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Diodos

ES UN DISPOSITIVO CAPAS DE VARIAR SU RESISTENCIA


INTERNA EN FUNCIÓN DE LA TENCIÓN APLICADA EN SUS
TERMINALES. EL DIODO ZENER, RECIBE ESTE NOMBRE
POR SU INVENTOR, EL DR. CLARENCE MELVIN ZENER,
ES UN DIODO DE SILICIO QUE SE HA CONSTRUIDO PARA
QUE FUNCIONE EN LAS ZONAS DE RUPTURAS.
ESTOS DISPOSITIVOS NO ESTÁN CONSTITUIDOS POR
UNA UNIÓN P–N, EL DIODO SCHOTTKY TIENE UNA
UNIÓN METAL-N. ESTOS DIODOS SE CARACTERIZAN
POR SU VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN, UNA BAJA
CAÍDA DE VOLTAJE CUANDO ESTÁN POLARIZADOS EN
DIRECTO.LA TENCIÓN UMBRAL DE LOS DIODOS
SCHOTTKY DE SILICIO OSCILA ENTRE LOS 0,3 Y 0,7V.
ES UN SEMICONDUCTOR CONSTRUIDO CON UNA UNIÓN PN,
SENSIBLE A LA INCIDENCIA DE LA LUZ VISIBLE O INFRARROJA.
PARA QUE SU FUNCIONAMIENTO SEA CORRECTO SE POLARIZA
INVERSAMENTE, CON LO QUE SE PRODUCIRÁ UNA CIERTA
CIRCULACIÓN DE CORRIENTE CUANDO SEA EXCITADO POR LA
LUZ. DEBIDO A SU CONSTRUCCIÓN, LOS FOTODIODOS SE
COMPORTAN COMO CÉLULAS FOTOVOLTAICAS, ES DECIR, EN
AUSENCIA DE LUZ EXTERIOR GENERAN UNA TENSIÓN MUY
PEQUEÑA CON EL POSITIVO EN EL ÁNODO Y EL NEGATIVO EN
EL CÁTODO. ESTA CORRIENTE PRESENTE EN AUSENCIA DE LUZ
RECIBE EL NOMBRE DE CORRIENTE DE OSCURIDAD.
ES UN TIPO DE DIODO QUE BASA SU FUNCIONAMIENTO EN EL
FENÓMENO QUE HACE QUE LA ANCHURA DE LA BARRERA DE
POTENCIAL EN UNA UNIÓN PN VARÍE EN FUNCIÓN DE LA TENSIÓN
INVERSA APLICADA ENTRE SUS EXTREMOS. AL AUMENTAR DICHA
TENSIÓN, AUMENTA LA ANCHURA DE ESA BARRERA,
DISMINUYENDO ASÍ LA CAPACIDAD DEL DIODO. DE ESTE MODO SE
OBTIENE UN CONDENSADOR VARIABLE CONTROLADO POR
TENSIÓN.

TAMBIÉN SE CONOCEN COMO DIODOS ESAKI, EN HONOR DEL HOMBRE


QUE DESCUBRIÓ QUE UNA FUERTE CONTAMINACIÓN CON IMPUREZAS
PODÍA CAUSAR UN EFECTO DE TUNELIZACIÓN DE LOS PORTADORES DE
CARGA A LO LARGO DE LA ZONA DE AGOTAMIENTO EN LA UNIÓN. UNA
CARACTERÍSTICA IMPORTANTE DEL DIODO TÚNEL ES SU RESISTENCIA
NEGATIVA EN UN DETERMINADO INTERVALO DE VOLTAJES DE
POLARIZACIÓN DIRECTA. CUANDO LA RESISTENCIA ES NEGATIVA, LA
CORRIENTE DISMINUYE AL AUMENTAR EL VOLTAJE.
ESTE DIODO TIENE CARACTERÍSTICAS MUY DIFERENTES A LOS
ANTERIORES, YA QUE NO ES RECTIFICADOR. SE TRATA DE UN
GENERADOR DE MICROONDAS, FORMADO POR UN
SEMICONDUCTOR DE DOS TERMINALES QUE UTILIZA EL
LLAMADO EFECTO GUNN. ESTE EFECTO GUNN SÓLO SE DA EN
MATERIALES TIPO N (MATERIAL CON EXCESO DE ELECTRONES)
Y LAS OSCILACIONES SE DAN SÓLO CUANDO EXISTE UN
CAMPO ELÉCTRICO.

LOS DIODOS EMISORES DE LUZ SON UN TIPO


ESPECIAL DE DIODO, QUE TRABAJA COMO UN
DIODO COMÚN, PERO QUE AL SER
ATRAVESADO POR LA CORRIENTE ELÉCTRICA,
EMITE LUZ.EXISTEN DIODOS LED DE VARIOS
COLORES QUE DEPENDEN DEL MATERIAL CON
EL CUAL FUERON CONSTRUIDOS. HAY DE
COLOR ROJO, VERDE, AMARILLO, ÁMBAR,
INFRARROJO, ENTRE OTROS.
•WILLIAM BRADFORD SHOCKLEY (13 DE FEBRERO DE 1910 - 12 DE AGOSTO DE 1989)
FUE UN FÍSICO ESTADOUNIDENSE, GALARDONADO CON EL PREMIO NOBEL DE FÍSICA
EN 1956, POR SUS INVESTIGACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES Y EL
DESCUBRIMIENTO DEL EFECTO TRANSISTOR. JUNTO CON JOHN BARDEEN Y WALTER
HOUSER BRATTAIN INVENTÓ EL TRANSISTOR DE UNIÓN EL 5 DE JULIO DE 1951.

•EN 1954 WILLIAM SHOCKLEY ABANDONÓ LOS LABORATORIOS BELL PARA FUNDAR
UNA EMPRESA PROPIA. ELIGIÓ COMO EMPLAZAMIENTO SU CIUDAD NATAL DE PALO
ALTO, EN CALIFORNIA, DONDE SE CONTABA CON UNAS CONDICIONES FAVORABLES
PARA LA CONSTRUCCIÓN DE UNA EMPRESA MODERNA. ALLÍ HABÍA UNA UNIVERSIDAD,
LA UNIVERSIDAD STANFORD QUE SE ENCUENTRA HOY ENTRE LAS UNIVERSIDADES
MÁS SELECTAS DE LOS EE.UU.

•A FINALES DE LOS AÑOS 1960, SHOCKLEY REALIZÓ UNAS CONTROVERTIDAS


DECLARACIONES ACERCA DE LAS DIFERENCIAS INTELECTUALES ENTRE LAS RAZAS,
DEFENDIENDO QUE LOS TEST DE INTELIGENCIA MOSTRABAN UN FACTOR GENÉTICO
EN LA capacidad intelectual revelando QUE LOS AFRO-ESTADOUNIDENSES ERAN
INFERIORES A LOS ESTADOUNIDENSES CAUCÁSICOS, ASÍ COMO QUE LA MAYOR TASA
DE REPRODUCCIÓN ENTRE LOS PRIMEROS TUVO UN EFECTO REGRESIVO EN LA
EVOLUCIÓN.

•CREÓ SUS PROPIOS LABORATORIOS EN CALIFORNIA, PERO SU FORMA DE LLEVAR LA


EMPRESA PROVOCÓ QUE OCHO DE SUS INVESTIGADORES EN 1957 ABANDONASEN LA
COMPAÑÍA. ENTRE ELLOS ESTABAN ROBERT NOYCE Y GORDON MOORE QUE MÁS
TARDE CREARÍAN INTEL.

•ENTRE SUS PUBLICACIONES DESTACA "ELECTRONES Y HUECOS EN EL


SEMICONDUCTOR", OBRA PUBLICADA EN 1950.
Al vencer sin obstáculos se triunfa sin gloria.
AUTOR: CORNEILLE

Esta reflexión hace relación que en nuestra vida


se presentan múltiples obstáculos que tratan de
oscurecernos el camino, pero para ello hay que
ser audaz y sacar provecho de cada uno de ellos
para formarnos íntegramente y no limitarnos a lo
fácil dejando así grandes vacios en nuestro
conocimiento y a la hora de aplicarlos estos
conocimientos no sabremos ni cómo empezar.
Parte II
Análisis mediante recta de carga
E – VD – VR = 0
ID
E = VD + VR
+ -
VD +
+ Para trazar la recta de carga se
E R VR elige VD = 0 para definir un ùnto
- de la recta e ID = 0 para el otro
-
punto.

En el primer caso ID = E/R


En el segundo VD = E
El punto de operación Q es la intersección de la recta de carga y la
curva VI del diodo.
Ejemplo
Modelo simplificado
Diodo ideal
El diodo ideal
vD = 0 cuando iD  0
iD = 0 cuando vD  0
Análisis en continua de circuitos
que contienen diodos ideales
1. Hacer una suposición razonada acerca del estado de cada diodo.
2. Redibujar el circuito sustituyendo los diodos en conducción por un
cortocircuito y los diodos cortados por un circuito abierto.
3. Mediante el análisis del circuito determinar la corriente en cada
cortocircuito que representa un diodo en conducción y la tensión en cada
circuito abierto que represente un diodo en circuito abierto.
4. Comprobar las suposiciones hechas para cada diodo. Si hay
contradicción – una corriente negativa en un diodo en conducción o una
tensión positiva en un diodo cortado – en cualquier lugar del circuito,
volver al primer paso y comenzar de nuevo con una mejor suposición.
5. Cuando no hay contradicciones, las tensiones y corrientes calculadas
para el circuito se aproximan bastante a los valores verdaderos.
Ejemplo:
Otros modelos de diodos

Modelo con
tensión de codo
Modelo lineal del diodo
Vg es la tensión
para en la que
circula por diodo
una corriente
igual al 1% de la
que circula en vD
= VD .
rf – resistencia
directa
Diodo zener
Modelos de diodo zener
Tarea de recta de carga
a. Utilizando las características de la figura determine ID, VD y VR
para el circuito de la figura.
b. Repita utilizando el modelo aproximado e ideal para el diodo
ID (mA)

30
+
25
Si
ID
20
+ - 15
VD
10

.33 kW VR 5
8V
VD (V)
- 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

0.7
Rectificador de media onda
Modelo con tensión de codo
Rectificador de media onda
El rectificador de media onda convierte una tensión alterna en
continua pulsante. Si el diodo es ideal
vo = vi cuando vi  0
vo = 0 cuando vi < 0
El valor medio o componente de continua se calcula con:

1 T 2 T  VM
Vdc  
T

0
VM sen otdt   0dt  
T 2
 

donde T es el periodo y o = 2  f = 2  /T.


Continuación
El diodo conduce solo para vi > 0.7V. Es decir, un t1 a un t2 que
son solución de la ecuación
1  0.7 
t sen 
-1

o  VM 
La tensión inversa de pico (TIP) es el voltaje máximo inverso que
puede aplicarse al diodo antes de romper, este es un parámetro
importante para propósitos de rectificación.
También deben cumplir con la corriente de pico, la cual es la
máxima corriente que puede circular por el diodo en conducción.
El circuito de control de volumen automático en los radios utiliza un
rectificador para generar la tensión continua que gobierna la
potencia de la señal. Otra aplicación es en el amperímetro de alterna
analógico.
Cargador de baterías
La siguiente figura muestra un cargador de baterías simple. El
diodo conduce para vi  VBB, en ese caso la corriente es

i = (vi – VBB)/R
el diodo conduce para
= radianes. La
corriente de DC está
dada por
Rectificador de onda completa

El PIV (voltaje máximo de


ruptura inversa) debe ser
PIV > Vm
Rectificador de onda completa con
WorkBench
Rectificador con dos diodos
Voltaje máximo de ruptura
De la figura puede verse
que el PIV (voltaje
máximo de ruptura
inversa) debe ser
PIV > 2Vm
Rectificador con dos diodos con
WorkBench
Puente con 2 diodos
Se sustituyen dos de los diodos por resistencias.
El voltaje máximo se reduce a la mitad.
V0 = Vm/2

- V0 +
-
Recortador en serie
El diodo conduce cuando el voltaje de la fuente de señal menos
el voltaje de la fuente directa es mayor que cero.

En este caso el diodo conducirá


cuando vs > 1 V
+
En realidad conducirá cuando
la entrada tenga 1.7 para Si y vo
1.3 para Ge.
-
La señal de salida en el EWB es la siguiente con una fuente de
4V en serie con el diodo con 10V/división vertical.
La senoidal completa es la de la fuente y la recortada es la salida
en la resistencia.
V0max = Vsmax – 4 – 0.7
Invirtiendo la fuente se obtiene la figura 2

Figura 1. Figura 2.
Recortador en paralelo
El diodo conduce cuando el voltaje de la fuente de señal menos
el voltaje de la fuente directa es mayor que cero.

En este caso el diodo conducirá


cuando vs > 1 V
+
En realidad conducirá cuando
la entrada tenga 1.7 para Si y vo
1.3 para Ge.
-
Resumen
Cambiadores de nivel
Un circuito cambiador de nivel sube o baja una señal un
determinado nivel de dc.
Supondremos una t = RC grande para que el capacitor no se
descargue.

vi v0
Con vi > 0, el diodo conduce, y se comporta como un corto, por
tanto el voltaje en R es 0.

Con vi < 0, el diodo no conduce, y se comporta como un circuito


abierto, por tanto el voltaje en R es:
– V – V – v0 = 0
v0 = – 2V
Circuito limitador
Limitador con fuente
Limitador de dos niveles
Transferencia de un circuito
limitador
Modelo del transformador
Capacitancia de difusión
Q p  Aqn2
i
Nd
Lp
e vD VT

-1
 
Qd  Qp  Qn  K evD VT -1
2 Ln
Qn  Aqni
Na

e vD VT - 1 
Capacitancia de deplexión
La capacitancia de deplexión está dada por:

C j0
Cdep 
1- v D V j0 
m

Donde Cj0 es la capacidad a


tensión cero, y m es el coeficiente
de gradiente, m = 0.5 para
uniones abruptas y m = 0.33 para
uniones graduales.
Modelo dinámico del diodo
Dp Dn
La corriente del diodo esta dada por: iD  Q p  Qn
L2p L2n
Dado que: L2p L2n
tp  y tn 
Dp Dn

Qp Qn
Entonces iD  
tp tn

Para un diodo con Na >> Nd

Qp
iD 
tp
continuación
En el caso dinámico la corriente también proviene de
la carga de difusión y de deplexión, entonces:
Qp dQ p dQdep
iD   
tp dt dt

Esto se puede modelar mediante la red de la figura.


Conmutación dinámica
Considere el circuito de la figura al que se le aplica la señal
mostrada.

 
-
i0 
Q
tp
 
 I s e -VNN VT - 1  - I s

 VNN
i 0   V
 DD
R
VDD - 0.7
iD t  
R
Transitorios