AMPLIFICADORES DE ALTAS

FRECUENCIAS
BANDA ANCHA
• El diseño de amplificadores banda
ancha trae consigo nuevas
dificultades, En principio se debe
compensar la transferencia de
frecuencia, Por medio del parámetro
S21,
• Para el diseño de problemas
simples se hace uso de Programas
CAD y CAE (Computer Aided
Education).
• Se puede determinar un
compromiso entre:
• Superficialidad del amplificador,
ruido, estabilidad, Impedancia de
entrada y de salida. Usando uso de
procedimientos
CARACTERÍSTICAS de optimización
DE LOS
adecuados,
PROBLEMAS como:
• Método Monte-Carlo. • Comportamiento típico de la
• TípicamenteDE DISEÑO|S21| y |
disminuye
• Determinación
TÍPICOS: del Gradiente. dependencia de frecuencia de
S12| aumenta con el incremento
• Optimización evolutiva. los parámetros |S12|,
de frecuencia:
• 6dB/Octava (Factor 2) |S21| y |S12S21|
• Los parámetros de dispersión
S11 y S22 presentan también una
dependencia de la
frecuencia, Lo que genera junto
con el sistema de acoplamiento,
Un error de acoplamiento, Como
• El coeficiente
consecuencia de ruido ylael VSWR
disminuye
se hacen normalmente
Ganancia de amplificación.
dependiente de la
• Para solucionar este problema
frecuencia
existen básicamente 4 Procesos,
• Sistemas de acoplamiento
compensados,
• Retroalimentación,
• Amplificadores balanceados y
distribuidos.
SISTEMAS DE ACOPLAMIENTO
COMPENSADOS
• El sistema de acoplamiento
compensado es un proceso que
consiste para el caso
mas simplificado en:
• Generar para la frecuencia central características de ancho de
un determinado grado de
• Dentro de la función de
transferencia correspondiente al
sistema permanece
la amplificación
aproximádamente constante
dentro de un determinado
• El desacoplamiento se rango
de frecuencia.
incrementa al disminuir la
frecuencia.
• A pesar de que es posible todavía
con mucho trabajo realizar diseños
hasta cierto
punto aceptables de problemas
sencillos con ayuda de la carta de
Smith, Generalmente se hace uso
de Métodos CAD de diseño. Bajo
las técnicas CAD, Se determina
dentro un rango de frecuencia la
Matriz de Dispersión [Sges] del
amplificador
• total, Mediante
Con mucha frecuencia un
se diseñan
programa dede
los sistemas análisis de ysistemas.
entrada de salida
con líneas Microstrip,
Especialmente por debajo de los
6GHz, Debido a que las
banda en principio, Están
• Amplificadores banda ancha de
GaAs híbrido con sistema de
acoplamiento a base
de componentes convencionales
discretos para un ancho de banda
entre 1,75 y
6GHz.

• Amplificador híbrido ultra banda
ancha de GaAs con
retroalimentación y un
acoplamiento sencillo con línea
Microstrip para un ancho de banda
• Circuito básico de un
amplificador banda ancha con
una posible retroalimentación
negativa, condensadores de
rechazo y de derivación y
componentes reactivos de
• La desventaja de un diseño
simplificado se presenta en que:
• Necesariamente la entrada y la
salida del amplificador tendrán un
determinado grado de
desacoplamiento. Para superar
esta desventaja, Se plantean
diseños como el de la figura a
continuación,
• Los circuitosComo
de un
amplificador bandanegativa,
retroalimentación ancha deSe
dos etapas.
consideran como los más efectivos
y sencillos métodos de
transferencia banda ancha.
• La representación esquemática a
continuación muestra, Todos los
componentes importantes de la
retroalimentación negativa, Así
como los capacitores de rechazo y
derivación, los cuales no se
utilizan todos simultaneamente.
• Amplificador banda ancha de dos etapa
• Circuito básico de un amplificador banda ancha con posibles
componentes de retroalimentación negativa, condensadores de
rechazo y derivación y componentes
reactivos de compensación.
ACOPLAMIENTO NEGATIVO
• PRIMER PASO:
•Analicemos un circuito amplificador con la característica donde:
• La retroalimentación negativa es resistiva pura.
•Se debe considerar también el caso muy frecuente, De la combinación
de retroalimentación negativa, Serie y paralela Usando un transistor
bipolar de Si en la configuración de emisor común.
Ganancia de amplificación de tensión

Impedancia de entrada

Impedancia de salida

• Con ayuda de resistencias puras de retroalimentación, se disminuye

para operación de
bajas frecuencias, La ganancia de amplificación, La impedancia de
entrada y de salida.
El ancho de banda es posible incrementarla disminuyendo la ganancia
de amplificación.
Donde permanecen aproximadamente constante, El factor de calidad,
El producto entre Ganancia de amplificación y ancho de banda.
• Circuito monolítico Si-IC
Darlington con
retroalimentación óhmica.
Par un ancho de
banda: 0,1 hasta 2,0GHz
 • SEGUNDO PASO:
• Se deriva para un MESFET de GaAs con ayuda de los parámetros
S, Un modelo para la retroalimentación de baja frecuencia válida para
una región aproximádamente de 1,5GHz. Para limitar el coeficiente de
ruido a un valor pequeño, es recomendable una retroalimentación
negativa paralela. RS es la resistencia parasitaria de fuente del
• Consideremos que:
Transistor.
Factores de autoreflexión: • Para el Coeficiente de ruido F, Para
la resistencia de acoplamiento de
retroalimentación paralela RF, La
cual es una condición del
Factor de transmisión inverso: acoplamiento de entrada.
• Y para el ancho de banda
B(gF=1/RF, gds=1/rds) Son válidas
las relaciones siguientes:
Factor de transmisión directo: • Se obtiene aproximaciones para:
• La Ganancia y para La resistencia
de retroalimentación gds=0, Bajo la
condición de un acoplamiento ideal,
S11=S22=0 Estas aproximaciones
con: ayudan a estimar la relación
existente entre el diseño de circuitos
y los datos característicos.
• Pendiente
 • Donde P es un factor sin
dimensión dependiente de un
componente
semiconductor específico,
• El cual puede ser
determinado de la corriente
cuadrática de ruido
Drenaje-Fuente,
• <i2
dn>=4kT.Δf.gm.P

• De acuerdo a la figura siguiente, Se

agregan elementos reactivos en el
circuito, Con lo cual se incrementa
el ancho de banda. Además
disminuye el factor de
retroalimentación negativo en las
bandas de frecuencias superiores,
esto se logra:
• Puenteando capacitivamente con CS
la resistencia de la fuente, A través
de una compensación inductiva
paralela a la entrada y la salida con
LG2 y LD1. Con una compensación
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS BANDA ANCHA.
BALANCEADO CON LÍNEA
ACOPLADORA DE 3dB BRANCH
Un amplificador balanceado de
acuerdo a la figura a continuación
es otro método para ampliar el
ancho de banda:
• Donde se conectan en paralelo dos
amplificadores tanto del lado de
entrada como de salida, A través de
una línea acopladora de Branch
de 3dB o acoplador híbrido de
900. Con esto el acoplador de
longitud λ/4 de entrada, divide
equitativamente la potencia de
entrada entre ambos
• amplificadores,
Se comprueba que El es
acoplador delos
válido para
salida superpone
Parámetros las señales
de Dispersión Sij (i,j=1,2)
vectorialmente
mostrados defigura
en la nuevo.a
continuación:

• Amplificador balanceado con

acoplador de línea Branch de 3dB
• La matriz de dispersión del
acoplador de 3dB en la
frecuencia central, se expresa
como:
• Para el caso de ser ambos
amplificadores son idénticos:
• Es válido para todo el
sistema amplificador
independiente de posibles
desviaciones del
acoplamiento de acuerdo a
laVentajas
• ecuacióndelde amplificador
arriba con
S11=0 y S22=0.
balanceado:
• Cada amplificador individual
puede ser diseñado para que se
muestre una respuesta plana de
ganancia de amplificación. Y bajo
coeficiente de ruido. Donde no
ondas estacionarias resultante, la
cual es dependiente de la
frecuencia.
• Alta estabilidad haciendo uso de
un alto nivel de desacoplamiento.
• La potencia máxima de salida
libre de distorsión es el doble de
la presente en un amplificador
individual.
• Si una etapa está fuera de
servicio, Opera el amplificador con
parámetros de potencia
reducidos.
• Desventajas del amplificador
• Se simplifica la configuración en
balanceado:
cascada con otras unidades
• Alto consumo de corriente.
circuitales.
• Elevado costo de los componentes.
• Se incrementa las dimensiones del
equipo final.
 AMPLIFICADORES DE ALTAS
FRECUENCIAS
BANDA ANCHA. DISTRIBUIDOS DE
ONDAS DE PASO.
• DESCRIPCIÓN DEL AMPLIFICADOR DE ONDA VIAJERA,
• Con esta técnica se amplía el proceso clásico de amplificación banda
ancha. El principio básico se puede derivar de la figura a continuación.
Varios FETs se conectan paralelos,
A través de tramos de líneas de transmisión, Conexión que se efectúa
tanto a compuerta como a drenaje. El tiempo de tránsito de la señal del
punto, 1 a través del 2 hacia el punto 6, Es idéntico al tiempo de
tránsito de la señal del
punto, 1 a través 5 hacia el punto 6. En estos diseños, las líneas de
transmisión de
retraso tanto en cada compuerta y drenaje individual, Presentan
la misma longitud. Por medio de estos diseños se excitan ondas de
potencia, a la salida de cada Drenaje individual, con un nivel de
amplificación adecuado.

• Representación esquemática de un amplificador de onda viajera de

cuatro etapas con FET. También denominado amplificador
• La ventaja de este tipo de circuito comparado con:
• La conexión paralela de varios FETs, es Que se suman las
pendientes gmi de los componentes, Pero no se superponen las
capacidades de: Compuerta,
• En el amplificador de onda yviajera
Drenaje.
se puede obtener un mayor
ancho de banda manteniendo constante la Ganancia de
amplificación

AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS DE DOS

PUERTOS

• En estas relaciones son L´g, C
´g, L´d y C´d Las
Inductividades y
Capacidades por unidad de
superficie que aparecen en las
líneas de transmisión de las
conexiones. Aplicando la teoría
de lineas de transmisión libre de
efectos de retroalimentación
con:
• Cgd=0
• Se puede llegar a la expresión
a continuación para la
Ganancia de una
configuración de n etapas.
• Para condiciones de operación
normales,
• Se propagan las ondas en las
líneas de transmisión de la
compuerta y del
drenaje, Aproximádamente
sincronizadas entre si, Esto implica
que sea válido:
βglg≈βdld
• Si además se suponen, Líneas de
transmisión con baja atenuación, se
puede estimar que sea válido:
• |γg|≈|βg|, |γd|≈|βd| y
Zg≈Zd=ZO
• La expresión de la Ganancia se
reduce a la relación siguiente:
• De la relación anterior de la
Ganancia se observa claramente:representa, La Ganancia
• Que la Ganancia no
necesariamente se incrementa, Si
se aumenta el número de etapas puede observar que:
n.
• La Ganancia podría tender a
cero, si se incrementa
• Las pérdidas el valor
de la línea de
n.
transmisión en cadena del
drenaje αd, En relación a las
pérdidas en la conexión de
compuerta, Se puedan
despreciar.
• Para la Ganancia se obtiene
la siguiente expresión:
• Las características
primordiales de esta técnica
circuital se muestra en las
figuras de la lámina siguiente.
• En la primera figura se
dependiente de la frecuencia en
función del número de etapas, Se
• Para n=4 etapas se obtiene una
respuesta óptima muy plana. En
deesta figura se trata un ejemplo de
un amplificador para 2- 12GHz
con un MESFET de GaAs con una
longitud de compuerta de 1μm.
• En la segunda y tercera figura
se muestra:
• La dependencia de la respuesta de
frecuencia de la ganancia de
amplificación, en función de: De la
resistencia interna de drenaje rd
y de compuerta rg del FET. Se
observa en estos resultados, que
existe una resistencia óptima,
Manteniendo el número de etapas
n fijo, invariable.
• En la última figura se presenta un
circuito práctico, Sobre un
AMPLIFICADORES DEALTAS FRECUENCIASDE DOS
 AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS DE
• Los sistemas activos de unUN PUERTO
puerto, Muestran una componente real
negativa en la Impedancia de sus bornes, Bajo determinadas
condiciones de operación.
• Se conocen en este grupo de componentes:
• El diodo túnel,
• El diodo IMPATT,
• El elemento Gunn,
•
• El diodo
Para VARACTOR.
la Ganancia de transmisión dada con la ecuación anterior, Se
obtiene de acuerdo a la figura de la lámina siguiente, la relación:
• Usualmente se diseñan
amplificadores como:
• Sistemas activos de un
puerto, Como
amplificadores de
reflexión. En estos
sistemas se separan
unos de otros, Con un
circulador, el cual es
un elemento de
transmisión asimétrico,
• Generador,
• Impedancia de carga,
• En la figura a continuación se representa, El circuito de un amplificador
de reflexión con circulador. La resistencia negativa –Rn, Genera un
Factor de Reflexión con el módulo, |r2|>1, en el puerto 2 del
Circulador. La potencia entregada al puerto 1 por el generador de
señales, Se alimenta, agregando Ganancia de amplificación, a la
resistencia de carga RL a través del puerto 3. En el puerto 4 se
cierra el circulador, conectando una resistencia libre de reflexión Zo.
Esto se hace para evitar los efectos de una retroalimentación del
puerto 3 hacia el puerto 1.

Representación básica de un amplificador de

reflexión.
• La Ganancia de amplificación de operación disponible máxima
del amplificador de reflexión:

• No es posible alcanzar cualquier alto nivel de Ganancia de

amplificación de potencia de operación, Debido a las condiciones
de estabilidad, se selecciona en una
etapa de amplificación:
• Gmax≈30 hasta 100, que corresponde a:
• 15 hasta 20dB. El límite de estabilidad se alcanza para, Zo=Rn.
• La temperatura de ruido efectiva en la entrada del
amplificador

AMPLIFICADORES DE ALTAS FRECUENCIAS DE REFLEXIÓN CON

DIODO TÚNEL
• La figura de la lámina siguiente muestra el circuito equivalente de
pequeña señal
de un Diodo Túnel, El punto de trabajo A se ubica según la curva
característica siguiente, En la región de caída de la curva.
 1: Efecto túnel directo
2: Efecto túnel indirecto. A
través de niveles de Trap.
3: Curva característica de flujo
de Shockley

• Curva característica de un
diodo túnel con su punto de
operación A.
• UH: Tensión de
protuberancia aprox. 60mV
para Germanio y 100mV
para
GaAs.
• UT: Tensión de depresión
aprox. 250 hasta 450mV
para Germanio y de 450
• La respuesta de operación queda limitada para las
hasta 650mV altas
para GaAs,
frecuencias por: corresponde al punto de
• La Capacidad de bloqueo superficialinflexión
Cj, de un diodo
• La Resistencia de trayectoria RB. normal.
• LS representa la inductividad de conductividad interna.
• De acuerdo a la figura anterior, Se obtiene, convirtiendo en las
magnitudes Series Rns y
Cs con τ=RnCj. • Debido a que es válido:
• RB«Rn para las bajas
frecuencias Re(Z)<0.
Para Re(Z)=0, La
frecuencia de operación
tiene que ser menor que la
frecuencia de corte fc.

• Con los diodos túnel de microondas se

pueden alcanzar frecuencias de corte de
hasta 100GHz.
• La componente imaginaria de la
impedancia Z(ω) se hace cero, Para la
frecuencia de resonancia intrínseca del
 Si es válido entonces

• Por debajo de la frecuencia de corte se pueden diseñar amplificadores

sencillos con diodos túnel. El área de aplicación principal de los diodos
túnel
en las microondas se encuentra en esta región de frecuencias de
operación. El circuito equivalente básico de un amplificador de diodo
túnel
• Consela representa en lase
figura siguiente figura a) de
obtiene ellacircuito
lámina siguiente.
equivalente de
pequeña señal del amplificador de diodo túnel representado en
la figura b) de la lámina siguiente.

a) Circuito básico de un amplificador de diodo túnel en circuitos series.

b) Circuito equivalente de pequeña señal del amplificador de diodo túnel
• Circuito equivalente de
pequeña señal del
amplificador de diodo
túnel con circulador
• De acuerdo a la figura y las ecuaciones anterior se obtiene la
Ganancia de Potencia de Transmisión:

• La condición para ajustar la

suma de las resistencias
interna del generador, de
trayectoria y de carga, se
expresa
a continuación:
• Se obtiene la Ganancia máxima
disponible para el amplificador con
circulador :
• Para el Amplificador con Circulador anterior se expresan las
condiciones de estabilidad a continuación:

• Es necesario tomar en consideración en el diodo túnel,Como fuente

de ruido interna:
• El ruido granular de la corriente continua del diodo Io en el
punto de trabajo, así como El ruido térmico generado por la
resistencia de trayectoria
• Para un amplificador RB ypara
y con Rn Rns la
detemperatura del diodo de
la figura y expresiones
TD.
anteriores, Se puede obtener la siguiente expresión para la
temperatura de ruido efectiva mínima para alta amplificación:

AMPLIFICADORES DE REFLEXIÓN CON ELEMENTO GUNN Y DIODO

DE
•La AVALANCHA
potencia de salida generada por los diodos túnel es
relativamente baja, <1 hasta 10mW. Potencias de salidas altas
se alcanzan usando como sistemas de dos polos
activos:
• Elementos Gunn, o
• Diodos IMPATT.
• Estas características de operación del Elemento Gunn se aprovecha
para generar Ganancia de Amplificación de la Señal. La frecuencia
mas baja para la cual esto ocurre, Coincide con el valor del inverso del
tiempo de tránsito de dominios t. Para valores de concentraciones
de dopado mayores que el valor crítico, Sólo para determinadas
regiones de la tensión de operación del Elemento Gunn, Aparece esta
conductancia diferencial
• Con el diodo IMPATT: negativa.
Impact Avalanche Transit Time, y con
• Con diodos TRAPATT: Trapped Plasma Avalanche Triggered
Transit, Se pueden alcanzar altas potencias de salida, En modo de
operación de pulsos, Como la que se necesita en aplicaciones de
RADAR. Para sobre tensiones muy altas en operación de polarización
inversa, Las potencias corresponden los valores alcanzados en modo de
operación de oscilador. En la figura de circuito equivalente este
tipo de amplificador se
muestra en la lámina a continuación:

• Amplificador de reflexión con Diodo TRAPATT.

• El sistema de transformación • Las figuras b) y c) a continuación
agregado en la figura del muestran dos posibles
amplificador de reflexión configuraciones del sistema de
visto arriba, Comparado con la transformación, Sin la alimentación
figura de abajo, Este sistema de de corriente continua. En la figura b)
transformación permite una se logra la respuesta de
operación de amplificación impedancia deseada, Por medio de
estable, Al acoplar el diodo a la las dos líneas se transmisión
impedancia interna Zo, Tanto para conectadas en serie al diodo.
la frecuencia de la señal, Como • En la figura c) se conecta el
para armónicos de la frecuencia diodo al circulador, A través de un
de la señal. acoplador λ/4 Microstrip. La
• La tensión de operación UB se ganancia de amplificación
modula con la correspondiente alcanzada por este tipo de
relación de amplificador, Está en el orden de
impulso de la señal de salida aprox. 5 hasta 10dB. Se pueden
lograr anchos de bandas de 10 hasta
20%.