semiconduttori di potenza
1. Introduzione
2. Diodi
3. Tiristori
4. Caratteristiche desiderabili negli “switch” controllati
5. Transistor a giunzione bipolari (BJT) e Darlington monolitici
6. Transistor a effetto di campo a metallo-ossido-semiconduttore (MOS-FET)
7. Tiristori GTO (Gate Turn-off Thyristors: tiristori con spegnimento dal gate)
8. Transistor bipolari a gate isolato (IGBT: insulated gate bipolar transistor)
9. Tiristori commutati a gate integrato (IGCT: Integrated Gate Commutated Thyristor)
10.Tiristori controllati a metallo-ossido-semiconduttore MCT (MOS controlled thyristor)
11.Confronto tra “switch” controllati: prestazioni e range di applicazione
12.Circuiti di pilotaggio e smorzamento (snubber)
13.Giustificazione dell’utilizzo di caratteristiche idealizzate dei dispositivi
tensione
limite
inversa
regione di
blocco
inverso
da aperto a chiuso
applicando un impulso iG
regione
scarica di blocco caratteristica di blocco diretto
inversa inverso
tensione
tensione
di scarica
di scarica
diretta
inversa
caratteristica
di conduzione
da aperto a chiuso
Impulso di corrente
positivo iG
tempo di ripristino
(reverse-recovery time)
Ps è proporzionale a: segnale di
controllo dello
• frequenza di commutazione fs
switch
• tempi di accensione e
spegnimento tc(on) e tc(off)
inizio conduzione switch inizio spegnimento switch
inizio spegnimento diodo inizio accensione diodo
Won ton t
Pon Von I0 on
Ts Ts
PERDITE TOTALI PT
1
PT Pon Ps 1 W V I t
Wc on Vd I 0 tc(on) c off 2 d 0 c(off)
2
Won
conduzione
blocco
Transistor a giunzione bipolare BJT (NPN): a) simbolo; b) caratteristica i-v; c) caratteristica ideale
• pilotato in corrente (IB>IC/hFE, con hFE=5÷10 guadagno statico in corrente)
• VCE(sat)=1÷2 V; tempi di commutazione ≈0.1÷10 μs
• usato comunemente in passato
• ora impiegato solo in applicazioni specifiche
• rimpiazzato da MOSFET e IGBT
• coefficiente di temperatura negativo → cautela nel parallelo
(derating in corrente di circa il 20%, se idealmente bastano 4 transistor in
parallelo, se ne mettono 5)
Tratto da N. Mohan, T.M. Undeland, W.P. CAPITOLO 2: Panoramica sui
Robbins – Elettronica di potenza HOEPLI 2-15
dispositivi semiconduttori di potenza
Configurazioni di tipo Darlington
(Darlington monolitici o MD)
conduzione
conduzione
blocco
blocco
apertura
chiusura conduzione
blocco blocco
circuito di
pilotaggio
del gate
conduzione
conduzione
blocco
blocco
apertura
conduzione
chiusura
blocco
5
GTO
4
MCT
3 IGBT
BJT
2 sviluppo
previsto 1 kHz
1 MOSFET
per l’MCT
10 kHz
00 100 kHz
0.5 1 1.5 2 2.5
[kA] 3 3.51 MHz
100M
ROBOT, SALDATRICI
10M
1M SETTORE AUTOMOBILISTICO
THY- ALIMENTATORI
100K RISTOR SWITCHING
GTO
ALIMENTATORI APPARATI
10K AUDIO, VIDEO, COMPUTER, ECC.
LAVATRICI TRANSISTOR
MODULES
IGBTMOD™ MOSFET
1K MODULES MOD
TRI-MOD
IGBT-MOD
TRIAC CONDIZIONATORI FRIGORIFERI FORNI A
100 MICROONDE
DISCRETE
10 MOSFET
10
100
1K
10K
FREQUENZA DI LAVORO (Hz) 100K
10M
Tratto da:
http://www.pwrx.com/pwrx/app/Market-Tech-Trend.pdf
CAPITOLO 2: Panoramica sui 2-30
dispositivi semiconduttori di potenza
Range di tensione e corrente per
componenti commerciali
Conseguenze
• Rendimenti elevati → bassa Pon → bassa caduta Von (≈0)
• Frequenze fs elevate → tempi di commutazione ridotti (≈0)
• Circuito di controllo economico → bassa potenza di controllo (≈0)
P
1
Vd I0
4