MEMORIA RAM

Memoria RAM estática

Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática

de Acceso Aleatorio es un tipo de memoria basada en
semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM,
es capaz de mantener los datos, mientras esté
alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin
embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden
la información si se les interrumpe la alimentación
eléctrica.
 Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que
significa que las posiciones en la memoria pueden ser
escritas o leídas en cualquier orden,
independientemente de cuál fuera la última posición
de memoria accedida.
 Cada bit en una SRAM se almacena en
cuatro transistores, que forman un biestable. Este
circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados
para almacenar (representar) un 0 o un 1.
 Se utilizan otros dos transistoresadicionales para
controlar el acceso al biestable durante las
operaciones de lectura y escritura.
 Modos de operación de una SRAM

Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de

operación: standby, en el cual el circuito está en
reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los
datos son leídos desde la memoria, y writing o en fase
de escritura, durante el cual se actualizan los datos
almacenados en la memoria.
Reposo

Si bus de control (WL) no está activado, los transistores de acceso M5 y M6

desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M1 – M4
mantendrán los datos almacenados, en tanto dure la alimentación eléctrica.

Lectura

Se asume que el contenido de la memoria es 1, y está almacenado en Q. El ciclo de

lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lógico, y luego activa WL y los
transistores de control. A continuación, los valores almacenados en Q y Q se
transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando BL a través
de M1 y M5 al 0 lógico. En el caso que el dato contenido en la memoria fuera 0, se
produce el efecto contrario: BL será ajustado a 1 y BL a 0.

Escritura

El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si se trata

de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que para un 1, basta con invertir
los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus WL, y el dato queda
almacenado.
Celda de seis transistores CMOS SRAM.
Usos de las SRAM
Como producto de propósito general:
o Con interfaces asíncronas como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados XXC256), y productos
similares que ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip.

o Con interfaces síncronas, principalmente como caches y otras aplicaciones que requieran
transferencias rápidas, de hasta 18Mbit por chip.

Integrados en chip:
 o Como memoria RAM o de cache en micro-controladores.
o Como cache primaria en microcontroladores, como por ejemplo la familia x86.
o Para almacenar los registros de microprocesadores.
o En circuitos integrados.
o En FPGAs y CPLDs.

 Usos integrados en productos

Las SRAM se utilizan en sistemas científicos e industriales,

electrónica del automóvil, y similares. También se pueden
encontrar en prácticamente todos los productos de uso
cotidiano que implementen una interfaz electrónica de
usuario.

También se puede encontrar memorias SRAM en los

computadores personales, estaciones de trabajo, routers y
la gran mayoría de periféricos.
 Tipos de SRAM
 SRAM no volátiles

Las memorias SRAM no volátiles (NVRAM) presentan el funcionamiento típico

de las RAM, pero con la característica distintiva de que los datos almacenados
en ellas son preservados aun cuando se interrumpe la alimentación eléctrica. Se
utilizan en situaciones donde se requiere conservar la información almacenada
sin necesidad de alimentación alguna, normalmente donde se desea evitar el uso
de baterías (o bien no es posible).

 SRAM asíncrona

Las SRAM asíncronas están disponibles en tamaños desde 4Kb hasta 32Mb. Con
un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de
comunicaciones, como switches, routers, teléfonos IP, tarjetas DSLAM, y en
electrónica de automoción.