ELECTRÓNICA ANALÓGICA II

TRANSISTORES DE POTENCIA
SEBASTIÁN RESTREPO AGUDELO
Ingeniero Biomédico
Estudiante de Maestría en Automatización y Control
Industrial
sebastianrestrepo5577@correo.itm.edu.co
 TRANSISTORES DE POTENCIA

En general, los transistores de potencia se pueden clasificar en 4 categorías:

• Transistor de unión bipolar (BJT).

• Transistor efecto de campo de metal-oxido semiconductor (MOSFET).
• Transistor de inducción estática (SIT).
• Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT)
TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT).
TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT).

𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

𝐼𝐶 ≈ 𝐼𝐸

𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝛽= 𝛼=
𝐼𝐵 𝐼𝐸
CONEXIÓN TRANSISTOR EMISOR COMÚN

IMPORTANTE:
𝐼𝐵 controla 𝐼𝐶 . Esto significa que una 𝐼𝐵
pequeña controla una 𝐼𝑐 grande.
 EJEMPLO
A partir del siguiente circuito, calcule 𝐼𝐵 , 𝐼𝐶 , 𝑉𝐶𝐸 y 𝑃𝐷 . Asuma una ganancia de corriente
(𝛽) de 300.
 REGIONES DE OPERACIÓN
1. Corte: Corriente de base nula (Switch
abierto).
2. Activa: También conocida como región
lineal, el transistor actúa como amplificador
de señales. 𝐼𝑐 constante.
3. Saturación: máxima corriente de colector
(Switch cerrado)

Las regiones de saturación y de corte resultan

útiles en los circuitos digitales y de
computadoras, y se conocen como circuitos de
conmutación.
APROXIMACIONES
 POLARIZACIÓN TRANSISTOR
Existen 2 maneras básicas de establecer el punto de trabajo de un transistor.

• La polarización de base produce un valor constante de 𝐼𝐵 y es útil en circuitos de

conmutación.

• La polarización de emisor produce un valor constante de 𝐼𝐸 y esta predomina en los

circuitos amplificadores.
 POLARIZACIÓN BASE

Punto de saturación Punto de corte

POLARIZACIÓN BASE
OBSERVE QUE:

Modificar 𝑉𝑐𝑐 y usar el mismo

valor de 𝑅𝑐 produce 2 rectas
de carga con las misma
pendiente pero con
diferentes valores de
saturación y corte.
POLARIZACIÓN BASE
OBSERVE QUE:

Modificar 𝑅𝑐 y usar el mismo

valor de 𝑉𝑐𝑐 produce 2 rectas
de carga con diferente
pendiente pero con los
mismos valores de corte.
 TRANSISTOR MOSFET
La variable de control de entrada para un transistor BJT es un nivel de corriente, mientras
que para el MOSFET la variable de control es un nivel de voltaje. En ambos casos, el nivel de
corriente es la variable de salida a ser controlada. Los MOSFET pueden ser de dos tipos:

1. MOSFET de Vaciamiento: Utilizado en comunicaciones de altas frecuencias.

2. MOSFET de enriquecimiento (E-MOSFET): Circuitos de conmutación de potencia, es
decir, suministran y bloquean grandes corrientes.

Ver funcionamiento: https://www.youtube.com/watch?v=9JKj-wlEPMY

 E-MOSFET
E-MOSFET se clasifica como dispositivo en modo de enriquecimiento porque una tensión de
puerta mayor que la tensión de umbral “enriquece” (aumenta) su conductividad. Con
𝑉𝐺𝑆 = 0 un E-MOSFET está en corte.
𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝐺𝑆(𝑢𝑚𝑏𝑟𝑎𝑙) para obtener 𝐼𝐷

Canal n Canal p
CURVAS DE DRENAJE E-MOSFET

𝑅𝐷𝑆
TRANSISTORES E-MOSFET
EJEMPLO
¿Cuál es la tensión de salida en el
siguiente?
 EJEMPLO

¿Cuál es la corriente que pasa por el motor del siguiente circuito, utilizando un MOSFET de referencia
MTP4N80E?

Características del MTP4N80E:

• VGS(on) = 10 V.
• ID(on) = 2 A
• RDS(on) = 1,95
 TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA
ASILADA (IGBT)
Dispositivo semiconductor hibrido de potencia que junta las características de los
transistores MOSFET y BJT, mas específicamente, las bajas pérdidas de conducción de un
BJT con la alta velocidad de conmutación de un MOSFET.
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA
ASILADA (IGBT)