Proyecto de Laboratorio

6y7
Diseño experimental y
caracterización eléctrica de
dispositivos semiconductores
a bajas temperaturas
Profesor: Martínez, Oscar
Grupo de Energía Solar, CNEA, Constituyentes
Laboratorio: Daños por radiaciones
Director de laboratorio: Palumbo, Félix
Facultad: FCEyN, UBA
Alumno: González de Urreta, Emiliano José
 Motivación
 Ruptura del óxido de gate debido a
estrés de tensión.
 La exposición al estrés genera carga
acumula en el SiO2.
 La degradación se explica por un
proceso de creación de pares y
migración de huecos.
 Migración térmicamente activada por
encima de los -133° C.
 Por debajo de los -133° C la migración de
huecos se “frena”.

 Una infraestructura que sirva para

caracterizar dispositivos a bajas
temperaturas es importante para entender
este proceso.
Estructura basica de un dispositivo MOS canal n.
 Etapas del proyecto
 Diseño y construcción de cámara de
vacío.
 Pruebas de vacío.
 Diseño y construcción del
portamuestras.
 Pruebas de nitrógeno líquido (NL).
 Conexión de sistemas de
caracterización.
 Caracterización eléctrica.
Diseño y construcción de la
cámara de vacío
 Adaptador pasante NL Pasante NL

Adaptador brida Tapa brida

Adaptador bomba
mecánica
Adaptador
D-25
Tapa
brida

Adaptador
Pasante
NL
Adaptador bomba
mecánica
Tapa ciega
 Pruebas de vacío
 Se hicieron sucesivas pruebas de vacío en
la cámara, y no se detectaron fallas
importantes. Vacío en la cámara del orden
de los 3*10-1 mbar.

 Luego de algunas mejoras se logro

alcanzar presiones del orden de los 2-
3*10-2 mbar.
 Portamuestras

1 2
1 6

1 2 3 4
5

1. Cocodrilos para sujetar la muestra y los Pt-100.

2. Pt-100 sobre la muestra y sobre el portamuestras.
3. Teflón para aislar eléctricamente la muestra del portamuestras.
4. Serpentina de Cu por donde circula el LN.
5. Soldadura de aluminio.
6. Contactos eléctricos para caracterizar la muestra.
 Pruebas de nitrógeno líquido
 Las primeras pruebas sobre el
portamuestras mostraron
temperaturas en un extremo de
alrededor de los -191° C.

 Una vez incorporado el dispositivo

las temperaturas alcanzadas por este
fueron del orden de los -170° C
Conexiones eléctricas
D-25

Conexiones Pt-100 y
muestra

Encapsulado
TO-3
Dentro se haya
La oblea de Silicio
Caracterización eléctrica
 Sistema de caracterización eléctrica

1. Sistema de medición de corriente SMU Meter Keithley 2602 (sensibilidad de

corriente 10-15 A).
2. Matriz de conmutación Keithley 7001 Switch System.
3. Computadora de control y adquisición de datos.
 Sistema de enfriamiento por NL

Pasante de NL Cámara de vacio

Bomba mecánica

Manguera de desagote Manguera de conexión Contenedor de NL

 Sistema de control de NL

Válvula para regular

La salida de NL

Manguera de aire
comprimido

Válvula de seguridad para

Medidor de presión en unidades
controlar la presión de NL
PSI
 Resultados experimentales

 Mediciones IV y GCD a TA y BT

 Curvas de estrés eléctrico.

 1.0E+00
1.0E-01
DMOS
1.0E-02 VD=+0.3V
TA
1.0E-03

Log[I] (Log[A])
1.0E-04 -170 C
Is 1.0E-05
[A] 1.0E-06
1.0E-07
1.0E-08
1.0E-09
1.0E-10
1.0E-11
-2.0 -1.0 0.0 1.0 2.0 3.0
Tensión (V)

•Se observa un pico en la medición TA en aprox. -0.8 V.

•Disminución de la corriente en inversa en la zona de apagado.
•Corrimiento de la curva hacia la derecha a causa del cambio en los niveles
de energía.
•Aumento de la pendiente.
 1.0E+00
DMOS
1.0E-01
VD=+0.3V
1.0E-02
TA
1.0E-03
Log[I] (Log[A]) 1.0E-04
-170 C
Is 1.0E-05
[A] 1.0E-06
1.0E-07
1.0E-08
1.0E-09
1.0E-10
1.0E-11
-2.0 -1.0 0.0 1.0 2.0 3.0
Tensión (V)

•No hay cambio en la corriente en directa en la zona de apagado.

•Corrimiento de la curva hacia la derecha a causa del cambio en los niveles
de energía.
•Aumento de la pendiente.
 4.0E-08

VG = -23.5V (3)
- 170 C (2)
3.5E-08

(1)
Corriente de Gate [A] 3.0E-08

2.5E-08

2.0E-08

1.5E-08

1.0E-08
1 10 100 1000 10000
tiempo [seg]

Aumento de la corriente de gate debido al angostamiento en

la barrera de potencial entre el metal y el silicio a causa de
la acumulación de cargas positivas en el óxido
 1.0E+00
DMOS
1.0E-01
VD=+0.3V
1.0E-02
TA
1.0E-03

1.0E-04
Log[I] (Log[A]) (4) TA
1.0E-05
Is
[A] 1.0E-06 (2) y (3) (1)
1.0E-07

1.0E-08
-170 C
1.0E-09

1.0E-10

1.0E-11
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
Tensión (V)

•Corrimientos de las curvas hacia la izquierda por acumulación

de carga positiva en el óxido.
 1.0E+00
1.0E-01
DMOS
VD=-0.3V
1.0E-02
1.0E-03
TA -170 C
Log[I] (Log[A]) 1.0E-04
(4) TA (1)
Is 1.0E-05 (2) y (3)
[A] 1.0E-06
1.0E-07
1.0E-08
1.0E-09
1.0E-10
1.0E-11
-2.0 -1.0 0.0 1.0 2.0 3.0
Tensión (V)

•Corrimientos de las curvas hacia la izquierda por acumulación

de carga positiva en el óxido.
• Aumento del pico debido al aumento de los centros de
regeneración y recombinación.
 Avances y conclusiones
 Logramos construir una cámara capaz de llegar a
presiones del orden de 2,4*10-2 mbares.
 Se logró construir un portamuestras capaz de
alcanzar temperaturas del orden de los -170° C,
aislado eléctricamente del dispositivo.
 Se lograron también realizar las conexiones
necesarias para sensar temperatura y para
caracterizar eléctricamente el dispositivo.
 Logramos la caracterización de dispositivos
VDMOS a temperatura ambiente y a bajas
temperaturas, sin estrés y con estrés eléctrico.

Pasos futuros pendientes para otro proyecto

La inclusión de un sistema de control de temperaturas, y de un sistema de

adquisición de datos de la temperatura por ejemplo.
 Agradecimientos
Félix, Flicho, Igor, Martín, Alejandro,
Cubano, Mingo, a los trabajadores
del taller, Darío, Bruno