Tiristor GTO y MCT

BY R O N G U E R R E R O S UA R E Z
F E R N A N D O R O D R Í G U E Z LÓ P E Z
JULIÁN FELIPE FORERO
M I C H A E L S T E V E N B O L Í VA R F O N S E C A
 Tiristor GTO

Simbología
(Según normas IEC y ANSI)
 Tiristor GTO

• Circuitos chopper.
• Circuitos inversores.
Aplicaciones
• Circuitos digitales.
• Electrodomésticos.
 Tiristor GTO

Estructura
Esta conformado por: cuatro capas de
silicio (P-N-P-N), tres uniones (PN, NP y
PN) y tres terminales (ánodo, cátodo y
la compuerta).
 Tiristor GTO

• Elimina componentes auxiliares en conmutación

rápida, reduce costo peso y volumen.
• Reduce ruido acústico y electromagnético por
Ventajas de los GTO eliminación de bobinas de inducción para
sobre los SCR conmutación rápida.
• Una desactivación rápida que permite una
frecuencia de conmutación mas alta.
 La abreviación MCT significa tiristor controlado por
MOS.

Tiristor MCT Es un dispositivo semiconductor desarrollado

originalmente por Motorola y que combina las
características de un tiristor y una compuerta MOS
(metal oxide semiconductor)
 Tiristor MCT
El MCT se han utilizado en varias aplicaciones,
algunas de las cuales se encuentran en la zona de
ac-dc y la conversión de corriente alterna-alterna,
donde la entrada es de 60 Hz de corriente alterna.
Funcionamiento variable del factor de potencia se
logró mediante el MCT como una fuerza
conmutado de interruptor de alimentación. Debido
Aplicaciones a la frecuencia de conmutación es baja, las
pérdidas de conmutación son insignificantes.
Debido a la caída directa es baja, las pérdidas de
conducción son también pequeñas. La MCT
también se utiliza en los interruptores.
Comparación de los MCT con otros dispositivos de
potencia
 Tiristor MCT

• Una baja caída de voltaje directo durante la conducción;

• Un tiempo de activado rápido, típicamente 0.4m s, y un
tiempo de desactivado rápido, típicamente 1.25m s, para un
MCT de 300A, 500v;
• Bajas perdidas de conmutación;
• Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
Características • Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que
simplifica mucho los circuitos de excitación. Es posible
ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir
corrientes altas, con sólo modestas reducciones en la
especificación de corriente del dispositivo. No se puede
excitar fácilmente a partir de un transformador de pulso, si
se requiere de una polarización continua a fin de evitar
ambigüedad de estado.
 Tiristor MCT

Funcionamiento
 Tiristor MCT
Existen diversos tipos de estructuras, pero todas ellas coinciden, en que existe un
tiristor PNPN que determina las propiedades de conducción y de bloqueo.

La estructura NPNP se puede representar

por un transistor NPN Q1 y un transistor
PNP Q2. La estructura de la compuerta MOS
se puede representar por un mosfet de
Funcionamiento canal p (PNP) M1 que es usado para el
encendido y un mosfet de canal n (NPN) M2
que es usado para el apagado. Debido a
que se trata de una estructura NPNP, el
ánodo sirve como la terminal de referencia
con respecto a la cual se aplican todas las
señales de compuerta.
 Tiristor MCT Cuando el MCT está en estado de bloqueo directo, puede ser activado
mediante la aplicación de un pulso negativo a su puerta (Gate) con
respecto al ánodo y se apaga con un pulso positivo.

Durante su Estado, el
MCT tiene una caída de
conducción más baja en
Funcionamiento
comparación con otros
dispositivos. Esto se
atribuye a la reducción
de tamaño de las células
y la ausencia de cortos
emisor.