NEUTRALIDAD DE LA CARGA

En equilibrio
térmico, el
semiconductor
cristalino es
eléctricamente
neutro.

Los electrones se distribuyen
entre los niveles energéticos,
creando cargas negativas y
cargas positivas (huecos).
El principio de neutralidad de la
carga es utilizado para
determinar las concentraciones
de huecos y electrones en
equilibrio como función de la
concentración de impurezas.
PROBLEMA
a)

Se sustituye la concentración de
portadores de Silicio a 300 K (ni =
1.38 . 1010 cm – 3) y la
concentración de portadores
minoritarios nosotros obtenemos n
= 1.90. 103 cm – 3.
Por otra parte la concentración Además si la concentración
intrínseca es despreciable en neta de impurezas es mucho
comparación con la concentración de mayor que la concentración
impurezas el término de la raíz intrínseca, la concentración de
cuadrada se vuelve igual a la portadores mayoritarios se
concentración neta por lo tanto resulta determina exclusivamente por
la concentración de portadores la concentración neta de
minoritarios es cero. impurezas.
 Es interesante hacer notar que la concentración de
portadores minoritarios decrece si la concentración de
impurezas incrementa.

Esto se puede observara fácilmente mediante el

diagrama de un semiconductor dopado solamente con
impurezas donadoras.

a) b) c)

Figura 112. Representación de par electrón-hueco, diagrama de generación de

energía. a) semiconductor dopado solo con impurezas donadoras. b) semiconductor
dopado solo con impurezas aceptoras. c) semiconductor equilibrado.
 Los electrones liberados por los átomos donadores saltan a la banda de
conducción, de esta manera se establece la concentración de portadores
mayoritarios. Cuando la
Estos electrones ocuparán los Debe tenerse en cuenta concentración de
estados más cercanos al fondo la función de distribución impurezas es mucho
de la banda de conducción a mayor que la
de electrones en mente,
fin de generar pares electrón- concentración intrínseca,
ya que podemos ver
hueco bajo estas condiciones, el número de electrones
claramente que a cierta en la banda de valencia
ele electrón de la banda de
valencia no solo debe saltar el
temperatura el número pueden pasar a la banda
Eg, además los estados de electrones que son de conducción es
ocupados en el fondo de la capaces de pasar el despreciable, entonces
banda de conducción ancho de banda la concentración de
también. prohibida es pequeña. electrones es
prácticamente igual al
número de electrones
b) Semiconductor liberados por las
dopado solo con impurezas ionizadas.
impurezas
aceptadoras.
Debido a gran número de portadores
mayoritarios generados por ionización de
impurezas cada portador minoritario se
encuentra rodeado por un gran número de
portadores mayoritarios. Estadísticamente
esto incrementará la probabilidad de
recombinación ya que entre un gran
número de portadores mayoritarios,
c) Semiconductor equilibrado
encontrará más fácil un portador minoritario
disponible para recombinarse.
El diagrama explica porque la
concentración de portadores en
un semiconductor compensado
es igual a la concentración
intrínseca a pesar de las
impurezas añadidas.
LEY DE ACCIÓN DE MASAS
PROBLEMA