* El término
semiconductor revela por sí
mismo una idea de sus
características. El prefijo
semi suele aplicarse a un
rango de niveles situado a
la mitad entre dos límites.
* Un semiconductor, por
tanto, es un material que
posee un nivel de
conductividad sobre algún
punto entre los extremos de
un aislante y un conductor.
* El primer paso en la Difusión para obtener
fabricación de algún la unión P-N
dispositivo es obtener
materiales semiconductores
del nivel de pureza deseado,
como el silicio, germanio y
arseniuro de galio. En la
actualidad se requieren
niveles de impureza de
menos de una parte de mil
millones (1 en
1,000,000,000) para la
fabricación de la mayoría de
los dispositivos
semiconductores.
 Unión de
aleación

Unión tipo
mesa difundida
Unión de plana
difundida sobre
sustrato
epitaxial

Implantación
iónica
 Unión P-N abrupta en equilibrio térmico

Variación del potencial con la

distancia
Distribución de carga espacial

Distribución del campo eléctrico Banda de energía

 Diagrama de
banda de energia

Distribución
de campo
eléctrico

Distribución de
carga espacial
 Unión gradual lineal en equilibrio
térmico

Variación de
Distribución
potencial
de carga
con la
espacial
distancia

Diagrama
Distribución
de banda de
de campo
energia
eléctrico
 Unión gradual

Unión abrupta Unión real

Tipos de uniones: en la mayoría de los casos se hace un estudio de la unión

abrupta o de la gradual de la unión p-n.
 Gradiente de la
tensión de uniones,
gradientes lineales
de Si, Ge y GaAs.
Un alto dopado
bajo tensión
implica la
generacion de un
campo electrico ya
que abran mas
cargas disponibles
por lo tanto un
campo mas
intenso.
 Anchura y capacidad de
la capa de vaciamiento por
unidad de área en función
del gradiente de impurezas
para la unión gradual
lineal en Si. La línea
intercortada es para el caso
de tensión de polarización
cero. Si el gradiente se
incrementa la anchura de
la region de vaciamiento
disminuye
 * Al dopar el cristal, las
concentraciones no son iguales a las
concentraciones intrínsecas, se
observa q el incremento del nivel de
Fermi mes exponencial, ocurre en
equilibrio.
* Al polarizar el diodo, aparecen los
seudo niveles de Fermi o seudo
potenciales ya que las concentraciones
aumentan cerca de la unión y por
tanto se reduce la región de
vaciamiento.
* pn aumenta si es polarización
directa y disminuye si es inversa, pero
ambos en forma exponencial.
 Ecuacion de la corriente

Al suministrar un potencial
positivo se obtiene una curva
exponencial positiva y el
diodo esta polarizado Curva caracteristica
directamente, si el voltaje es
negativo se llega a la region de
saturacion y el diodo esta en
polarizacion inversa.
Se observa como aparecen los seudoniveles de Fermi tanto para la polarizacion
directa como para la polarizacion inversa, con la diferencia de que para la
polarizacion directa las concentraciones aumentan y para la polarizacion inversa
disminuyen.
 Se observa que los portadores
mayoritarios se incrementan en
polarizacion directa , aparece una asintorta
llamada longitud de difucion.
Se observa un flujo de corriente, este
es de electrones y huecos, por lo tanto
si disminuye la corriente de electrones
tiene que aumentar la de huecospara
que se mantengan constantes
 El proceso de generación directa
ocurre cuando un electrón es
excitado directamente desde la
banda de valencia a la banda de
conducción, dando como resultado
un gran electrón-hueco. Por el
contrario, la recombinación directa
ocurre cuando un electrón cae desde
la banda de conducción
directamente a la banda de valencia,
eliminándose tanto el electrón como
el hueco.
 Curva característica
corriente-tensión de un
diodo de Si practico:
a- región de corriente de
generación-precombinación.
b- región de difusión de
corriente
c- región de alta inyección
d- efecto de resistencia serie
e- corriente de fuga inversa
debida a la generación-
recombinación y a los efectos
superficiales.
 Dado que en la unión se almacena carga, ocurre un efecto capacitivo, se
observa que Vo es la tensión de polarizaciòn que se le esta aplicando, lo
cual implica que la capacidad depende de la tensión aplicada, por esta razón
existen los diodos de capacitancia variable.
 Se observa como la
capacidad disminuye con la
frecuencia, de aquí el hecho
de que este tipo de unión no
responden a altas
frecuencias, ya que ponen en
corto las uniones.
 La unión es muy dependiente de
los cambios de temperatura, se
observa la curva del diodo en
polarizaciòn inversa para diferentes
temperaturas, lo cual indica que el
semiconductor conduce mejor para
altas temperaturas.

Se observa como hay una

dependecia directa con la
anchura de la regiòn de
vaciamiento y la temperatura.
 El efecto túnel es un efecto
mecanocuántico que consiste
en que una partícula pueda
atravesar una barrera de
potencial sin tener energía
suficiente para rebasarla por
encima (en el sentido clásico),
debido a que la probabilidad
de que la partícula se
encuentre al otro lado de la
barrera es no nula.
 A la tensión en la que
la IR aumenta de repente,
se le llama "Tensión de
Ruptura" (VRuptura). A
partir de este valor IR es
muy grande y el diodo se
estropea. En el diodo ha
ocurrido el "Efecto
Avalancha" o "Ruptura
por Avalancha".

Efecto Avalancha = Ruptura por Avalancha = Multiplicación por Avalancha

 Se observa que la tensión de ruptura
aparece con mas facilidad para bajas
tensiones cuando esta altamente
dopado, lo cual significa que es mas
fácil que se rompa el diodo cuando
esta altamente dopado que cuando
esta poco dopado.
Se observa la tensión de ruptura
comparado con la concentración de
portadores minoritarios, en
direcciones diferentes, lo cual
significa que la multiplicación por
avalancha no es uniforme.
 * Se observa como hay un
incremento del campo y como la
anchura de la regiòn de vaciamiento
se reduce cuando se incrementa el
dopado.

* Las corrientes inversas se

incrementan con la tensiòn y la
temperatura mas elevada, hay
mayores corrientes inversas y por lo
tanto se acelera el rompimiento.
 * Se observa como hay un
incremento del campo y como
la anchura de la regiòn de
vaciamiento se reduce cuando
se incrementa el dopado
 * Las corrientes inversas se
incrementan con la tensiòn y la
temperatura mas elevada, hay
mayores corrientes inversas y
por lo tanto se acelera el
rompimiento.
 Algunos dispositivos se
Tensiòn de la
pueden usar como
uniòn en funciòn
conmutadores, pero a causa de
del tiempo
que exixta carga almacenada
(un capacitor que necesita
tiempo para cargarse y
descargarse) se genera un
Respuesta
problema.
trancitoria
Circuito de conmutación
básico
Distribuciòn de
portadores
minoritarios
para varios
intervalos de
tiempo
 El termino termino “ruido” esta relacionado con las fluctuaciones
espontáneas durante la circulación de la corriente o de las caídas de
tensiones en barreras semiconductoras en materiales o dispositivos.

Dado que los dispositivos especialmente se usan para medir pequeñas

cantidades físicas o para amplificar pequeñas señales, las fluctuaciones de
las corrientes y las tensiones se convierten en un limite de la exactitud de
las respectivas cantidades a ser medidas o amplificadas.

Es importante conocer los factores que producen este limite para

optimizar las condiciones de funcionamiento con este conocimiento y
encontrar nuevos métodos y nuevas tecnologías para reducir el ruido.