ELECTRONICA DE

POTENCIA

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 CIRCUITOS ELECTRONICOS INDUSTRIALES
•Duración: 42 horas
17 sesiones
•Sistema de evaluación K1: NF = 0.6L + 0.4EF
5 Prácticas de Laboratorio
•Bibliografía:
Electrónica Industrial Moderna, Timothy J.
Maloney. PEARSON EDUCACION, México 2006

Sistemas Electrónicos de Potencia en el Buque,

Alberto Pigazo López, Victor M. Moreno S.

Electrónica de Potencia. Daniel W. Hart. Ed.

Prentice-Hall
 Objetivos del curso
 Describir el principio de construcción y
funcionamiento de dispositivos electrónicos de
disparo y conmutación de potencia.
 Utilizar circuitos electrónicos discretos e integrados
para el disparo de tiristores y triacs
 Implementar circuitos de control de potencia con
tiristores , triacs y dispositivos de disparo.

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 CIRCUITOS ELECTRONICOS
INDUSTRIALES

Contenido:
 Circuitos de Control
 Diodos
 Tiristores (SCR)
 Tiristores tríodos bidireccionales Triacs
 Procedimiento de disparo
 Control de fase
 Convertidores de potencia no controlados
 Convertidores de potencia controlados
 P N

DIODOS
 Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor
P Oblea de
N semiconductor

Contacto metal-
semiconductor
Cátodo Marca
señalando el Terminal
cátodo Cátodo
Representación esquemática y símbolos para diodos
rectificadores
Curvas características para diodos de germanio y silicio

F: forward direction
R: reverse direction
 Valores característicos de un diodo

 De las curvas características de los diodos se

determinan muchos datos importantes para el uso y
comportamiento de cada tipo individual de diodos.
 Sin embargo, los fabricantes entregan en las hojas de
datos algunos valores característicos para la rápida
información sobre determinadas propiedades.

Estos valores
característicos Datos límite.
se dividen Datos característicos.
usualmente en:
Valores característicos de un diodo
Los datos límite son valores que de ninguna
manera deben ser sobrepasados, porque de
otra forma el componente se destruye.
Los datos característicos indican las
propiedades del componente semiconductor que
determinan la característica de comportamiento
en ciertos puntos de trabajo. Se subdividen en:
 Datos característicos estáticos, describen el comportamiento
en corriente continua.
 Datos característicos dinámicos, proveen información sobre el
comportamiento en corriente alterna y operación en impulsos.
Datos LIMITE para un diodo

Un diodo puede ser eléctricamente

sobrecargado de diferentes maneras:

 Por una excesiva corriente directa IF

 Por una excesiva tensión inversa UR
 Por una excesiva potencia de pérdida Ppér
 Por una excesiva temperatura ambiental amb
 Datos límite para un diodo
• Para UR e IF.
UR = máxima tensión continua en dirección inversa.
URM = máxima tensión pico inversa permisible.
IF = máxima corriente directa valor continuo o eficaz.
IO = corriente promedio.
IFM = máxima corriente directa de pico periódica permisible.
IF SM = máximo valor de corriente que puede fluir durante 1 seg.

URmáx 80 V hasta aprox. 1500 V para diodos de Si, y

URmáx 40 V hasta aprox. 100 V para diodos de Ge.
Datos límite de hoja de especificaciones de diodos rectificadores
 Datos límite para un diodo

• Potencia de pérdida cuando diodo opera en directa.

Ppér = UF · IF

IF
UF

Esta potencia de pérdida produce un calentamiento del cristal

semiconductor. La máxima potencia de pérdida total está indi-
cada por el fabricante para ciertas condiciones de temperatura.
Datos límite para un diodo
Ejemplo:
Un diodo BAY45 tiene una potencia de pérdida total
Ptot = 250 mW. Hallar la máxima corriente que
puede fluir por el diodo, considerar voltaje en directa
1 V:
Ptot 250 mW
IF    250mA
UF 1V

• Esto indica que con una UF = 1 V, la corriente que puede

fluir es de 250 mA mientras se mantengan las
condiciones de temperatura.
Datos límite para un diodo

• Valores máximos para temperatura de juntura:

Jmax  70 ºC hasta 90 ºC con diodos de germanio.

Jmáx  150 ºC hasta 200 ºC con diodos de silicio.

Algunos fabricantes indican la máxima

temperatura ambiental ambmáx como valor límite.

ambmáx siempre es menor que Jmáx.

Datos límite para un diodo
Para carga pulsante:
Cuando un diodo NO
opera con una tensión de
operación sinusoidal,
sino con una de forma
rectangular, se debe tomar
en cuenta la carga
pulsante permisible (g)
según se indica en la
figura.
tp
g
T
tp: Tiempo de duración del pulso
T : periodo de la señal
Datos límite para un diodo
Ejemplo:
Si el tiempo de duración
del pulso cuadrado es 0.1
ms y el periodo de la onda
es 20 ms. ¿Cuál es el
valor del parámetro carga
pulsante permisible g?

tp 0.1ms
g   0.005
T 20ms
El caso de g = 0.005 se encuentra en la
parte superior de la figura.
Datos límite para un diodo
Ejemplo:
Si el tiempo de duración
del pulso cuadrado es 5
ms y el periodo de la onda
es 16.67 ms. ¿Cuánta
corriente en directa podrá
soportar como máximo el
diodo?
tp
5ms
g   0.299
T 16.67ms
El caso de g = 0.299 no existe,
entonces, no se puede tener una onda
pulsante con esas características
Datos característicos de hoja de especificaciones de diodos rectificadores
Datos Característicos
• Curvas características en
directa para los diodos BAY
44, BAY 45 y BAY 46 para el
rango de la tensión umbral,
con dos puntos de trabajo
adicionales.

UF en escala lineal
IF en logarítmica
 Datos Característicos
• Capacitancia del diodo CD
CD se obtiene de la capacitancia de juntura y de la capacitancia que
ocurre entre los terminales del diodo y su envoltura.
Aunque CD es un valor relativamente pequeño, esta puede tener un
efecto de mucho disturbio en la utilización práctica del diodo.

Durante el funcionamiento del

diodo puede “aparecer” una
capacitancia del diodo CD en
paralelo con el diodo.
Se puede formar entonces un
circuito RC con cierta constante
de tiempo entre la capacitancia
del diodo y la resistencia en
serie de la fuente de tensión
externa.
 Datos Característicos
• Capacitancia del diodo CD
Se dijo que, aunque CD es un valor relativamente pequeño, esta
puede tener un efecto de mucho disturbio en la utilización práctica
del diodo.

Ejemplos de disturbios:
En la operación con tensión alterna de muy alta frecuencia, la parte RC
actúa como un filtro pasa-bajo.
En la operación con impulsos éste RC actúa como un circuito integrador
causando una deformación del impulso.
Datos Característicos
• Tiempo de recuperación inverso trr

Si un diodo opera en directa,

la capa barrera se desintegra y
numerosos portadores de
carga se localizan en la región
de la capa límite entre el
material tipo P y el tipo N.
Datos Característicos
• Tiempo de recuperación inverso trr

En el momento de un cambio
súbito de la polaridad
(transición de directa a
inversa), la acción de bloqueo
de la juntura PN puede ocurrir
solamente cuando todos los
portadores de carga han salido
de la capa de barrera.
 Tiempo de recuperación inverso trr
(introducción)
•La figura muestra la transición de la
tensión de operación directa a inversa
de un diodo ideal.

UF: tensión en directa del diodo, I F: corriente en directa del

diodo, UR: tensión en inversa del diodo

•Durante la polarización inversa del

diodo ideal circula una corriente en
inversa IR muy pequeña, que muchas
veces se considera 0.

Pero este comportamiento de la

corriente, mostrado en la figura, durante
la transición de polarización directa a
inversa es ideal.
Tiempo de recuperación inverso trr

•La figura muestra la transición de la

tensión de operación directa a inversa
de un diodo real.
•Durante un cierto tiempo después del
cambio de polaridad, todavía fluye una
fuerte corriente en dirección inversa.
•El tiempo que demora la evacuación de
las cargas de la capa de barrera se
denomina tiempo de recuperación
inverso trr.

trr. : reverse recovery time

 Datos Característicos

• Tiempo de recuperación inverso trr

•El trr debe ser lo más pequeño posible.
Durante la conmutación de operación
directa a inversa, aparecerá un flujo de
corriente inversa alta, entonces durante
un corto tiempo aparece una alta
potencia de pérdida que puede destruir
el diodo.
•Además, el trr limita la máxima
frecuencia que se puede rectificar con el
el diodo. La rectificación es posible
únicamente cuando la duración de la
media onda a bloquearse es mayor que
el tiempo de recuperación inverso.
Datos Característicos

• Tiempo de recuperación inverso trr

En las hojas de datos siempre se indica el trr para

condiciones específicas.

En la mayoría de los casos se indica la corriente directa IF

antes de la conmutación y la tensión aplicada UR para el
instante después de la conmutación.
 Propiedades Características
Propiedad característica Diodo de Silicio Diodo de Germanio Diodo de Selenio

Tensión de Umbral Uu 0.5 V – 0.8 V 0.2 V – 0.4 V 0.6 V

Máxima tensión inversa URmáx 80 V – 1500 V 40 V – 100 V 20 V – 30 V por placa

Máxima densidad de corriente 100 A/cm2 50 A/cm2 0.1 A/cm2

permisible en la capa
semiconductora

Corriente inversa /R 5 nA – 500 nA 10 A – 500 A 100 A – 500 A

Máxima temperatura de la 150 ºC – 200 ºC 70 ºC – 90 ºC 60 ºC – 80 ºC
juntura Jmáx

Dependencia de temperatura Se duplica con un aumento de 8 Se duplica con un aumento de Se duplica con un aumento de 5 K
de la corriente inversa K de temperatura 10 K de temperatura de temperatura

Potencia de pérdida permisible Alta (debido a la más alta Promedio Promedio

Ppérmáx temperatura de juntura)

Aplicaciones Rectificación de todo tipo en Rectificación en HF Rectificación de sistemas de

operación de conmutación potencia.
 Tipos de diodos de potencia
El uso práctico de diodos debe considerar un gran número de
propiedades reales y condiciones de operación.
Los diodos se clasifican en:

• Diodos estándar (diodos lentos) para esfuerzo normal con frecuencia

de red entre 50 - 60 Hz;
• Diodos de alta potencia con corrientes directas límite permanentes
de hasta 1.5 kA;
• Diodos de alto bloqueo con tensiones pico inversas periódicas de
hasta 5 kV;
• Diodos de alta velocidad con pequeño tiempo de recuperación
inverso, características dinámicas buenas y alta eficiencia.
• Diodos de avalancha controlada que en operación inversa pueden
cargarse brevemente
 Algunas aplicaciones de diodos
Rectificador Monofásico de Media Onda
Algunas aplicaciones de diodos
Rectificador Monofásico de Media Onda
Algunas aplicaciones de diodos
Rectificador Monofásico de Media Onda
 Algunas aplicaciones de diodos

Rectificador Monofásico de Media Onda

Rizado o fluctuación: “ripple”

Algunas aplicaciones de diodos
Rectificador Monofásico de Onda Completa
Algunas aplicaciones de diodos
Rectificador Monofásico de Onda Completa
Algunas aplicaciones de diodos
Rectificador trifásico de Media Onda
Algunas aplicaciones de diodos
Rectificador trifásico de Media Onda
Algunas aplicaciones de diodos
Rectificador trifásico de media Onda
Algunas aplicaciones de diodos

Rectificador trifásico de Onda Completa

Algunas aplicaciones de diodos
Rectificador trifásico de Onda Completa
 Algunas aplicaciones de diodos

Rectificador trifásico de Onda Completa

PIV: voltaje inverso pico

 GRACIAS

20/08/2019 44