
I
Venendo meno lipotesi di corrente discontinua (il che
avviene anche con valori relativamente modesti di L
s
, dato
che il periodo pari a 1/(6f)), entra in gioco il fenomeno della
commutazione e quindi lanalisi pi complessa (Pspice)
( )
s
2
LC
s s
Lp
LC s
2
LC
s
s
Cp
V C j
1
V C j
C
j
L j
V
I
V
1
V
C
j
C
j
L j
V
V
~
|
|
.
|
\
|
=
<< ~
|
|
.
|
\
|
=
=
=
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) t cos t cos V 2 t v 0 B 0 0 i 0 i 0 i
V 2 A 0 A V 2 0 0 v 0 v 0 v
t Bcos t Asin C t i t Bsin t Acos t v
LC s C Lt Lp L
s s Ct Cp C
LC LC LC Lt LC LC Ct
= = = + =
= = + = + =
+ = + =
L=10H I
L
(0)=0
V
R=1m
C=900F
V
C
(0)=0
circuito esemplificativo
( )
V 2 200/ V
t cos V 2 t v
s
s s
=
=
Nei primi istanti, la componente a pulsazione
LC
si
sovrappone alla componente a 50 Hz
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms 45ms 50ms
V
C

-400V
-200V
0V
200V
400V
200 V
400 V
N.B.: I picchi di tensione possono raggiungere un valore pari a
2 2V
s
nel caso di raddrizzatore monofase e a 2 2V
LL
nel caso
di raddrizzatori trifase (ovvero 2 volte il valore di picco)
0s 0.2ms 0.4ms 0.6ms 0.8ms 1.0ms 1.2ms 1.4ms 1.6ms 1.8ms 2.0ms
-100V
0V
100V
200V
300V
400V
400 V
V
C

0.10 0.12
THD
i

THD
i

DPF
DPF PF
PF
0.02 0.04 0.06 0.08
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
cc
d
I
I
raddrizzatore a ponte monofase
raddrizzatore a ponte trifase

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