TRANSISTOR BIPOLAR

SIMBOLOS Y NOMENCLATURA
 CONFIGURACIONES

Base Comun Emisor Comun Colector Comun

 FORMULAS
RELACIONES BÁSICAS DE CORRIENTE-TENSIÓN

GANANCIA DE CORRIENTE
 TRANSISTOR BIPOLAR

Transistor PNP, base comun, Transistor con una distribución

trabaja como amplificador abrupta de impurezas

Diagrama de banda de Energía bajo

un régimen de operación normal
 TRANSISTOR BIPOLAR

Corriente del colector y base en DISTRIBUCION DEL CAMPO ELECTRICO EN

función de la tensión emisor- base RELACION A LA DISTANCIA PARA VARIAS
DENSIDADES DE CORRIENTE DE COLECTOR
 TRANSISTOR BIPOLAR
GANACIA DE CORRIENTE EN FUNCION DE LA CORRIENTE DEL COLECTOR
CURVA CARACTERISTICA DE UN
TRANSISTOR PNP
Curva característica de salida,
Base común

Curva característica de salida,

Emisor común
 MODELO EBERS-MOLL

MODELO CON RESISTENCIA EN

SERIES Y CAPACIDA DE
VACIAMIENTO

MODELO BASICO

MODELO CON FUENTES DE

CORRIENTES ADICIONALES
TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS
FRECUENCIA DE CORTE
TRANSISTOR BIPOLAR DE MICROONDAS

* Parámetros
CARECTERISTICAS DE ANALISIS EN
MICROONDAS
Circuito equivalente
simplificado de microondas ,
Base común

Circuito equivalente
simplificado de microondas ,
Emisor común
 GEOMETRIA DE 3 TIPOS DE
TRANSISTORES DE MICROONDAS

a-Intercalado
b-De revestimiento
c-De malla.
ESTRUCTURA DE UN TRANSISTOR CON
VARILLAS DE PLOMO
Esquema

Vista superior de un transistor

CARECTERISTICAS DE ANALISIS EN
MICROONDAS
Estructura de transistores con
electrodos reforzados

Estructura de transistores con

implantación de la base
 TRANSISTOR DE POTENCIA
• Al incrementar la potencia en un
transistor de potencia se incrementa la
temperatura Tj de la unión.
• El máximo de Tj está limitado por la
temperatura para la cual la región de la
Base se hace intrínseca.
• Por encima de Tj cesa la operación del
transistor, debido a que el colector se
cortocircuita efectivamente con el
emisor.
• Para mejorar el funcionamiento del
transistor se debe desarrollar
encapsulados que proporcionen una
adecuada disipación del calor
• Una técnica usual para
distribuir la corriente unifórmenle
en Transistores de tecnología
interdigitated o overlay, es la de
agregar una resistencia de
emisor distribuido RE.
•. Un incremento indeseado de la
corriente a través de un emisor
particular será limitado por el
resistor.
•Este tipo de resistores series se
describen normalmente como
resistores de estabilización o
resistores de carga de emisor.
 COMPORTAMIENTO DE LA TEMPERATURA
RESISTENCIA DE ESTABILIZACION DEL EMISOR

a-Distribución de la densidad de corriente

b-Distribución de la temperatura a lo largo del centro de la unión base-emisor
FENOMENO DE RUPTURA SECUNDARIA
FENOMENO DE RUPTURA SECUNDARIA
TRANSISTOR CONMUTADOR
TRANSISTOR CONMUTADOR
PARAMETROS
CORRIENTES EQUIVALENTES PARA UN
TRANSISTOR CONMUTADOR

a-En región I y II
b-En la región III.