productos de batidos

componentes de intermodulación variación

de la señal
separación de las componentes de intermodulación

f1≈f2, |f1-f2|<<f1

Pein(f1)=Pein(f2)

Paus(f1) y Paus(f2)
2f1-f2 y 2f2-f1

f1 y f2
IM
Pein=Pein(f1)+Pein(f2)
IM
Paus(f1) Pein
Paus(2f2-f1) P3ein
separación de las componentes de
intermodulación IM P2 ein Pein
Punto de intercepción de tercer IP3
potencia ficticia de salida altos de niveles.
altos niveles se igualan en magnitud

respuesta a la intermodulación
Por medio de un número único

FETs
La respuesta a la intermodulación,
30dB
20dB
1/P2ein
FETs potencia nominal de salida
mejora de la separación de intermodulación
pequeña disminución de la potencia de salida
FET MSC88002, f=6GHz
P2 η P1

1
Las características de gran señal
FET

Impedancia de carga

Optimización de la Potencia de
salida

diferentes impedancias de carga

rS
rL

parámetros S

rS S*11
rL S*22

rS rL
MESFET GaAs
FET
rL GTuparámetros S
rL Punto A
pequeña señal
gran señal
Compresión de la Ganancia

rL
pequeña señal
Ganancia de gran señal
La Compresión de la Ganancia
FET GaAs 1Vatio MSC88004
10dB IM IM
0,3dB
la respuesta al ruido del amplificador,
caracterización,
optimización

un punto de operación óptimo

Los Círculos de Ruido Constante

En el diseño de Amplificadores de Potencia Banda Ancha: Se debe
compensar, la disminución que experimenta la Ganancia del
componente activo con el incremento de frecuencia.

La compensación de la respuesta de frecuencia del sistema, Debe

realizarse para el sistema de acoplamiento de entrada, debido a que
las características de operación para gran señal dependen en principio
del acoplamiento de salida.
 Acoplamiento libre de
pérdidas.

El factor de reflexión r

Se incrementa si la
relación QK/QF
disminuye.

ω2 es la frecuencia superior y ω1 es la frecuencia inferior de la Banda de la

región de transferencia de frecuencia.

El factor de calidad QK, Disminuye con el incremento del ancho de banda

QF describe el factor de calidad de la carga a acoplar, que está dado por la

impedancia de entrada o de salida del FET.
 Lmin≈0,2nH
Cmin≈0,1pF


Se pueden fabricar Inductividades con Líneas de Transmisión en corto circuito:
• Con elevada inductividad superficial.
• Muy baja capacidad superficial.
• Con altos valores de Impedancia de Onda, 120Ω.

Se pueden fabricar Capacidades con líneas de transmisión en circuito abierto:

• Con elevada capacidad superficial.
• Con baja inductividad superficial.
• Para bajos valores de Impedancia de Onda, 25Ω.
• Siendo l la longitud efectiva del tramo de línea de transmisión.
En esta configuración se utilizan dos diferentes tipos de
reactancias.

Este circuito transforma para una frecuencia fo:

• La resistencia real R en la Impedancia Zo.
•La reactancia XP se conecta paralela al componente de
mayor valor.
 Circuito Resonante
Paralelo salida de FET
Cálculo de las pérdidas
en un circuito de
transformación.

a) Sin pérdidas.

b) Circuito de
transformación con
pérdidas.

Preamplificador banda angosta con FET de GaAs de Compuerta dual.
• La tensión de alimentación se aplica a través del conductor interno del
cable coaxial del lado de la salida (Tele alimentación).
• Para una alimentación local se prescinde de la bobina de choque de 22μH.
• Figura superior: Circuito eléctrico.
• Figura inferior: Diagrama de montaje de componentes.
 La región de frecuencia entre aprox. 300MHz a 1GHz:

• Representa una zona de transición.

• En esta región de frecuencia se utilizan parcialmente
componente convencionales, discretos e integrados.
• También tienen aplicación componentes en las técnicas de:
• Microstrip
• Líneas coaxiales.

• En esta región de frecuencia se hace también un gran

esfuerzo, en separar las interferencias entre las etapas
amplificadoras de entrada y de salida, por ejemplo con:
• Blindajes metálicos,
• Carcasa fresadas o soldadas.