La storia di un Trans.

(istor)

Disciplina: Classe:
Elettronica IVa ITI
Docente: Anno Scolastico:
prof. ing. Nicola Sasanelli 2010-’11
1
Non posso più farne a meno…

2
Un po’ di amarcord

3
 Amplificare, perché?
(Tutta colpa del II principio della termodinamica)

Componenti elettrici
Energia entrante Energia uscente

Energia dissipata
(trasferita all’ambiente)

L’energia uscente è sempre minore o uguale dell’energia entrante

4
 Corrente e riscaldamento
 La corrente è costituita da cariche in movimento
ordinato.
 Il movimento delle cariche in un conduttore è
provocato da una differenza di potenziale.
 Le cariche in movimento in un conduttore
incontrano una resistenza (R).
 La resistenza è responsabile del riscaldamento
del conduttore.
 Una parte dell’energia posseduta dalle cariche si
trasferisce al conduttore sotto forma di calore.
R
Corrente Corrente
+ -
Differenza di potenziale
5
 Amplificare, sì!
Energia
entrante

Informazione
(segnale entrante) Componenti elettrici
Informazione
(segnale uscente)
Alimentazione

Energia dissipata
(trasferita all’ambiente)

Scopo dell’amplificazione: fare in modo che l’energia del segnale

(informazione) uscente sia maggiore rispetto a quella del segnale
entrante, sfruttando l’energia di una fonte di alimentazione che non
porta informazione. 6
 Gli antenati dell’elettronica: i rettificatori
Ferdinand Braun (1874):
Sir J. Ambrose Fleming (1904):
point-contact solid-state rectifier
Kenotron (rectifier valve)
cat-whisker detector, un sistema instabile
(base delle radio a galena)

Lee De Forest (1908):

Amplificatore Audion

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 Il triodo (figlio dell’Audion)
Involucro di vetro

Piastra (anodo) Segnale uscente

Griglia Segnale entrante
Filamento (catodo) Alimentazione

Segnale entrante

Triodo
Segnale uscente
Alimentazione

Energia dissipata
(trasferita all’ambiente)

Problemi:
 Ingombranti
 Alimentazione ad alta energia
 Limiti sulla massima frequenza del segnale Ritorno al cat-whisker? 8
 Cat-whisker detector Punta metallica

Questione non risolta: il point-contact rectifier Galena

funziona perché usa un semiconduttore (la galena)? (Solfuro di Piombo)

“One shouldn’t work on semiconductors, that is a filthy mess [letamaio]; who

knows whether any semiconductors exist.” W. Pauli, 1931 (1)

Semiconduttore: un materiale che ha una resistenza specifica compresa tra

quella dei conduttori e quella degli isolanti. Walter Schottky
Felix Bloch (Siemens)
(University of Leipzig)

Sir R. E. Peierls Alan Wilson

(Cambridge University) Nevill Mott (Cambridge University)
(Bristol University)
(1) Citato in Out of the Crystal Maze: Chapters from the History of Solid-State Physics Eds. Hoddeson, L.,
Braun, E., Teichmann, J., & Weart, S., Oxford University Press, Oxford, 1992). 9
 Succede ai Bell Labs (New York) nel 1936
Mervin Kelly diventa direttore
del settore ricerca.
È convinto che i tubi a vuoto
non sono l’unica possibilità per
i dispositivi elettronici. Decide
di investire nei dispositivi a
stato solido.

Forma un nuovo gruppo di ricercatori e

chiama William Schokley e Russell Ohl

Cosa accade al IV piano del

Building 1 dei Bell Labs in Murray
Hill, NJ qualche anno dopo?

10
 La scoperta (casuale) di Russell Ohl
 Nel 1940 lavora alla purificazione del silicio (materiale
semiconduttore). Scopre che un rettificatore con contatto a
punta, costruito con un pezzo di silicio, si comporta in modo
particolare: a seconda del punto in cui si posiziona la punta di
metallo, la corrente scorre in un verso differente. Il pezzo di
silicio contiene due tipi di impurità, il fosforo e il boro.

Corrente Corrente
- + No Sì

Impurità di boro
Impurità di fosforo (carenza di elettroni,
(eccesso di elettroni interpretata come
rispetto al germanio) eccesso di cariche
Silicio tipo n positive fittizie)
Silicio tipo p

Le cariche positive fittizie sono chiamate lacune 11

 Un effetto troppo strano
 I manager della Bell Telephone non si
fidano e chiedono a Walter Brattain di
rifare le misure (che vengono
confermate).

 Ohl ha inventato il diodo a giunzione,

ma la ricerca ai Bell Labs non può Walter Brattain
andare avanti.
 Il gruppo di ricerca si divide.

12
 La seconda guerra mondiale
 Il diodo a giunzione viene utilizzato nei
sistemi radar.

13
 John Bardeen ai Bell Labs
 Bardeen lavora alla Purdue
University e collabora con il
Radiation Laboratory del
Massachusetts Institute of
Technology per migliorare i radar
con diodi a giunzione.
 Dopo la guerra (gennaio del 1946) viene chiamato ai Bell
Labs da Mervin Kelly.
 Rinasce il gruppo di ricerca sui dispositivi a semiconduttore.
Il gruppo è guidato da William Schokley e Stanley Morgan;
oltre a Bardeen, ne fanno parte Walter Brattain, John
Pearson, Bert Moore e Robert Gibney.

14
 Obiettivi, scelte e difficoltà
 Obiettivo: realizzare un amplificatore a stato
solido.
 Criterio di scelta: la semplicità. Il silicio ed il
germanio sono preferiti, si abbandona la galena.
 Si sfrutta il sistema a punta di contatto metallo-
semiconduttore.
 La superficie di contatto è fondamentale: deve
essere priva di impurità (Bardeen e Brattain
lavorano a purificare la superficie del
semiconduttore) e a dicembre 1947...

15
 16 dicembre 1947:
foto di gruppo con il primo transistor
La foto della scoperta e le
critiche di Walter Brattain:

 mancano molti membri del

gruppo di ricerca;
 tutti pensano che si tratti del
laboratorio di Schockley (è il
più famoso dei tre, seduto al
microscopio), ma la scoperta
avviene nel laboratorio di
Brattain!
16
 Il primo amplificatore

Emettitore Isolante

Germanio Collettore
L’emettitore “spara” gli elettroni nel
germanio, che fa da base.
Il collettore li raccoglie.
Il transistor è un dispositivo con 3
terminali (il diodo invece ne ha 2) Base metallica

Se varia la corrente che passa nella

base, si ritrova la stessa variazione,
ma amplificata, nella corrente di
collettore.

17
 Perché amplifica?

Lo schema originale preparato da Bardeen e Brattain per la presentazione ai manager della Bell company
verso il Natale 1947.

 La spiegazione di Bardeen e Brattain: c’è una variazione della resistenza superficiale del
germanio, ma non si sa da cosa è provocata.
 Schockley (torna al lavoro poco prima di Natale, seccato di non aver partecipato
all’evento) non è d’accordo.

18
 Il brevetto US2524035 (A)

“Three-electrode circuit element

utilizing semiconductive materials”
(26.02.1948)
Non si parla di transistor

19
 Il contributo di Schockley
In due mesi, elabora la teoria del transistor bipolare a
giunzione (BJT – bipolar junction transistor):
 Gli elettroni entrano dall’emettitore (E) nella base (B)
 Gli elettroni che riescono ad attraversare la B arrivano in prossimità del
collettore (C)
 Il C ha un potenziale più alto della B e raccoglie gli elettroni
 Una parte degli elettroni si “perdono” nel passaggio per la B e alcune
lacune dalla B riescono a passare nell’E. Sono i due contributi che,
sommati, diventano la corrente di B.
Trans-istor =
Movimento
B (+) TRANSfer resISTOR
E (-) delle lacune
la corrente si
C (++) “trasferisce”
dall’emettitore al
N collettore
Movimento P
N
degli elettroni

Differenza di potenziale  accelerazione degli elettroni 20

 La presentazione al pubblico
 I dirigenti del Bell Labs riescono
ad evitare che il BJT sia
considerato come scoperta top
secret dai militari (perché?).
 Il 30 giugno 1948 si tiene la
conferenza stampa a New York, in
cui si dimostra la capacità di
amplificare la voce con un BJT.
 Il New York Times dedica solo
poche righe all’evento (perché?).

21
 Prime applicazioni dei transistor
 Nel 1952 la Bell Company deve vendere il brevetto.
 Gordon Teal lascia i Bell Labs ed entra nella Geophysical Services
Incorporated, che diventerà Texas Instrument, e continua a
lavorare sui transistor e produce la prima radio a transistor.
 Masaru Ibuka and Akio Morita fondano la Tokyo Tsushin Kogyo, che
compra il brevetto. Dal 1955 la società si chiamerà Sony e alla fine
degli anni ’50 produrrà una radio a transistor e la pubblicizzerà in
modo massiccio.
 Tutti possono avere la propria

radio personale. È finita l’era

della radio di famiglia.

22
 Il transistor nei computer
 Il più famoso computer a valvole (ENIAC) fu costruito
nel 1945 a Philadelphia, occupava un’intera stanza e
provocava cali di tensione nella città ogni volta in cui
veniva acceso.
 A gennaio 1954 i militari chiedono ai Bell Labs di
costruire TRADIC (TRAnsistorized DIgital Computer), che
consuma 1000 volte meno e occupa solo un metro cubo
di spazio.

ENIAC TRADIC 23
24
 Miniaturizzazione e Microprocessori
1971: il 4004,
primo microprocessore
2000: Pentium® 4

1974: Altair, il primo

personal computer

www.intel.com/museum/ 25
Il presente: micro-nano elettronica
Il numero di transistor
(e quindi la potenza di
calcolo) raddoppia
ogni 18 – 24 mesi”
(Moore 1975)

26
 Futuro?
MOLECOLA NANOTRANSISTOR NEC:
ORO 5 nm (18 volte più piccolo
SiO2 ORO di quelli ora in produzione)

Piridina + Co + S
Nel 2001 si credeva che si
sarebbe scesi sotto i 9 nm solo
nel 2016!
1 cm2 di silicio potrà ospitare 40
miliardi di nanotransistor, 150
volte più del numero attuale. Un
cellulare avrà 60 ore di
autonomia.
27
 Futuro??
Le molecole di DNA hanno enormi potenzialità di calcolo. Il DNA
potrebbe un giorno essere integrato in un chip per realizzare un
velocissimo “biochip” da inserire in un nanocomputer.

DNA Computer

Chip neuronali

Neurone a lumaca cresciuto dal Max

Planck Institute su un dispositivo CMOS
della Infineon Technologies che misura
l’attività elettrica neuronale accoppiando
chip elettronici e cellule viventi
28
 2001: A space Odyssey (1968)
of Stanley Kubrick

HAL 9000

Academy Awards
for visual effects
29
Grazie per l’attenzione! 30
 Bibliografia
 Bibliografia primaria
 W.F. Brinkman, D.E. Haggan, W.W. Troutman. A History of the Invention of the
Transistor and Where It Will Lead Us. IEEE journal of solid-state circuits, vol.
32, no. 12, December 1997, pp. 1858-1865.
 P.R. Gray, R.G. Meyer. Circuiti integrati analogici 2nd Ed. McGraw-Hill Libri Italia,
Milano, Ottobre 1994, pp. 10-16.
 Bibliografia secondaria
 Out of the Crystal Maze: Chapters from the History of Solid-State Physics Eds.
Hoddeson, L., Braun, E., Teichmann, J., & Weart, S., Oxford University Press,
Oxford, 1992).
 Keyes, Robert W. Physical limits of silicon transistors and circuits. Reports on
Progress in Physics Volume: 68, Issue: 12, December 01, 2005, pp. 2701-2746.
 Schwierz, F.; Liou, J.J. Semiconductor devices for RF applications: evolution
and current status. Microelectronics Reliability Volume: 41, Issue: 2, February,
2001, pp. 145-168.
 Brown, Neil. Quantum Generations. A history of physics in the twentieth
century. Physics Education Volume: 35, Issue: 2, March 01, 2000, pp. 145-146

31
 Sitografia

 www.computerhistory.org/
 nobelprize.org
 people.clarkson.edu/
 www.pbs.org
 www.intel.com/museum/

Tutti le pagine web sono state consultate per l’ultima volta il 9/11/2008
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