Semiconductores extrínsecos • Son aquellos semiconductores a los cuales se les ha introducido un elemento contaminante (Dopaje) llamado impureza, generalmente del grupo III o V de la tabla periódica que cambia drásticamente las propiedades de conducción del del material intrínseco reduciendo enormemente la resistividad del mismo. Dopaje • Es el proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor (abreviadamente, SC) extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. Dopaje • El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña. Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el orden de 1 cada 100 000 000 de átomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el orden de 1 cada 10 000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P. Impureza aceptora (tipo P) • Corresponde a los elementos químicos que poseen tres electrones en la última capa, que si se colocan en la estructura del semiconductor, tendrán dos electrones realizando uniones covalentes (falta uno, lo que hace que se forme un agujero). El semiconductor dopado con una impureza aceptadora es denominado del tipo P. Semiconductores tipo P GENERALIDADES Y CARACTERÍSTICAS Semiconductor tipo P • Son semiconductores extrínsecos en los cuales la impureza es un elemento semiconductor trivalente; es decir, con tres (3) electrones en su capa de valencia. • Semiconductor tipo P Al carecer de un electrón de valencia para formar los cuatro enlaces covalentes de un semiconductor intrínseco, el semiconductor tipo P tiene un vacío en el enlace faltante.
Lo anterior hace propicio el paso de
electrones que no pertenecen a la red cristalina a través de ese hueco portador de carga positiva. Semiconductores tipo P • El flujo de electrones por los huecos del enlace produce una corriente eléctrica que circula en sentido contrario a la corriente derivada de los electrones libres. Características • Tiene impurezas con huecos mayoritarios • Cada hueco se comporta de una manera positiva atrayendo al flujo de electrones y aceptando un electrón del exterior. • Se comporta como un conductor con una resistencia muy pequeña • Los electrones al entrar en contacto con el material son atraídos por la placa positiva y para poder mantener el flujo se ayudan de los huecos • Están hechos de germanio o silicio • Al estar polarizado se comporta como un conductor