Instituto Superior Politécnico de Songo

IGBT e SIT
Licenciatura em Engenharia Eléctrica
Electrónica de Potência
1º Grupo
Discentes: Docente: ELIE,
Sengiyunva Eng.º Anacleto Albino
GUIRRENGANE, Manuel da Graça
LOBO, Faustino Carlos
MAPOSSA, Jorge B.
Songo, Abril de 2018
 Introdução
No mundo moderno, a electrónica está presente em todos os
sectores de actividade, No presente trabalho ira se abordar sobre
os transístores bipolar de porta isolada e transístores de indução
estática
IGBT é uma invenção recente. Os transístores bipolares de porta
isolada (insulated-gate bipolar transistor - IGBT) são dispositivos
semicondutores modernos que associam as vantagens dos
transístores de junção bipolar (BJT) e as do transístor de efeito de
campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET).
Os SITs são Transístores de indução estática que podem ser
bipolar ou unipolar.
Assim eles não esta sujeito a limitações de área e é adequado
para operações de potência elevada em alta velocidade.
 

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 Objectivos
Objectivo Geral
Em geral, o presente trabalho foi elaborado com o objectivo de
Fazer um apontamento que trate de forma sucinta o IGBT e o SIT
Objectivo Especifico
Conhecer o IGBT e o SIT , saber diferencia-lo de outros
transístores de potência;
Conhecer os parâmetros do IGBT;
Conhecer características construtivas e físicas;
Conhecer os seus símbolos;
Conhecer o modo e parâmetros de operação;
Conhecer onde são aplicados
Conhecer suas vantagens e desvantagens.

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 Transístor Bipolar de Porta Isolada IGBT

Transístor bipolar de porta isolada (insulated gate bipolar transístor - IGBT)

mescla as características de baixa queda de tensão no estado ligado
do BJT com as excelentes características de chaveamento, um
circuito de acionamento da porta simples e a alta impedância de
entrada do MOSFET.
a) Símbolo do IGBT;
b) equivalente MOSFET-BJT

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 Características construtivas do IGBT
Um IGBT é feito de 4 camadas PNPN. Basicamente é constituído
por:
Placas metálicas (ânodo, cátodo e porta);Camada isolante de
óxido de silício (SiO2); Substratos de electrões e de lacunas.

Figura: (Corte transversal do IGBT)

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 Características de funcionamento do IGBT

MOSFETs: reúne a facilidade de acionamento

e sua elevada impedância de entrada com as
BJT: pequenas perdas em condução (alto
Ganho)

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 Princípio de operação do IGBT
Para
   coloca – lo no estado ligado, basta polarizar positivamente
o terminal colector (C) em relação ao terminal emissor (E).
Aplicando uma tensão positiva ( ),
Para o estado desligado no momento em que houver anulação
do sinal de tensão de terminal de porta.

Figura 3: Transistor IGBT (TO-247AC)

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 Curva característica de tensão – corrente
do IGBT
Estado desligado: ) = 0 , .
  
Estado ligado: Se a tensão ).

Figura: Curva característica

de tensão –corrente do IGBT

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Curva característica ideal do IGBT
estado ligado: não apresentam  tensão, enquanto a corrente e
determinada por .
estado desligado, pode bloquear qualquer tensão
positiva ou negativa.

Figura : curva caracteristica ideal

 Parâmetros dos IGBT´s
 
• Corrente do colector (
• Tensão de bloqueio entre colector e emissor (𝑩𝑽𝑪𝑬𝑺)
• Tensão entre a porta e o emissor ()
• Potencia máxima dissipada ()
• Tensão de saturação entre colector e emissor (
• Tempo de atraso de ligação ()
• Tempo de atraso de desligamento ()
 Perdas no IGBT
 
A perda de energia no IGBT durante o
tempo de ligação e dada por:

A potência media dissipada em

virtude do tempo de ligação é:
 Aplicações do IGBT
• Uma das grandes aplicações dos IGBTs é que são
usados como componentes de chaveamento
• equipamentos modernos como carros
elétricos ou híbridos, trens, aparelhos de ar
condicionado e fontes chaveadas e alta potência
• comutação de carga de alta corrente em regime de alta
velocidade;
• utilizado como uma chave, alternando os estados de
condução (On-state) e corte (Off-state) os quais são
controlados pela tensão de porta, assim como em um
MOSFET;
• Construção de filtros activos de potência.

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 Vantagens
• Capacidade de condução de
correntes;
• Simplicidade de seu circuito de
comando;
• São rápidas que os BJTs;
• Operam em altas frequências;
• Tem baixas perdas na condução;
• Não provoca ruido durante a sua
operação;
• Possuem tamanho reduzido.
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e Desvantagens
• São mais lentos que os
MOSFETs;
• Requer cuidados especiais
para casar as suas
características devido as
variações do coeficiente de
temperatura com a corrente
no colector ;
• São relativamente mas caros
que os MOSFETs.
 Transístor de Indução Estática (SIT)

S I T (do inglês Static Induction Transístor) é um

dispositivo de estrutura vertical com multicanais
curtos. Assim ele não esta sujeito a limitações de área
e é adequado para operações de potências elevadas
em alta velocidade.

 Um SIT é idêntico a um JFET, excepto pelo facto

de que a construção da porta é vertical e
introduzida nas camadas do dreno e da fonte, o
que dá uma resistência de canal mais baixa,
causando menor queda de tensão.
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 Transístor de Indução Estática (SIT)
Estrutura e Símbolo

a) Corte Transversal b) Símbolo

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 Transístor de Indução Estática (SIT)
Características
 
 Cumprimento do canal é curto;
 Baixa resistência em serie da porta;
 Baixo ruido;
 Tempos de disparo e de desligamento são muito
pequenos, na ordem dos 0,25.
 O seu estado normal é ligado (em condução).
 Alta velocidade de chaveamento, na ordem de
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100Khz;
 Transístor de Indução Estática (SIT)
Aplicação

 Conversões genéricas de potência (tensões de

1200V e 300A);
 Amplificadores de áudio;
 VHF/UHF;
 Microondas

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 Conclusão
Comparando os dois dispositivos (SIT & IGBT) vemos
que o SIT vem para responder a situação que já não é
adequada aplicar-se o IGBT pelos seus baixos valores de
frequência de chaveamento. (100kHz e 20kHz
respectivamente).

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Instituto Superior Politécnico de Songo

Obrigado pela Atenção

1º Grupo

Songo, Abril de 2018