Sei sulla pagina 1di 10

UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CATANIA

FACOLTÀ DI INGEGNERIA
Corso di laurea in Ingegneria Elettronica

Gaetano L’Episcopo

Caratterizzazione elettrica di una matrice di


rivelatori di singolo fotone

Relatore:
Chiar.mo Prof. Gaetano Palumbo
Correlatori:
Dott. Delfo Sanfilippo
® Dott. Paolo Finocchiaro

Anno Accademico 2005 - 2006


Rivelare singoli fotoni
 SPAD Single Photon Avalanche Diode

 Fotodiodo polarizzato inversamente sopra il breakdown


 Fotone in ingresso Corrente in uscita
 Ionizzazione per impatto Elevato guadagno (~ 106)
 Geiger Mode: dispositivo digitale Comportamento on-off su segnale

Gaetano L'Episcopo 20 Luglio 2006 2


SPAD: limiti ed applicazioni
 Range Dinamico Circuiti di quenching
 Dark Count
 Afterpulsing
 Efficienza Quantica
 Cross Talk

Applicazioni:
 Sensoristica
 Medicina
 Telecomunicazioni
 Astrofisica
 Fisica Nucleare

Gaetano L'Episcopo 20 Luglio 2006 3


Corrente in uscita e guadagno
t2

Q media = ∫ I D ( t ) dt = C D ⋅ ( VA − Vbreakdown )
RL = 100 kΩ t1
Q media
VA + A Guadagno medio =
ID
SPAD
e
- B
+
RS = 50 Ω VOUT
-

Al crescere della tensione


aumenta il guadagno
del dispositivo
Al crescere della tensione
il resistore di quenching non
riesce a “spegnere” la corrente

Gaetano L'Episcopo 20 Luglio 2006 4


Misure di carica su singolo pixel
a
SPAD Discriminatore Generatore di gate

c
b Charge Digital
Linea di ritardo Computer Spettri di carica
Converter (QDC)

Segnale in uscita Carica a 33 V


20000
dallo SPAD 18000 Dati
Fit Qmedia = 2,25 pC
16000
a t σ = 0,1·10-12
14000
Segnale in uscita dallo Conteggi 12000 Gmedio = 1,4·107
SPAD ritardato 10000
8000
b t 6000
4000
c 2000
Gate di t
0
integrazione
0 1 2 3 4 5 6 7 8
20 ns Carica [pC]

Gaetano L'Episcopo 20 Luglio 2006 5


Array di SPAD in configurazione SiPM
 SiPM Silicon PhotoMultiplier 1 Fotone
K
Fotoni in n Fotoni
ingresso
nK

Uscita

Gaetano L'Episcopo 20 Luglio 2006 6


Misure di carica in configurazione SiPM
Carica a 32 V Carica a 34 V
1000 1000000
Dati Dati
100000 Picchi
100 10000
multipli
Conteggi

Conteggi
Lo spettro rispecchia 1000 Eventi di
una gaussiana cross talk
10 100

10

1 1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Carica [pC] Carica [pC]

Carica a 36 V Carica a 38 V
100000 100000
Dati Dati
10000 10000
Eventi di Eventi di
Picchi
Conteggi
Conteggi

1000 cross talk 1000 cross talk


multipli
100 100

10 10

1 1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
Carica [pC] Carica [pC]
Gaetano L'Episcopo 20 Luglio 2006 7
Disuniformità di guadagno fra pixel
G medio = C D ⋅ ( VA − Vbreakdown ) ⋅ e −1
Differente lunghezza
delle piste di metal
Capacità a 0 V

1,4
Capacità [pF]

1,35
1,3
1,25
1,2
1,15 1
1,1 2
1,05 3
1 4 Righe
0,95 5
1 2 3 4 5

Colonne

Differenze nelle Disuniformità Allargamento degli


capacità dei pixel di guadagno spettri di carica

Gaetano L'Episcopo 20 Luglio 2006 8


Conclusioni
 Dalle misure di carica su singolo pixel:
 Il guadagno cresce con la tensione applicata
 Le fluttuazioni statistiche di guadagno crescono con la tensione applicata
 A tensioni elevate il resistore di quenching scelto non è efficace
 Dalle misure di carica in configurazione SiPM:
 La risoluzione dello spettro si riduce al crescere della tensione di
polarizzazione
 È presente disuniformità di guadagno fra pixel dovuta soprattutto alle
differenze di capacità create dalla differente lunghezza delle piste di
metal su silicio
 È presente cross talk, imputabile sia ad effetti induttivi di tipo
elettromagnetico sia ad interferenze ottiche. Tale fenomeno cresce con la
tensione applicata
 Sviluppi futuri:
 Realizzazione di un dispositivo SiPM con circa 5000 pixel e con resistori
di quenching integrati

Gaetano L'Episcopo 20 Luglio 2006 9


Ringraziamenti
 Il Chiar.mo Prof. Gaetano Palumbo
 Il Dott. Delfo Sanfilippo
 Il Dott. Paolo Finocchiaro
 L’ IC’s Technology Development Group della STMicroelectronics di
Catania
 La mia famiglia
 I miei amici e colleghi

Gaetano L'Episcopo 20 Luglio 2006 10