UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI CATANIA

FACOLTÀ DI INGEGNERIA
Corso di laurea in Ingegneria Elettronica

Gaetano L’Episcopo

Caratterizzazione elettrica di una matrice di

rivelatori di singolo fotone

Relatore:
Chiar.mo Prof. Gaetano Palumbo
Correlatori:
Dott. Delfo Sanfilippo
® Dott. Paolo Finocchiaro

Anno Accademico 2005 - 2006

 Rivelare singoli fotoni
 SPAD Single Photon Avalanche Diode

 Fotodiodo polarizzato inversamente sopra il breakdown

 Fotone in ingresso Corrente in uscita
 Ionizzazione per impatto Elevato guadagno (~ 106)
 Geiger Mode: dispositivo digitale Comportamento on-off su segnale

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 SPAD: limiti ed applicazioni
 Range Dinamico Circuiti di quenching
 Dark Count
 Afterpulsing
 Efficienza Quantica
 Cross Talk

Applicazioni:
 Sensoristica
 Medicina
 Telecomunicazioni
 Astrofisica
 Fisica Nucleare

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 Corrente in uscita e guadagno
t2

Q media = ∫ I D ( t ) dt = C D ⋅ ( VA − Vbreakdown )
RL = 100 kΩ t1
Q media
VA + A Guadagno medio =
ID
SPAD
e
- B
+
RS = 50 Ω VOUT
-

Al crescere della tensione

aumenta il guadagno
del dispositivo
Al crescere della tensione
il resistore di quenching non
riesce a “spegnere” la corrente

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 Misure di carica su singolo pixel
a
SPAD Discriminatore Generatore di gate

c
b Charge Digital
Linea di ritardo Computer Spettri di carica
Converter (QDC)

Segnale in uscita Carica a 33 V

20000
dallo SPAD 18000 Dati
Fit Qmedia = 2,25 pC
16000
a t σ = 0,1·10-12
14000
Segnale in uscita dallo Conteggi 12000 Gmedio = 1,4·107
SPAD ritardato 10000
8000
b t 6000
4000
c 2000
Gate di t
0
integrazione
0 1 2 3 4 5 6 7 8
20 ns Carica [pC]

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 Array di SPAD in configurazione SiPM
 SiPM Silicon PhotoMultiplier 1 Fotone
K
Fotoni in n Fotoni
ingresso
nK

Uscita

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 Misure di carica in configurazione SiPM
Carica a 32 V Carica a 34 V
1000 1000000
Dati Dati
100000 Picchi
100 10000
multipli
Conteggi

Conteggi
Lo spettro rispecchia 1000 Eventi di
una gaussiana cross talk
10 100

10

1 1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Carica [pC] Carica [pC]

Carica a 36 V Carica a 38 V
100000 100000
Dati Dati
10000 10000
Eventi di Eventi di
Picchi
Conteggi
Conteggi

1000 cross talk 1000 cross talk

multipli
100 100

10 10

1 1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
Carica [pC] Carica [pC]
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 Disuniformità di guadagno fra pixel
G medio = C D ⋅ ( VA − Vbreakdown ) ⋅ e −1
Differente lunghezza
delle piste di metal
Capacità a 0 V

1,4
Capacità [pF]

1,35
1,3
1,25
1,2
1,15 1
1,1 2
1,05 3
1 4 Righe
0,95 5
1 2 3 4 5

Colonne

Differenze nelle Disuniformità Allargamento degli

capacità dei pixel di guadagno spettri di carica

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 Conclusioni
 Dalle misure di carica su singolo pixel:
 Il guadagno cresce con la tensione applicata
 Le fluttuazioni statistiche di guadagno crescono con la tensione applicata
 A tensioni elevate il resistore di quenching scelto non è efficace
 Dalle misure di carica in configurazione SiPM:
 La risoluzione dello spettro si riduce al crescere della tensione di
polarizzazione
 È presente disuniformità di guadagno fra pixel dovuta soprattutto alle
differenze di capacità create dalla differente lunghezza delle piste di
metal su silicio
 È presente cross talk, imputabile sia ad effetti induttivi di tipo
elettromagnetico sia ad interferenze ottiche. Tale fenomeno cresce con la
tensione applicata
 Sviluppi futuri:
 Realizzazione di un dispositivo SiPM con circa 5000 pixel e con resistori
di quenching integrati

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 Ringraziamenti
 Il Chiar.mo Prof. Gaetano Palumbo
 Il Dott. Delfo Sanfilippo
 Il Dott. Paolo Finocchiaro
 L’ IC’s Technology Development Group della STMicroelectronics di
Catania
 La mia famiglia
 I miei amici e colleghi

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