Amplificador

Circuito:
Datos:
P0=15W
RL=8ohm
S=0.4Vrms
Riaf>90k
 Etapa de salida
AB

Etapa Exitadora
A

Etapa Entrada A
Calculo de la Tensión de alimentación

𝑉𝑜𝑒𝑓 2
 (V+)+(V-)=Vcc 𝑃0 =
𝑅𝐿

𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 2
𝑃0 =
2𝑅𝐿
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 2
𝑃0 =
2𝑅𝐿
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 2𝑃0 𝑅𝐿
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 2(15)(8)
𝑉𝑜𝑚𝑎𝑥 = 15.4919𝑉
𝑉𝑜𝑒𝑓𝑓 = 10.95
15.49
𝐼𝑜𝑚𝑎𝑥 = = 1.93𝐴
8
 Para Rp1=Rp2
 Resistencias de protección térmica PTCs
 Mayor Rp mayor protección pero menor rendimiento
 5%RL<Rp<10%
 Rp=0.39 ==0.4ohm
 Maxima disipiacion:
 Ieff= Iomax/2 ->solo medio ciclo
 (𝐼𝑜𝑚𝑎𝑥/2)2 𝑅𝑝 = 0.37𝑊 == 0.5𝑊(𝑐𝑜𝑚𝑒𝑟𝑐𝑖𝑎𝑙)
𝑉 + = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡1 + 𝐼𝑜𝑚𝑎𝑥(𝑅𝐿 + 𝑅𝑝1)

𝑉 + = 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡1 + 1.93 (8.39)

Vce depende del transistor ->

depende de la potencia del
amplificador: En nuestro caso 1V

𝑉 + = 1 + 1.93 (8.39)

𝑉 + =17.24

Vcc= 2𝑉 + = 34.49V == 35V

Con estos datos se puede
calcular la potencia del transistor
y seleccionarlo
 Para el caso de fuente partida se considera un solo transistor ya que el otro
es idéntico:
 Al ser fuente partida se considera:
 Vce(t)=Vc-T(t)-Ve-T(t)
 Vc-T=tensión total del colector respecto a tierra.
 Ve-T=tensión total del emisor respecto a tierra.
 Vc-T=V+
 Ve-T(t)=V0max sen(wt)
 Vce(t)=(V+) -V0max sen(wt)
 Calculo de R1,R2,Rv1

 Si se considera Hfe=120
𝐼𝑐1𝑚𝑎𝑥 1.93
 𝐼𝑏1𝑚𝑎𝑥 = = = 16.14𝑚𝐴
1+ℎ𝑓𝑒1 121
 Circuito dinámico de salida operando T1

𝐼𝑐3𝑚𝑎𝑥 = 𝐼𝑏1𝑚𝑎𝑥 + 𝐼
Para aumentar la
eficiencia
𝐼𝑏1𝑚𝑎𝑥 ≫ 𝐼
Ya que T3 funciona
como clase A
Icq3>=Ic3max

Se adopta valor I y luego se

itera => I=10%Ib1max =>
I=1.614mA
Ic3max=16.14+1.614=17.75mA
Icq3>=17.75mA

Se toma 19mA
 𝑉𝑐𝑐 = 𝐼𝐶𝑄3 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅𝑣1 + 𝑉𝐶𝐸𝑄3
𝑉𝑐𝑐
𝑉𝐶𝐸𝑄3 𝑑𝑒𝑏𝑒 𝑠𝑒𝑟 𝑐𝑎𝑠𝑖 𝑖𝑔𝑢𝑎𝑙 ∶ 𝑦𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑑𝑒𝑏𝑒 𝐴 𝑇1𝑦 𝑇2 𝑟𝑒𝑠𝑝𝑒𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎𝑚𝑒𝑛𝑡𝑒
2
𝑒𝑛 𝑐𝑎𝑑𝑎 𝑠𝑒𝑚𝑖𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜
𝑉𝐶𝐶 − 𝐶𝐶𝐸𝑄3 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑐𝑐/2 𝑉𝑐𝑐/2 15.5𝑉
𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅𝑣1 = = = = = 921.05
𝐼𝐶𝑄3 𝐼𝐶𝑄3 𝐼𝐶𝑄3 19𝑚𝐴
Para eliminar distorsión por cruce debe haber diferencia de
Potencial entre las bases T1 y T2 y se produce por ICQ3 a través
de Rv1=> esta puede estar entre 1 o 1.5 v tomando el mas alto..

1.5𝑉
𝑅𝑣1 = = 78.94Ω == 𝑠𝑒 𝑡𝑜𝑚𝑎 100Ω
19𝑚𝐴
Potencia disipada = 0.019^2*100=36.1mW

R1+R2=921.05-78.94=842.1ohm
 Pero R1//RL entonces R1>>RL
 Si por criterio de diseño R1>=20RL =>160ohm (180ohm comercial)
 Pdisipada= (19mA)^2*(180ohm)=64.98mW
 R2=842.1-180=662.1 (comercial 680)
 R2 no debe disipar mucha potencia ya que no es parte de la señal de
salida. Se usa un bootstrap para forzar tensión pequeña sobre esta.

𝐼 = (𝑉𝑏𝑒1𝑠𝑎𝑡 + 𝐼𝑒1𝑚𝑎𝑥 𝑅𝑝1)/𝑅2

𝐼 = (1.2 + 1.9265𝐴 ∗ 0.39)/680

𝐼 = 2.875𝑚𝐴

Se puede:.
-Elegir un par de mayor hfe
Esta corriente es superior a lo
-UN par Darlington
que se adopto antes, aunque
-Reemplazar el bootstrap
casi igual 19mA-
por una carga activa
16.14mA=2.86mA
Diminuir el valor de
Rp1(=Rp2)a 0.33ohm
 Si se disminuye entonces:

𝐼 = (𝑉𝑏𝑒1𝑠𝑎𝑡 + 𝐼𝑒1𝑚𝑎𝑥 𝑅𝑝1)/𝑅2

1.2 + 1.936𝐴 ∗ 0.33 1.839

𝐼= = = 2.7𝑚𝐴 < 2.87𝑚𝐴
680 680

 Si se reemplaza por una carga activa (fuente

espejo) se quita R1,R2,Cb1
Selección del transistor excitador T3

Requiere:
 Icmax
 Bvceo
 Pdmax
 hFE
 Ic3max=Icq3+Icq3max=CA+CC
 Si ic3max=Ib3max+I=16.14+2.7mA
 ic3max>=37.84mA
 BVCEO3 >=Vcc/0.75=35/0.75=46.66V
 Pdmax>=Icq3+Vceq3 (peor condición claseA)
 Pdmax>=19mA1.75V=333.2mW
Se
selecciona
BC337
Calculo de R3
Icq3=Icq4-Ibq3 se debe
independizar de las variaciones
de Ibq3 y ya que Icq4>ibq3
Aunque la estabilidad depende
mas de la primera etapa. Por
precaución se hace:
5IBQ3<=ICQ4<=10IBQ3 esto se aplica
para acoplamiento directo.

𝐼𝑐𝑞4 = 5𝐼𝑏𝑞3
I3 = Icq4 − Ibq3 = 5Ibq3 − Ibq3 = 4Ibq3

𝐼𝐶𝑄3 19𝑚𝐴
𝐼𝐵𝑄3 = = = 109.19𝑢𝐴
𝐻𝑓𝑒3 174
𝐼3 = 4 109.19𝑢𝐴 = 436.78𝑢𝐴

𝑉𝑏𝑒3 0.65𝑉
𝑅3 = = = 1488.14𝑜ℎ𝑚 == 1500𝑜ℎ𝑚
𝐼3 436.78𝑢𝐴

Potencia disipada I3^2*R3=(436uA^2*1500)=286mW=1/8W

Selección de T4

Se elije BC559B
Determinación del punto Q etapa de
entrada
 Esta etapa disipa poca potencia
 No se tiene limitación para Vceq si <=Vcc/2 =17.5
 => Para comenzar si optamos Ve=0.2*17.5
 El valor de R4 yR5 influyen en la amplificación de la primera etapa
 Importante para que la amplificación total LA la mayor posible para eviar
distorsion
 Se puede seleccionar la máxima excursión aunque no es necesario ya que
en esta etapa la excursión es minima.

17.5 = 𝑉𝐸𝐶𝑄4 + 𝐼𝐸𝑞4 𝑅4 + 𝐼3𝑅3; 𝐼𝐸𝑄4 𝑅4 = 3,5𝑉; 𝐼3𝑅3 = 0.655𝑉 Calculo de R4:
Entonces: Vecq4=17.5V-3.5V-0.665V=13.34V R4=VR4/Ieq4=3.5V/0.54mA=
Ya que ICQ4 =0.546mA 6.41K==6.8K
CALCULO DE R5
 Se debe recordar que:
 Avf=Vo/Vi=10.95V/0.4V=27.3
𝐴𝑣
 Pero: 𝐴𝑣𝑓 =
1+𝛽𝐴𝑣

 Si es fuertemente realimentado BAv>>1

 𝐴𝑣𝑓 == 1/𝛽 es la transferencia de la red de alimentación negativa
 Que conforma el divisor de tensión compuesto por R4 y R5

𝑉𝑓 ′ 𝑅5
𝛽= =
𝑉𝑜 𝑅4 + 𝑅5
Vf’ tensión que transfiere a la
Entrada del cuadripolo de realimentación
Al circuito abierto
1 𝑅4 + 𝑅5 𝑅4 𝑅4
= = 1+ = 27.38 ⇒ = 26.38
𝛽 𝑅5 𝑅5 𝑅5
𝑅4 6.8𝐾
𝐷𝑒𝑠𝑝𝑒𝑗𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑅5 = = = 257.71𝑜ℎ𝑚
26.36 26.38
El valor elevado de R5 influye en la amplificación de la primera etapa
Ya que aproximadamente es : (ri3//R3)/R5
𝑅4 6.8𝐾
𝐷𝑒𝑠𝑝𝑒𝑗𝑎𝑛𝑑𝑜 𝑅5 = = = 257.71𝑜ℎ𝑚
26.36 26.38
𝑉𝑇 𝑉𝑇𝐻𝑓𝑒3 174
𝑅𝑖3 = = = = 228.94𝑜ℎ𝑚
𝐼𝐵3 𝐼𝑐𝑞3 40 ∗ 19𝑚𝐴
𝐿𝑢𝑒𝑔𝑜 Ri3//R3=228.9//1.5K=198.63 ohm
Entonces para tener amplificación en la primera etapa R5 debe ser menor
A este valor pero R5 cumple 2 roles también debe ser elevada para tener Rif
Elevada.
 Entonces si R5 = a 18ohm entonces la amplificación de esta primera etapa
es = (198.63/18ohm)= -11.3 aproximadamente
 Ahora R4=26.38*R5=474.95==470ohm _____-R4 y R5 no influyen
dinámicamente sobre la carga de 8 ohm
 Este valor difiere del calculado por Icq4 por lo que se divide en 2
resistencia en serie 6.41Kohm=470+R4* R4*=6.07k.
 Ieq4=3.5V/6.07k=0.57mA el valor anterior fue 0.546mA la diferencia es
minima.
 Calculo red de polarización del
transistor de entrada
 Se calculara Rv2,R6,R7
 𝐼6 = 𝐼𝐵𝑄4 + 𝐼5
𝐼𝐶𝑄4 0.5766𝑚𝐴
 𝐼𝐵𝑄4 = 𝐻𝑓𝑒4 = = 2.13𝑢𝐴
270

 I6 debe ser similar a I5 para obtener una red

estable e independiente de IBQ4 -> I5>>IBQ4
cuanto mayo mas estable pero limitada por la
resistencia de entrada del amplificador---dato
Si se supone I5=30IBQ4=64.065uA
I6=64.05uA+2.13uA=66,2uA
Y además:
𝑉𝑏4 − 𝑇 Vb4 − T
𝑅𝑣2 + 18 = =
I5 64.065uA
Vb4 − T = 17.5V − 𝐼𝐸𝑄4 6.07 − 0.6𝑉

Vb4 − T = 17.5V − 3.5 − 0.6 = 13.4V

13.4
𝑅𝑣2 + 18𝑜ℎ𝑚 = = 209.13𝐾
68.06𝑢𝐴

𝑅𝑣2 = 209.13𝐾 − 18𝑜ℎ𝑚 == 220𝑘

 En modo dinámico Rv2//hie4
R6 se encuentra conectada en paralelo con la R
dinámica de entrada realimentada de T4 Riaf
(R6//Rf) Rif es la resultante de una realimentación
negativa local y total se obtiene que:

Rif=[(hie4//Rv2)+R4//R5(1+hfe4))](1+βAv)
A priori se supone que Rif >>R6
Vcc-Vb4-T = I6*(R6+R7)
(R6+R7)= (Vcc-Vb4-T )/i6=(35-13.18)/66,2u=329.5K
Pero R6>=90k
Si se elije R6 = 150k=>R7=180K
Calculo de la Av

𝑅5 + 𝑅4 ∥ 𝑅1 ∥ 8Ω = 7.54Ω

Por lo tanto el paralelo lo domina la carga, es decir prácticamente es 8Ω

Reemplazando las resistencias por sus valores se tiene
Reemplazando los transistores por su modelo incremental equivalente
válido para señales débiles y frecuencias medias, en el caso de la
etapa de entrada y para las restantes que no operen en señales
débiles por su modelo equivalente para señal:

Recordar que 220𝐾Ω ≫ ℎ𝑖𝑒4

Se considera la resistencia de salida del preamplificador (Rosp),
el cual es el encargado de excitar el amplificador de salida.

ℎ𝑓𝑒 ∗ 18Ω
𝑅𝑜4 = 𝑟𝑜4 1 + Ro4 ≫ (1.5kΩ ∥ 𝑟𝑖3)
18Ω + ℎ𝑖𝑒4 + (150𝑘Ω ∥ 𝑅𝑜𝑠𝑝
 Rosp tiene que ser mucho menor que 150kΩ ya que el preamplificador es de
aplicación universal y la resistencia de entrada de ningún amplificador es
capaz de modificar su amplificación, por lo tanto, el paralelo lo domina Rosp

ℎ𝑓𝑒 ∗ 18Ω
𝑅𝑜4 = 𝑟𝑜4 1 +
18Ω + ℎ𝑖𝑒4 + 𝑅𝑜𝑠𝑝

Parámetros híbridos del manual técnico:

ℎ𝑓𝑒4 𝐼𝐶𝑄 4 ≈ 0.6𝑚𝐴 = 320
ℎ𝑖𝑒4 𝐼𝐶𝑄 4 ≈ 0.6mA = 9kΩ
ℎ𝑜𝑒4 𝐼𝐶𝑄 4 ≈ 0.6mA = 28uS
𝑟𝑜4 ≈ 1 → ℎ𝑜𝑒4 = 35.714𝑘Ω
Por lo tanto reemplazando los datos

320 ∗ 18Ω
𝑅𝑜4 = 35.714𝑘Ω 1 + = 46.541𝑘Ω
18Ω + 9𝑘Ω + 10𝑘Ω

𝑅𝑖4 = ℎ𝑖𝑒4 + 18Ω 1 + ℎ𝑓𝑒4 = 9𝑘Ω + 18Ω 1 + 320 = 14.778𝑘Ω

 1 1
𝑟𝑜1 = = = 5000Ω
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑉𝐴 1 𝑔𝑚1 100𝑉 40𝐼𝑐 1
1 1
𝑟𝑜3 = = = 5452.63Ω
𝑉𝑇 25𝑚𝑉
𝑉𝐴 3 𝑔𝑚1 100𝑉 40𝐼𝑐 3
 𝑉𝑇 ∗ ℎ𝑓𝑒1 ℎ𝑓𝑒1 150
𝑟𝑖1 = = = = 187.5Ω
𝐼𝐶 1 𝑔𝑚1 40 ∗ 20𝑚𝐴
𝑉𝑇 ∗ ℎ𝑓𝑒3 ℎ𝑓𝑒3 150
𝑟𝑖3 = = = = 228.947Ω
𝐼𝐶 3 𝑔𝑚3 40 ∗ 20𝑚𝐴

En la entrada se despreció el ro1, por ser mucho más grande que su

equivalente en paralelo
 𝑉𝑏 1 − 𝑡
𝑅𝑖1 =
𝐼? +𝐼𝑏 1

Se sabe que
𝐼? = 2.7𝑚𝐴 e 𝐼𝑏 1 = 16.14𝑚𝐴

𝑉𝑏 1 − 𝑡 = 𝐼?∗ 680Ω + 𝐼𝑜 + 𝐼? 𝑅𝐿 ≈ 2.7𝑚𝐴 ∗ 680Ω + 1.9365A + 2.7mA ∗ 8Ω

𝑉𝑏 1 − 𝑡 = 17.35𝑉

Entonces:
17.35𝑉
𝑅𝑖1 = = 921Ω
2.7𝑚𝐴 + 16.14𝑚𝐴

La resistencia equivalente que ro1 en paralelo es

𝐼𝑜 ∗ 8Ω + 𝐼𝑒1 ∗ 0.33Ω + 𝐼?∗ 8Ω 15.5138𝑉 + 0.639𝑉 + 0.0216𝑉

𝑅𝑒𝑞 ≈ =
𝐼𝑒1 1.9365𝐴

𝑅𝑒𝑞 = 8.352 Ω
 Calculo de la transferencia
𝑉𝑜3 𝑉0 3 ∗ 𝐼𝑏 3 ∗ 𝐼𝑏 4 ℎ𝑓𝑒3 ∗ 𝐼𝑏3[78.84Ω + 𝑅𝑖) ∥ 𝑟𝑜3] ℎ𝑓𝑒4 ∗ 𝐼𝑏4 ∗ 1.5𝐾Ω 𝑉𝑖 1
= = ∗ ∗ ∗
𝑉𝑖 𝐼𝑏 3 ∗ 𝐼𝑏 4 ∗ 𝑉𝑖 𝐼𝑏3 1.5𝐾Ω + 𝑟𝑖3 ∗ 𝐼𝑏4 14.78𝐾Ω 𝑉𝑖

𝑉𝑜3
= 𝐴1 ∗ 𝐴2 ∗ 𝐴3
𝑉𝑖

A1=amplificación de tensión a lao abierto de etapa de entrada

(con realimentación local)
A2= amplificación de tensión de la segunda etapa
A3= amplificación de tensión de la etapa de salida
𝑉𝑜3 174315[(78.9Ω + 921Ω) ∥ 5452.63Ω] 40182679.33
= = = 2718.37
𝑉𝑖 1.5𝐾Ω + 228.947Ω 14.78𝐾Ω 14780

𝑉𝑜∗ 𝑉𝑜∗ 𝑉𝑜3

Pero se debe calcular = 𝑉𝑜3 ∗ = 𝐴𝑣
𝑉𝑖 𝑉𝑖

Por lo tanto faltaría:

𝑉𝑜 ∗ 𝑅𝑖1 𝑅1(1 + ℎ𝑓𝑒1)
=
𝑉𝑜3 (𝑅𝑣1 + 𝑅𝑖1) {𝑟𝑖1 + 𝑅1 + 𝑅𝑝1 1 + ℎ𝑓𝑒 }
921Ω 8Ω ∗ 121
= =
(78.94Ω + 921Ω) {187.5Ω + 8.33Ω ∗ 121 }
𝑉𝑜 ∗
= 0.921 ∗ 0.81 = 0.746
𝑉𝑜3

𝐴𝑣 = 0.746 ∗ 2718.37
𝐴𝑣 = 2027.9