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ELECTRÓNICA 1
SEMANA 2
Transistores BJT
Posibles configuraciones:
Estructura Física
• El emisor es una región muy dopada. A mayor dopaje del emisor, mayor cantidad
de portadores podrá aportar a la corriente.
• La base típicamente es muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca
recombinación en ella.
• El colector es una región menos dopada que el emisor.
Estructura Física
Si bien es cierto que el
transistor BJT pareciera ser un
dispositivo simétrico (Colector-
Emisor), desde el punto de
vista constructivo, el Colector
tiene una superficie mucho
más grande que el Emisor. Por
ello, si bien es posible el
funcionamiento en inversa, las
características son totalmente
diferentes y el desempeño en
amplificación es muy pobre.
Curvas Características
• La curva característica se plantea
en función a la configuración a la
que se somete al transistor.
• Existe una zona llamada de corte,
una de saturación y una activa.
• Un transistor está en corte si la
unión BE no está polarizada, en
saturación si la unión CB queda
polarizada en directa, caso
contrario se encuentra
trabajando en la zona activa,
siempre que la unión BE esté en
directa y CB en inversa. Curva característica de emisor común.
Regiones de Funcionamiento
Regiones de funcionamiento
en transistores reales:
– Región de avalancha o
ruptura: es la región para
la cual el transistor entra
en “cortocircuito” y se
produce daño permanente.
– Hipérbola de máxima
disipación: Región de
trabajo sugerida por el
Regiones de funcionamiento prácticas
fabricante, utilizando en
muchos casos disipadores
de calor.