Panoramica sui dispositivi

semiconduttori di potenza
1. Introduzione
2. Diodi
3. Tiristori
4. Caratteristiche desiderabili negli “switch” controllati
5. Transistor a giunzione bipolari (BJT) e Darlington monolitici
6. Transistor a effetto di campo a metallo-ossido-semiconduttore (MOS-FET)
7. Tiristori GTO (Gate Turn-off Thyristors: tiristori con spegnimento dal gate)
8. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT: insulated gate bipolar transistor)
9. Tiristori commutati a gate integrato (IGCT: Integrated Gate Commutated Thyristor)
10.Tiristori controllati a metallo-ossido-semiconduttore MCT (MOS controlled thyristor)
11.Confronto tra “switch” controllati: prestazioni e range di applicazione
12.Circuiti di pilotaggio e smorzamento (snubber)
13.Giustificazione dell’utilizzo di caratteristiche idealizzate dei dispositivi

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-1
dispositivi semiconduttori di potenza
 Un po’ di terminologia dei data sheet
VRRM Repetitive peak reverse voltage
VRSM Non-repetitive peak reverse voltage
VDRM Repetitive peak off-state voltage
VDSM Non-repetitive peak off-state voltage
VT(O)M On-state (threshold) voltage
rT Forward on-state slope resistance
IF(T) (RMS) RMS forward (on-state) current
IF(T) (AV) Average forward (on-state) current
IF(T)SM Surge forward (on-state) current
IRM peak reverse recovery current
trr reverse recovery time (spegnimento)
Qrr total charge flowing during commutation

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-2
dispositivi semiconduttori di potenza
 Diodi

tensione
limite
inversa

regione di
blocco
inverso

Diodo: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale

• Lo stato di on ed off dipende dal circuito esterno

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-3
dispositivi semiconduttori di potenza
 Spegnimento del diodo
carica presente nella giunzione in
condizioni di blocco del diodo

Andamento qualitativo della corrente

nel diodo in fase di spegnimento

• Nei diodi a ripristino veloce (fast-recovery) il tempo di ripristino

(reverse-recovery time) della distribuzione di cariche nella
giunzione è piccolo

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-4
dispositivi semiconduttori di potenza
 Potenza dissipata allo spegnimento del diodo

• Potenza media = Energia/Periodo = Energia×frequenza

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-5
dispositivi semiconduttori di potenza
 Tipi di diodi
• Diodi Schottky: bassa caduta di tensione diretta (≈0.3 V) ma
anche tensione limite inversa limitata (50÷100 V);
applicazioni in circuiti a bassa tensione
• Diodi a ripristino veloce (fast recovery diodes): trr dell’ordine
dei μs; tensione limite inversa e corrente nominale dell’ordine
delle centinaia di volt ed ampere; applicazioni per convertitori
di potenze considerevoli con frequenze di commutazione
elevate
• Diodi a frequenza di rete (line-frequency diodes): bassa
caduta di tensione diretta ma trr relativamente elevato (va
bene per applicazioni a frequenza di rete); tensione limite
inversa dell’ordine dei kV e corrente nominale dei kA;
applicazioni in raddrizzatori non controllati e convertitori con
frequenze di commutazione prossime a quella di rete
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-6
dispositivi semiconduttori di potenza
 Tiristori
caratteristica
di conduzione

da aperto a chiuso
applicando un impulso iG
regione
scarica di blocco caratteristica di blocco diretto
inversa inverso

tensione
tensione
di scarica
di scarica
diretta
inversa

caratteristica
di conduzione

da aperto a chiuso

blocco inverso blocco diretto

Tiristore: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale

• Dispositivo semicontrollato
• Si porta in conduzione applicando un impulso positivo di
corrente al gate con polarizzazione diretta e vi rimane
• Si spegne all’inversione della corrente
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-7
dispositivi semiconduttori di potenza
 Applicazione del tiristore in un semplice circuito

Impulso di corrente
positivo iG

tempo di ripristino
(reverse-recovery time)

I data sheet specificano tq in base al

valore della tensione inversa vAK ed
anche la velocità di risalita della
tensione dvAK/dt>0 alla fine del tempo
tempo di spegnimento
(turn-off time) di spegnimento

Tiristore: a) circuito; b) forme d’onda; c) tempo di spegnimento tq

• Per garantire lo spegnimento la tensione inversa deve essere
applicata per un tempo maggiore di quello di spegnimento tq
(NB tq>trr – reverse recovery time, per cui iA=0)
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-8
dispositivi semiconduttori di potenza
 Tipi di tiristore
• Tiristori a controllo di fase (phase-control t.): possono operare a
frequenze prossime a quella di rete; tensioni di blocco fino a 5÷7
kV e valore medio della corrente fino a ≈4 kA; caduta di tensione
diretta ≈1.5 V per tensioni di blocco fino a 1 kV, ≈3 V per tensioni
più elevate (5÷7 kV); adatti per raddrizzatori controllati
• Tiristori per inverter (inverter-grade t.): hanno un basso tempo di
spegnimento tq (da pochi μs a ≈100 μs) e bassa caduta di
tensione diretta (che cresce al ridursi di tq); tensioni di blocco fino
a ≈2.5 kV e correnti fino a ≈1.5 kA;
• Tiristori attivati dalla luce (light-activated t.): sono innescati da
impulsi luminosi convogliati mediante fibre ottiche; utilizzati in
applicazioni HVDC per la trasmissione dell’energia elettrica, dove
è necessario mettere più componenti in serie ed è difficile pilotarli
in corrente (tensioni di blocco fino a ≈4 kV, correnti fino a ≈3 kA,
cadute di tensione ≈2 V, potenza impulso luminoso ≈5 mW)
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-9
dispositivi semiconduttori di potenza
 Generico switch controllabile e
caratteristiche dello switch ideale

Simbolo che denota uno switch controllabile generico

• Quando è aperto blocca tensioni diretta e inversa di qualsiasi

valore senza condurre corrente
• Quando è chiuso, la corrente fluisce solo nel senso della
freccia e può assumere qualsiasi valore positivo con caduta di
tensione nulla
• Passaggio istantaneo da aperto a chiuso e viceversa
• Potenza di controllo trascurabile
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-10
dispositivi semiconduttori di potenza
 Scostamenti dalla condizione
ideale degli switch reali
• Le tensioni di blocco hanno un valore finito; la resistenza che il
componente presenta in condizioni di blocco non è ∞ (è
comunque tanto elevata da poter generalmente essere
assunta tale)
• In conduzione, la corrente ha comunque un valore massimo
ammissibile e la caduta di tensione non è nulla (perdite di
conduzione Pon)
• Il passaggio da aperto a chiuso e viceversa non è istantaneo
(limitazione della frequenza di commutazione, perdite in
commutazione Ps)
• La potenza di controllo (se pure in condizioni transitorie) può
non essere trascurabile

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-11
dispositivi semiconduttori di potenza
 Caratteristiche di commutazione (linearizzate)
PERDITE DI COMMUTAZIONE Ps Questo circuito rappresenta
diodo un caso limite di carico
Wc(on)  Wc(off)
 
“ideale”
1 induttivo, che definisce
Ps   Vd I0 fs tc(on)  tc(off) una condizione più gravosa
Ts 2 di quella di carico resistivo

Ps è proporzionale a: segnale di
controllo dello

• frequenza di commutazione fs
switch

• tempi di accensione e
spegnimento tc(on) e tc(off)
inizio conduzione switch inizio spegnimento switch
inizio spegnimento diodo inizio accensione diodo

fine spegnimento diodo

PERDITE DI CONDUZIONE Pon fine accensione diodo

Won ton t
Pon   Von I0 on
Ts Ts

PERDITE TOTALI PT
1
PT  Pon  Ps 1 W  V I t
Wc on   Vd I 0 tc(on) c off  2 d 0 c(off)
2
Won

Caratteristiche di commutazione (linearizzate): (a) circuito di commutazione chiuso su elemento

induttivo, (b) forme d’onda relative allo switch, (c) perdite istantanee nello switch

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-12
dispositivi semiconduttori di potenza
 Commutazione con diodo non ideale

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-13
dispositivi semiconduttori di potenza
 Caratteristiche desiderabili degli switch
• Valore modesto della corrente inversa in condizioni di blocco
• Piccolo valore di Von
• Tempi di commutazione brevi → alte frequenze di commutazione
• Elevate tensioni di blocco diretto e inverso (quest’ultima specifica
può non essere richiesta se si ha un diodo in antiparaIlelo)
• Corrente diretta ammissibile elevata
• Coefficiente di temperatura positivo (messa in parallelo stabile)
• Limitata potenza di controllo
• Capacità di sopportare contemporaneamente valori nominali di
tensione e corrente in fase di commutazione (si evita lo snubber)
• Capacità di sopportare elevate dv/dt e di/dt (risparmio sui circuiti
di protezione, quali gli snubber)

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-14
dispositivi semiconduttori di potenza
 Transistor a giunzione bipolare (BJT)

conduzione

blocco

Transistor a giunzione bipolare BJT (NPN): a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale
• pilotato in corrente (IB>IC/hFE, con hFE=5÷10 guadagno statico in corrente)
• VCE(sat)=1÷2 V; tempi di commutazione ≈0.1÷10 μs
• usato comunemente in passato
• ora impiegato solo in applicazioni specifiche
• rimpiazzato da MOSFET e IGBT
• coefficiente di temperatura negativo → cautela nel parallelo
(derating in corrente di circa il 20%, se idealmente bastano 4 transistor in
parallelo, se ne mettono 5)
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-15
dispositivi semiconduttori di potenza
 Configurazioni di tipo Darlington
(Darlington monolitici o MD)

a) configurazione Darlington; b) triplo Darlington

• guadagno più elevato

• maggiore caduta di tensione
• velocità di commutazione leggermente più bassa

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-16
dispositivi semiconduttori di potenza
 Transistor a effetto di campo a
metallo-ossido-semiconduttore
(MOSFET)

conduzione

conduzione
blocco
blocco

MOSFET a canale N: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale

• Il controllo attraverso la tensione di gate è più facile

• Entra in conduzione quando VGS>VGS(th) (valore di soglia)
• Competitivo con i BJT a basse tensioni, elevate frequenze
(<300÷400 V, >30÷100 kHz)
• La resistenza di conduzione aumenta all’aumentare della
tensione nominale di blocco BVDSS rDS(on) k BV 2.5 2.7
DSS
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-17
dispositivi semiconduttori di potenza
 MOSFET – (2)
• Valore massimo della tensione di controllo ±20 V (si trova
anche 5V) è più facile
• Tensioni massime >1 kV ma con correnti modeste
• Correnti massime ≈100 A ma con tensioni basse tensioni
• Coefficiente di temperatura positivo → minore difficoltà per la
messa in parallelo

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-18
dispositivi semiconduttori di potenza
 Tiristori a spegnimento dal gate
(Gate-Turn-Off Thyristors - GTO)
conduzione

apertura
chiusura conduzione
blocco blocco

GTO: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale

• Rispetto ai tiristori standard, si spengono con un impulso
negativo di corrente di gate abbastanza elevata ≈1/3iA
• Circuito di pilotaggio complesso e oneroso per dimensionamento
• Bassa frequenza di commutazione (≈100 Hz÷10 kHz max)
• Impiego per potenze elevate
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-19
dispositivi semiconduttori di potenza
 GTO (2)
circuito di
protezione
(snubber) per
ridurre la
dv/dt allo
spegnimento

circuito di
pilotaggio
del gate

Caratteristiche transitorie del GTO: a) circuito di protezione (snubber); b) spegnimento di un

GTO
• Non sopporta dv/dt elevate per cui richiede un circuito R-C
di protezione allo spegnimento (snubber)
• Tensioni massime ≈4.5 kV, correnti massime di qualche kA
• Cadute di tensione 2÷3 V
• Tempi di commutazione 5÷25 μs
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-20
dispositivi semiconduttori di potenza
 Transistor bipolari a gate isolato IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)

conduzione

conduzione
blocco
blocco

IGBT: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-21
dispositivi semiconduttori di potenza
 IGBT (2)

circuiti equivalenti dell’IGBT

a) con Rs≠0 b) con Rs trascurabile

• Pilotato in tensione (circuito di pilotaggio più semplice)

• Tensioni massime 2÷3 kV, correnti massime 1÷2 kA
• Cadute di tensione 2÷3 V con tensioni di blocco di 1000 V
• Tempi di commutazione ≈1 μs
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-22
dispositivi semiconduttori di potenza
 commutazione negli IGBT

• Nei riquadri le fasi di dissipazione per commutazione

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-23
dispositivi semiconduttori di potenza
 Tiristori commutati a gate integrato IGCT
(Integrated Gate Commutated Thyristor)

IGBT: a) simboli alternativi

• Evoluzione dei GTO b) range di funzionamento

• Versione simmetrica (VRRM≈VDRM) ed asimmetrica (VRRM≪VDRM)
applicazioni con diodo in antiparallelo (spesso integrato)
• Spegnimento con un impulso di corrente <0 al gate ≈iA (drive di
pilotaggio complesso, normalmente integrato con il componente)
• Tempi di spegnimento molto ridotti (snubber meno oneroso)
• Richiedono un circuito di protezione per limitare la dI/dt
• Non serve protezione allo spegnimento (con un modesto derating)
Tratto da: B. Drury: The Control Techniques
Drives and Controls Handbook 2nd Ed.
publ. by The IET (UK) CAPITOLO 2: Panoramica sui 2-24
dispositivi semiconduttori di potenza
 Tiristori commutati a gate integrato IGCT
(Integrated Gate Commutated Thyristor)

• VT ≈3V per asimmetrici, ≈7-8V per simmetrici

• Frequenza di commutazione fino a 40 kHz
• Tensioni/correnti fino a 4.5kV/5kA, 10kV/3kA

VANTAGGI rispetto a GTO VANTAGGI rispetto a IGBT

dvD/dt elevate costruzione più semplice, robusta ed affidabile
possono lavorare senza snubber ƒ possono lavorare senza snubber
ridotte perdite allo spegnimento Bassa caduta di tensione diretta  meno perdite
per conduzione (-80-90% per trazione elettrica)
significativa riduzione del tempo di turn-off Sopportano elevati valori di picco di corrente
Possono essere protetti con fusibili veloci

Tratto da: B. Drury: The Control Techniques

Drives and Controls Handbook 2nd Ed.
publ. by The IET (UK) CAPITOLO 2: Panoramica sui 2-25
dispositivi semiconduttori di potenza
Tiristori controllati a metallo-ossido-semiconduttore
(MOS Controlled Thyristor – MCT)

apertura
conduzione
chiusura
blocco

MCT: a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-26
dispositivi semiconduttori di potenza
 MCT (2)
• Caratteristiche analoghe ai GTO ma pilotato in tensione
(circuito di pilotaggio più semplice)
• Tempi di commutazione più brevi dei GTO (≈1 μs)
• Cadute di tensione inferiori agli IGBT
• Tensioni massime 1.5 kV (2÷3 kV prototipi)
• Correnti massime di qualche centinaio di A
• Struttura più complessa
↓
sezione trasversale ridotta
↓
minore portata in corrente

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-27
dispositivi semiconduttori di potenza
 Confronto tra dispositivi controllati
Proprietà relative degli switch controllati
velocità di
dispositivo potenza pilotabile
commutazione
BJT/MD Media Media
MOSFET Bassa Alta
GTO/IGCT Alta Bassa
IGBT Media Media
MCT Media Media

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-28
dispositivi semiconduttori di potenza
 Prestazioni limite dei vari componenti
tiristori
[kV]

5
GTO
4
MCT
3 IGBT

BJT
2 sviluppo
previsto 1 kHz
1 MOSFET
per l’MCT
10 kHz
00 100 kHz
0.5 1 1.5 2 2.5
[kA] 3 3.51 MHz

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-29
dispositivi semiconduttori di potenza
 Campi di impiego dei vari componenti
TRAZIONE ELETTRICA

CAPACITÀ (VA) UPS

(gruppi di continuità) AZIONAMENTI PER MOTORI
HV. DC.

100M

ROBOT, SALDATRICI
10M

1M SETTORE AUTOMOBILISTICO

THY- ALIMENTATORI
100K RISTOR SWITCHING
GTO

ALIMENTATORI APPARATI
10K AUDIO, VIDEO, COMPUTER, ECC.
LAVATRICI TRANSISTOR
MODULES
IGBTMOD™ MOSFET
1K MODULES MOD

TRI-MOD
IGBT-MOD
TRIAC CONDIZIONATORI FRIGORIFERI FORNI A
100 MICROONDE

DISCRETE
10 MOSFET
10
100
1K
10K
FREQUENZA DI LAVORO (Hz) 100K
10M
Tratto da:
http://www.pwrx.com/pwrx/app/Market-Tech-Trend.pdf
CAPITOLO 2: Panoramica sui 2-30
dispositivi semiconduttori di potenza
 Range di tensione e corrente per
componenti commerciali

Tratto da: Bernet - Recent Developments of High Power

Converters for Industry and Traction Applications
IEEE Trans. on Power Electronics CAPITOLO 2: Panoramica sui 2-31
Vol. 15, No.6, Nov. 2000
dispositivi semiconduttori di potenza
 Circuiti di pilotaggio
• La velocità di commutazione e le perdite dipendono molto da
come viene comandato il componente (adeguato circuito di
pilotaggio)
• Tendenza futura: integrare il circuito di pilotaggio nel
componente → il sistema esterno deve fornire semplicemente
un segnale logico (microprocessore)

Circuiti di protezione (snubber)

• Snubber di chiusura: limita le extracorrenti all’accensione
• Snubber di apertura: limita le sovratensioni all’apertura
• Snubber per ridurre le sollecitazioni in commutazione: evita
che i valori di tensione e corrente sul componente siano
elevati contemporaneamente (limita vi=potenza istantanea)
• Tendenza futura: realizzare componenti in grado di sopportare
sollecitazioni elevate (assenza di snubber→meno componenti
e complessità→minor costo)
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-32
dispositivi semiconduttori di potenza
 Giustificazione dell’utilizzo di caratteristiche
idealizzate dei dispositivi
Considerazioni
• Caduta di tensione diretta → Pon
• Tempi di commutazione → Ps → limite di fs
• Limiti in tensione e corrente → potenza gestibile
• Potenza di pilotaggio → facilità di controllo
• Coefficiente di temperatura → Facilità di messa in parallelo
• Costo = Fattore di scelta

Conseguenze
• Rendimenti elevati → bassa Pon → bassa caduta Von (≈0)
• Frequenze fs elevate → tempi di commutazione ridotti (≈0)
• Circuito di controllo economico → bassa potenza di controllo (≈0)

Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui

Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-33
dispositivi semiconduttori di potenza
 corrente con carico resistivo

P
1
Vd I0
4

tri: tempo di salita (rise) della corrente = 100 ns

tfv: tempo di discesa (fall) della tensione = 50 ns
trv: tempo di salita (rise) della tensione = 100 ns
tfi: tempo di discesa (fall) della corrente = 200 ns
Vd = 300 V I0 = 4 A fs = 25÷100 kHz
Ps  Vd I0 t c(on)  t c(off) fs  300  4150  300 10 9 fs 
1 1
2 2
 2.7 10 4  fs  2.7 10 4  25  100 103 W  6.75  27 W
Pmax  Vd I0  300  4  1200 W
27
perdite di commutazione percentuali   100  2.25%
1200
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-34
dispositivi semiconduttori di potenza