1.2.

3 Transistor bipolar de puerta

aislada (IGBT)
 Transistor IGBT. Componente electrónico
diseñado para controlar principalmente altas
potencias, en su diseño está compuesto por un
transistor bipolar de unión BJT y transistor de
efecto de campo de metal oxido
semiconductor MOSFET.
Estructura
 El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se
alternan (PNPN) que son controlados por un metal-óxido-
semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acción
regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular
se construye de manera similar a un MOSFET de canal n vertical de
poder de la construcción, excepto la n se sustituye con un drenaje
+ p + capa de colector, formando una línea vertical del transistor
de unión bipolar de PNP.
Aplicaciones
 El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a
circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en
sistemas de alta tensión. Se usan en los Variadores de frecuencia así
como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores
de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin
que seamos particularmente conscientes de
eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electr
odoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
1.2.4 Características y Parámetros
 Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede
Características. circular por un terminal (ej. ICAV, corriente media por el
colector).
Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector
(ICM) o de drenador (IDM). Con este valor se determina la
máxima disipación de potencia del dispositivo.

Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos

terminales del dispositivo (colector y emisor con la base abierta
en los bipolares, drenador y fuente en los FET).

Estado de saturación: queda determinado por una caída de

tensión prácticamente constante. VCEsat entre colector y emisor
en el bipolar y resistencia de conducción RDSon en el FET. Este
valor, junto con el de corriente máxima, determina la potencia
máxima de disipación en saturación.

Relación corriente de salida - control de entrada: hFE para el

transistor bipolar (ganancia estática de corriente) y gds para el
FET (transconductancia en directa).