UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERIA MECANICA Y ENERGIA

CURSO: ELECTRONICA INDUSTRIAL

DIODOS SEMICONDUCTORES

ING. LUCIO C. LOZANO RICCI

 e
Tensión Electrón libre
aplicada e
u
eu Ultima capa (valencia)
00
MATERI ALESSEMICONDUCTORES:
--- ---- ----- ------ ----- ----- ----- ---- ----- ------ ----- ----

* LOSMATERIALESQUE SE USANENSEMICONDUCTORES SON:

a . - C ON DUC TOR ES
b . - S EM ICON DU CTO RE S
c . - AIS L AN TES
A. - L O S C OND UC TOR ES SE CA RAC TE RIZ AN PO R C OND UCI R L A C OR RIE NTE EL ECT RI CA CON FA CIL IDA
DEDBI DO A Q UE SU CAP A D E VAL ENC IA TIE NE UN NUM ER O I MPA R D E E L EC TR ON ES
E ST OS S ON :
* or o
* p l a ta
* a l u mi n i o
* c o b re

EL C OBR E T IEN E 2 9 E L E CTR ONE S P ER O E N S U C APA DE VA L E NC IA T IEN E U N S OL O E L EC TRO N (U LTIM A CAP A)

 e- e-

e- SI e- e-
e- GE

e-
e-
Átomo de silicio
B.- LOS SEMICONDUCTORES: SE CARA CTERIZA N POR COMPORTARSE COMO CONDUCTORES Y EN OTROS CASOS COMO AISLANTES . LOS SEMICONDUCTORES SE OBTIENEN COMO ELEME NTOS DEL GRUPO IV DE LA TABLA PERIODICA QUE SON :

*SILICIO(si)
*GE RMANIO(Ge)
*CA RBON(c)
*ETC
ESTOS ELEMENTOS SON TETRAVALENTES Y TIENEN 4 ELECTRONES EN SU CAPA DE VALENCIA POR LO QUE CUANDO E STAN PUROS SE COMPORTAN COMO AISLANTES.

e-
Átomo de germanio

PARA CONVERTIRLOS EN SEMICONDUCTORES ES NECESARIO AGREGARLES UNA IMPUREZA A LA RED

CRISTALINA DEL SILICIO O GERMANIO.
 -
+ + - + + - + - + (+) (-)
+ - + - + - - + - -
+ + - + + - + - - +
+ - + - + - - + - + + -
6V
P Con polarización
In= oma + - N Ip= oma directa
Vo = oV
Los materiales semiconductors sin que han sido dopados con una impureza se denominan material EXTRINSICO (impuros)
Los materiales semiconductors a los que no se le agrega una impureza se le denomina materiales (INCRISICOS) puros
La tension necesaria para que los electrons supermen la zona de juntura y el diodo entre en conduccion son:

Silicio (Si) = 0.7v

Germanio (Ge) = 0.7v

Si al Diodo se le aplica una tension inferior a estos valores en forma externa el diodo no conduce y se dice que
el diodo esta en corte Ja (ma) = 0
JD(ma)

30
Ge Si
Comparacion de la curva
20
caracteristica del
10
diodo Si y Ge
1
-VD(v)VZ
0.1 0.1 0.2 0.3 VD(v)
0.7

-JD(ma)
 RECTA DE CARGA (A-B) Y PUNTO “Q” DE TRABAJO DEL DIODO
La recta de carga (A-B) es la recta que determina los limites maximosde voltaje (V Dmx) y corriente (JDmx) que pueden
soportar el diodo segun las indicaciones del fabricante por lo que puntos (A-B) representan el corte y saturacion del DIODO

JD(ma)
B Si

JDQ(mx) punto de corte

JD (ma) = 0

A
0.7 v
VDmx(v) VD(v)
VDQ(v)

PUNTO “Q” DEL DIODO

Representa el punto ideal de trabajo del DIODO generalmente este debe estar en el punto medio de la recta de carga
en aplicaciones especiales de los DIODOS de punto “Q” se puede desplazar al punto (A) de corte o al punto (B) de
saturacion
 RESISTENCIA EN DC o ESTATICA DEL DIODO

Esta determinado por la relacion entre el voltaje (VD) y la corriente JD (ma) que tiene el DIODO en determinado
punto de la curva carateristica del DIODO

Rd = Vd (v) JD(ma) Si
Jd (ma)
Curva caracteristica
del DIODO de silicio
20 ma Q

0.7 0.8 VD(v)

Ejemplo:
Para el punto (Q) de la curva caracteristica del diodo de silicio determiner la resitencia estatica en dc

Rd = 0.8v = 40 Ω
20ma
 CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS
Los circuitos equivalents que representan al diodo es una combinacion de elementos que se exigen en forma
adecuada para representar lo major possible las caracteristicas reales del semiconductor.

a) DIODOS REAL O DE SEGMENTOS LINEALES

b) DIODOS REAL CON POLARIZACION INVERZA

c) DIODOS REAL POLARIZACION DIRECTA

d) DIODO IDEAL POLARIZACION INVERSA

Ω
 PRUEBA DE DIODOS
Los diodos reales cuando se hacen las pruebas con el ohmimetro presentan tres valores

a) Diodo abierto: en este caso el ohmmimetro marca infinito (Rd = ∞)

b) Diodo cortocircircuito: en este caso el ohmmimetro marca cero (Rd = 0)
c) Diodo en buen estado: en este caso el ohmmimetro marca un determinado valor dependiendode las caracteristicas
del diodo en el caso de los rectificadores (Rd = 600 Ω) en polarizacion directa
DIODOS ZENER
Son dispositivos semiconductors que trabajan en polarizacion INERZA y su curva caracteristica se encuentra en el tercer
cuadrante del sitema de coordenadas

 Para comprar un diodo zener es necesario saber el voltaje al que va trabajr (Vz = voltaje zener)

 Los diodos zener se utilizan como REGULADORES de voltaje en las Fuentes de poder DC por la propiedad que tiene
de no variar su (Vz) que llega a la carga de la fuente.
CUESTIONARIO
 
1. El elemento mejor conductor de la corriente eléctrica es: cobre, aluminio, plata, oro
…………PLATA – COBRE – ORO – ALUMINIO …………………………………………………………………………
2. Los elementos que se utilizan como semiconductores tienen una valencia: trivalente, tetravalente, pentavalente
…………TETRAVALENTE…………………………………………………………………
3. Los elementos mejor conductores de la corriente eléctrica tienen: un numero par o impar de electrones en su última
capa
…………IMPAR ……………………………………………………………………………
4. Con una impureza pentavalente en la red cristalina de silicio se obtiene un material tipo “N” o tipo “P”
……………NEGATIVO ……………………………………………………………………………………………………
5. A los materiales semiconductores germanio o silicio que han sido dopados con una impureza se denomina extrínseco
o intrínsecos
…………EXTRINSECOS………………………………….. …………………………………………………………………………
6. La tensión de juntura en diodo se silicio es 0.7v o 0.3v
…………0.3 VOLTIOS…………………………………………………………………………………………………………
7. Los extremos de la recta de carga de un diodo determinan el punto de corte y saturación o el punto ”Q” de trabajo
……………………………………………………………………………………………………………………………………………………
8. El circuito equivalente de un diodo ideal en conducción es: cortocircuito (c.c) o circuito abierto (c.a)
……………CORTO CIRCUITO ………………………………………………………………………………………………
GRACIAS