Quantum interference effects in single-molecule superconducting

field effect transistors

(SMoSFET)

Ciro Nappi SPIN CNR SPIN

Francesco Romeo Dpt di Fisica Università di Salerno

Loredana Parlato Dpt di Fisica Università di Napoli e SPIN CNR

Ettore Sarnelli SPIN CNR e Dpt di Fisica Università di Napoli

Au
Pb
S
C
H
 Elettronica Molecolare
Due tipi:
1 elettronica basata su materiali molecolari :
usa assemblamenti di molecole con speciali proprietà conduttive (es: OLED)
2 elettronica a scala molecolare:
usa molecole organiche contattate singolarmente
Vantaggi e benefici possibili dell’ EM
•Basso costo dei dispositivi Tecniche di fabbricazione in 2:
• Oltre la legge di Moore • Scanning probe approach
• Auto-assemblaggio •Nano-pores
•Funzioni logiche complesse •Mechanically controlled break junctions
•Elettronica di read-out per •Electromigration break junctions
Funzioni biologiche
Complessità di progettazione dei circuiti
molecolari a singola molecola:
R1 • Principio di sovrapposizione non sempre
valido
≠ •Coulomb blockade
• Interferenza quantistica
R2
 Elettronica Molecolare a singola Molecola
Molecole e tipo di contatto con elettrodi metallici di fondamentale importanza
• Legami covalenti : meccanicamente stabili, a breve estensione,
sovrapposizione degli orbitali atomici, delocalizzione
• Interazione di Van der Waals: funzioni d’onda indipendenti, elettroni trasportati via
tunnel

Source Drain

Transistor a risonanza
Elettronica Molecolare Superconduttiva a Singola Molecola
Motivazioni
• Nessuna resistenza di contatto
• Oltre la legge di Moore senza dissipazione

• Studio del magnetismo molecolare 1D 0D

• Studio dello screening di Kondo
• Studio degli stati di Shiba Fe4 molecule

• Caratterizzazione di sistemi nanosc.

2017
 Un modello tight binding di transistor Josephson a singola
molecola (SM-JoFET)
Linear Combination of Atomic Orbitals (LCAO) approach, Hückel type (Chemistry)
Tight binding method (Physics)
Molecola usata: Benzene con un unico
orbitale per atomo    e i

Equazioni discretizzate di Bogoliubov-de Gennes

  f      , f  g   Ef 

Benzene C6H6
   g      ,  g  * f   Eg 

 f  ( x)  electron-like component
Caso di elettrodi normali trattato da
   

g ( x )
   hole-like component
Sparks et al. PRB 83 075437 (2011)
Un eventuale gate esterno cambia
[18] annulene C18H18
Andreev bound states Il valore di 
e electron 4
h hole E<  2
=0
=2eV
N LUMO

Cooper pair e h -2 ee ee
  0 HOMO E, scattering
 h e i
e e
S e S -4
energy state
 Relazione fase-corrente
Note le ampiezze di probabilità per lo scattering sulla molecola, cioè noti t(E), r(E), a(E), b(E)
è possibile calcolare il valore della supercorrente trasmessa tra i due elettrodi (in particolare
la corrente critica di giunzione) Interferenza Quantistica:
Le correnti critiche nei due rami paralleli
non si sommano in maniera classica

Valore ottimale del contatto molecola-elettrodo

per la massima corrente critica
 Funzionamento del dispositivo come Transistor Josephson
Interferenza Quantistica:
Funzionalizzazione attraverso la forma della
ON para Molecola: Antirisonanze
Solid line:
T=0.01Tc
=0
=2
L= R=0
OFF
L=R=2.2e
V
meta
d=1

Dashed
line:
respective
optimal
values of
d have
been used
for chain
or ring

ortho
ron
ho

ct
ele
le

2/
Benzene-1,4-dithiol

Energy band of a superconducting 1,3-Benzenedithiol Benzene-1,2-dithiol

lead in the tight binding approximation
GRAZIE PER LA
VOSTRA
ATTENZIONE