Universidad Simón Bolívar

Laboratorio FS-3481

m


Oscar Pérez
04-37410
Êm 
       
ëm       
      
        

       

    
      
   
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 R  Ê
  
      
     
  
ë Las propiedades de los materiales tienen asociadas
su conductividad ɗ. Se pueden clasificar en tres
grandes grupos: aislantes, semiconductores y
conductores.

ë Para que un material conduzca electricidad debe

haber electrones libres, es decir, portadores de
carga en la banda de conducción (BC).
ë mn la banda de Valencia no todos los portadores
están ligados al cristal (átomos e iones) (BV).

ë La separación entre la banda de valencia y la de

conducción se llama banda prohibida (BP), porque
en ella no puede haber portadores.
 m   
ë Ä
  (metales) : son aquellos en los que ambas
bandas de energía se superponen. Su conductividad es
constante, o poco variable con respecto a la temperatura.
ë ° 

: son aquellos en los que el ancho de la BP es
mayor o igual que 6 eV, lo que hace imposible que a
temperaturas moderadas (m = kT) se produzcan saltos de
electrones entre BV y BC, por lo que no hay portadores
libres en BC.
ë „ 
 : son aquellos en los que el ancho de BP
es del orden de 1 eV. , por lo que suministrando energía
pueden conducir la electricidad; pero además, su
conductividad puede regularse, puesto que bastará
disminuir la energía aportada para que sea menor el
número de electrones que salte a la banda de conducción.
 Ä     
  
ë Con los semiconductores, se pueden clasificar en intrínsecos y los
extrínsecos

ë Los semiconductores intrínsecos, a temperatura ambiente se comporta

como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y
huecos debidos a la energía térmica. También hay flujos de electrones y
huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. msto se debe a que
por acción de la energía térmica se producen los electrones libres y los
huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos
con lo que la corriente total es cero.
ë Podemos resumir que los semiconductores poseen concentraciones de
impurezas despreciables

ë Los semiconductores extrínsecos si existen concentraciones de

impurezas que no son despreciables
 v       
  
ë ° bajas temperaturas tenemos conducción extrínseca, es
decir, a medida que la temperatura aumenta, los portadores
de carga se ionizan desde las impurezas pasando hasta la
BC.
ë ° temperaturas moderadas hablamos de agotamientos de
impurezas puesto que casi todas las impurezas has sido
ionizada.
ë ° altas temperaturas la conducción predominante es la
intrínseca; los portadores que llegan a la BC proceden a la
BV. Son átomos ionizados del propio material.
ë Para los efectos de los portadores de cargas, y general una
diferencia de potencial en los laterales de nuestro material,
nos conviene usar materiales semiconductores.
 „     
ë Un „ 
 
 se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado añadiendo un cierto tipo de átomos
al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de
carga libres (en este caso negativas o 6 6
6).

„     
‰ Un „ 
 
 se obtiene llevando a cabo un
proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al
semiconductor para poder aumentar el número de
portadores de carga libres (en este caso positivos o ï 6
).
R         
ë Tenemos el siguiente montaje teórico
ë Tenemos un material semiconductor de forma
rectangular con una anchura ï
 66 

  el que circula una corriente estacionaria [
ë Se coloca el semiconductor de tal manera que se le aplica
un campo magnético ÷colocado en el seno de un campo
magnético homogéneo B como muestra la figura 2, los
portadores de carga negativa (electrones, q=-e) o
ë positiva (huecos, q=e), que se mueven con una velocidad
promedio v
ë Los electrones (o protones) sienten la
acción de la fuerza magnética o de Lorentz
dada por F = q (v x B). Ésta fuerza hace que
los portadores se desvíen, acumulándose en
la región superior o inferior del SC,
dependiendo del tipo de conductividad n o
p de éste y del sentido de I y B.
ë mn éstas regiones genera un campo eléctrico
denominado campo de Hall m




 

÷[







 acumulen, alcanzándose el
equilibrio para valores dados de [÷

ë Con este campo eléctrico podemos calcular el

voltaje de Hall,

ë V m 
ë Si igualamos la fuerza eléctrica y la fuerza
producida por el campo de Hall tenemos
qmH= qvB

mH= vB

VH=mHd= vBd
La densidad de corriente es
J=I/°, donde ° es el área °=d h
mntonces el Voltaje de Hall es

VH= IBd/nqdh=IB/nqh
Tenemos
VH=IB/nqh
Y RH= 1/qn, que representa el Coeficiente de Hall
 ÊÄ      
       
ë La muestra del semiconductor estará soldada sobre una
placa de circuito con sendas pistas conectadas a ella, gracias
a las cuales, podremos hacer que una intensidad recorra la
muestra, así como medir el voltaje Hall VH
ë Para realizar las mediciones, colocaremos un amperímetro
en serie, de tal forma que podamos conocer la intensidad
que circula por la muestra. También colocaremos un
voltímetro que medirá el potencial en los extremos de la
muestra.
Ä        v 
    
ë Tras la realización del montaje, procedemos a colocar
la muestra en el interior de campo magnético. Vemos
que para los electrones en un semiconductor de tipo N:
RH = -1/en =coeficiente de Hall (RH < 0)
Lo que implica VH < 0

mn el laboratorio se encuentra a disposición un

semiconductor de arseniuro de indio de tipo N
ë Tras la realización del montaje, procedemos a colocar
la muestra en el interior de campo magnético. Vemos
que para los electrones en un semiconductor de tipo p:
RH = +1/en =coeficiente de Hall (RH < 0)
Lo que implica VH > 0

mn el laboratorio se encuentra a disposición un

semiconductor de Germanio de tipo P
m        
 
ë ml efecto Hall se utiliza con mucha frecuencia en
astrofísica, para establecer modelos teóricos de los flujos de
plasma, por ejemplo, para explicar las manchas y los ciclos
solares o ciertas anomalías de los campos
electromagnéticos de las estrellas. Se tiene asimismo en
cuenta en los modelos de la magne-tosfera terrestre.
ë Numerosos estudios de fenóme-nos magnéticos, ya sean
ferromagnéticos, paramagnéticos o diamag-néticos, hacen
que intervenga este efecto cuando hay circulación de
corriente eléctrica. mn el campo de la electromagnética
aplicada hay semiconductores de efecto Hall.
ë Aeterminación de la concentración de portadores en
una muestra semiconductora, o en la determinación de
la movilidad de los portadores.
ë Otra aplicación es la medición de la corriente que
circula por un conductor, con lo que se pueden
implementar medidores de seguridad sin necesidad de
insertarlos en el circuito eléctrico de un sistema donde
se maneja potencia.