Universidad de Área de Tecnología

Oviedo Electrónica

Introducción a la Electrónica de
Dispositivos

•Materiales semiconductores (Sem01.ppt)

•La unión PN y los diodos semiconductores
(Pn01.ppt)
•Transistores (Trans01.ppt)

Departamento de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, de

Computadores y de Sistemas
ATE-UO PN 00
Germanio tipo P + +
+
300ºK
0ºK Al-
Al Al- +
Al Al- Al-
Al Al-
Al
+
-
+ + +
Generación
térmica Al-
Al Al-
Al Al-
Al Al-
Al Al-
Al
+ + +
+ hueco
- Aceptador ionizado
no ionizado Germanio
electrón

Germanio tipo N - - - -
Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+ Sb+
Generación + -
- - -
térmica -
Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+

• Ambos son neutros

• Compensación de Donador ionizado Germanio
cargas e iones
ATE-UO PN 01
 Unión PN (I)
Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + + - - -
Al- Al- + Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ - Sb+
- + + +
- - - +
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +

Barrera que impide la difusión

¿Qué pasaría si no existiera la

barrera que impide la difusión?
ATE-UO PN 02
 Unión PN (II)
Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + ++ - - - -
Al- Al- + Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ - Sb+
- + + ++
- - - - +
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +

Se produce difusión de huecos de la zona P hacia la zona

N y de electrones de la zona N hacia la zona P.

¿Se va a producir una difusión

completa de huecos y electrones?
ATE-UO PN 03
 Unión PN (III)
¿Se va a producir una difusión completa de huecos y
electrones?

Germanio “antes” tipo P Germanio “antes”tipo N

+ - - -
- +
Al- Al- Al- Al- + Sb+ Sb+ + Sb+ Sb+
-
- - +
Al-
-
Al- Al- Al- - Sb+ + Sb+ - Sb+ + Sb+
+ + +

Zona P no neutra, sino Zona N no neutra, sino

cargada negativamente cargada positivamente

¿Es esta situación la situación final?

NO
ATE-UO PN 04
 Unión PN (IV)
Germanio tipo P Germanio tipo N

+ + ++ - - - -
Al- Al- + Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ - Sb+
- + + ++
- - - - +
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+
+ +

-  +
E
Aparece un campo eléctrico en la zona de
contacto (unión metalúrgica) de las zonas

ATE-UO PN 05
 Unión PN (V)
Cercanías de la unión metalúrgica
Germanio tipo P Germanio tipo N

+ -+ - - -
+
Al Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ Sb+

Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+

+

-  +
E
Por campo eléctrico
Por difusión
El campo eléctrico limita el proceso de difusión
ATE-UO PN 06
 Zonas de la unión PN (I)

+ -
+
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ Sb+ - Sb+ -
+ -
+
-
Al- Al- Al- Al- Sb+ Sb+ - Sb+ Sb+
+ +
Zona P NEUTRA -  + Zona N NEUTRA

E
(huecos compensados (electrones compensados
con “iones -”) con “iones +”)

Zona de Transición
Existe carga espacial y no existen casi
portadores de carga
ATE-UO PN 07
 Zonas de la unión PN (II)
Unión metalúrgica
Muy
importante

Zona P + - Zona N
(neutra) (neutra)
Muchos huecos,
pero neutra
-  + Muchos electrones,
pero neutra
E
VO

Zona de Transición (no neutra)


Existe carga espacial (que genera campo eléctrico, E, y
diferencia de potencial eléctrico, VO) y no existen casi
portadores de carga.
ATE-UO PN 08
 Equilibrio de corrientes de la unión
PN sin polarizar (I)
La corriente neta en cualquier sección del dispositivo debe ser cero
-+
-+
-+
por difusión +- + ZONA N
+ por campo
-+
- + - por difusión
por campo
--+
ZONA P -+
jp difusión jp campo Se compensan
jn campo jn difusión Se compensan
ATE-UO PN 09
Equilibrio de corrientes de la un. PN sin polarizar (II)
pP (concentración de huecos en la zona P)
+
+
+
+
+
+
+
+
- +
+ + + +
- +
Zona N
+
+ + + + - +
+ + + +
- VO + +
+ + + +
+
+ +P +
Zona + - +
+ + + +
(concentración de huecos en la zona N) pN
jp campo = - jp difusión VO = VT·ln(pP/pN) (ver ATE-UO Sem 43)
ATE-UO PN 10
Equilibrio de corrientes de la un. PN sin polarizar (III)
nP (concentración de electrones en la zona P)
- - - -
- + - - - -
- + - - - -
- - - - Zona P -
-
- + - - - -
- VO + - - - -
-
- - - -
Zona P
- + - - - -

(concentración de electrones en la zona N) nN

jn campo= -jn difusión VO=VT·ln(nN/nP) (ver ATE-UO Sem 41)

ATE-UO PN 11
 Cálculo de la tensión de contacto VO
Muy
importante
Zona P - + Zona N
VO
NA, pP, nP ND, nN, pN
Si NA >> ni Si ND >> ni
pP =NA nP = ni2/ NA nN =ND pN = ni2/ ND
Ecuación del equilibrio de las corrientes de huecos:
VO = VT·ln(pP/pN) = VT·ln(NA·ND/ni2)

Ecuación del equilibrio de las corrientes de electrones:

VO=VT·ln(nN/nP) = VT·ln(ND·NA/ni2)

El valor de VO calculado por ambos caminos coincide

ATE-UO PN 12
 E(x)
Relaciones
+ -
entre , E y VO
Zona P - + Zona N
VO

(x)
Densidad
de carga x
•Teorema de Gauss:
·E(x) = (x)/e

Campo
eléctrico E(x) x

-EmaxO
•Diferencia de potencial:
VU(x) E(x) = -

V
VO
Tensión x ATE-UO PN 13
 Unión abrupta e hipótesis de vaciamiento

Zona P - + Zona N

Situación real (x) Hipótesis de

q·ND vaciamiento
x

-q·NA Se admite que:

E(x) x cambio brusco
•Hay
de zona P a zona N
-EmaxO •No hay portadores en
la zona de transición
ATE-UO PN 14
 Unión metalúrgica
Zona P La zona de
Zona N
transición
cuando NA<ND
Al- Sb+ Sb+ Sb+
Al- Al- Al- -
+
Sb+ Sb+ Sb+ -
Al- Al- Al- Al-
Sb+
Sb+ Sb+
-
+

NA LZTPO LZTNO N
D
LZTO En la zona más
dopada hay menos
zona de transición
La neutralidad de la carga total
en la zona de transición exige:
NA· LZTPO = ND· LZTNO ATE-UO PN 15
 E(x)
+ - Relaciones
Zona P - + Zona N entre , E y VO
VO
cuando NA<ND
q·ND
Densidad
(x)
de carga
x

Campo
-q·NA
eléctrico x
E(x) -EmaxO

VU(x)
VO
Tensión x ATE-UO PN 16
 Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (I)
•Equilibrio difusión-campo en la zona de transición:
VO=VT·ln(NA·ND/ni2) (1) VT=k·T/q, 26mV a 300ºK

•Neutralidad neta entre ambas partes de la zona de

transición:
NA· LZTPO = ND· LZTNO (2)

•Longitud total de la zona de transición:

LZTO =LZTPO+ LZTNO (3)

•Relaciones entre las partes de la zona de transición

(partiendo de (2) y (3) ):
LZTPO= LZTO·ND/(NA+ND) (4) LZTNO= LZTO·NA/(NA+ND) (5)
ATE-UO PN 17
Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (II)
•Teorema de Gauss en la zona de transición:
E(x)=-(LZTPO+x)·q·NA/e(zona P) E(x)
LZTNO
E(x)=-(LZTNO-x)·q·ND/e (zona N) LZTPO
0 x

E(0)= -EmaxO=-LZTNO·q·ND/e=-LZTPO·q·NA/e (6) -EmaxO

•Definición de diferencia de potencial ( E(x) = -


VU(x) ):
x
VU(x) = -
 E(x)·dx
-LZTPO
VU(x) VO
x
VO = -area limitada por E(x)= (LZTPO+ LZTNO)·EmaxO/2 (7)
ATE-UO PN 18
Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (III)
partiendo de (3-7) se obtiene:
VO=q·L2ZTO·NA·ND·/(2·e·(NA+ND) (8)

Teniendo en cuenta (1) y eliminando VO se obtiene:

2·e·(NA+ND)·VT·ln(NA·ND/ni2)
LZTO= (9)
q·NA·ND

Partiendo de (4-6) se obtiene:

EmaxO = q·LZTO·ND·NA/((NA+ND)·e (10)
y eliminando LZTO entre (8) y (10) se obtiene:

2·q·NA·ND·VO (11)
EmaxO=
e·(NA+ND)
ATE-UO PN 19
Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (IV)
Resumen
VO=VT·ln(NA·ND/ni2) (1)

2·e·(NA+ND)·VT·ln(NA·ND/ni2)
LZTO= (9)
q·NA·ND

2·e·(NA+ND)·VO
LZTO= (9)’
q·NA·ND

2·q·NA·ND·VO (11)
EmaxO= Muy
e·(NA+ND) importante
ATE-UO PN 20
Ecuaciones en equilibrio (sin polarizar) (IV)
Conclusiones importantes
VO crece con el productos de
VO=VT·ln(NA·ND/ni2)
los dopados, pero crece poco

2·e·(NA+ND)·VT·ln(NA·ND/ni2) LZTO decrece con

LZTO= los dopados
q·NA·ND

Basta con que un dopado

2·q·NA·ND·VO
EmaxO= sea pequeño para que
e·(NA+ND)
EmaxO sea pequeño
Muy
importante
ATE-UO PN 21
 La unión PN polarizada (I)
+-
P N
+ - - + + -
VmP VO VNm
i=0

V=0 No se puede estar disipando

Luego:
energía si no llega energía al
V = 0, i = 0 dispositivo
Por tanto:
Conclusión:
VmP - VO + VNm = 0
y Los potenciales de contacto de las
uniones metal semiconductor tienen
VmP + VNm = VO
que compensar el potencial de
contacto de la unión semiconductora.
ATE-UO PN 22
 La unión PN polarizada (II)
Baja resistividad: Baja resistividad:
VP=0 VN=0 Polarización directa

+-
P N
+ - - + + -
VmP V VNm
i0
U

+ - Hipótesis (bastante real): los potenciales de los

V contactos metal-semiconductor no varían con
relación al caso anterior (VmP+VNm= VO)

V = VmP - VU + VNm = VO - VU
Luego: El potencial de contacto de la unión
semiconductora disminuye.
VU = VO - V
ATE-UO PN 23
 La unión PN polarizada (III)
Baja resistividad: Baja resistividad:
VP=0 VN=0 Polarización inversa

+-
P N
+ - - + + -
VmP V VNm
i 0
U

- +
V

V = -VmP + VU - VNm = -VO + VU

Luego: El potencial de contacto de la unión
semiconductora aumenta.
VU = VO + V
ATE-UO PN 24
 La unión PN polarizada (IV)
Notación a usar en general

+-
P N
- +
V U
i
=
+
V
-
VU = VO - V,
siendo: V < VO (aparcamos la posibilidad
real de que V >VO)
Conclusión:
Muy
Polarización directa: 0 < V <VO
importante
Polarización inversa: V < 0
ATE-UO PN 25
 La unión PN polarizada (V)
¿Cómo se modifica la longitud de la zona de transición, y
la intensidad máxima del campo eléctrico?

Regla general (válida para V<VO):

Sustituir VO por (VO-V) en las ecuaciones:

V
2·e·(N
UV A+ND)·VO
LZTO = p  e T
PN q·NA·ND

2·q·NA·ND·VO
EmaxO=
e·(NA+ND)

ATE-UO PN 26
 La unión PN polarizada (VI)
Sin polarizar teníamos: Con polarización tenemos:
V
2·e·(N V
UV A+ND)·VO 2·e·(N
UV A+ND)·(VO-V)
LZTO = p  e T LZT = p  e T
PN q·NA·ND PN q·NA·ND

2·q·NA·ND·(VO-V)
2·q·NA·ND·VO Emax=
EmaxO= e·(NA+ND)
e·(NA+ND)

•Polarización directa (0 < V < VO):

LZT y Emax disminuyen Muy
importante
•Polarización inversa (V < 0):
LZT y Emax aumentan
ATE-UO PN 27
 LLZTO
ZT
Relaciones entre ,

Zona P ZonaNN
Zona E y VO con
-- + polarización directa
VOV-V
O
ext

Vext (x)
•Menos carga
x
espacial
•Menor intensidad
E(x) x de campo
•Menor potencial
-Emax de contaco
-
EmaxO

VU(x) VO
VO-Vext x ATE-UO PN 28
 LLZTO
ZT
Relaciones entre ,

Zona N
N E y VO con
Zona P - - ++ Zona
polarización inversa
VOV+V
O
ext

Vext (x)
•Más carga espacial
x
•Mayor intensidad
de campo
E(x) x
•Mayor potencial de
- contaco
-EEmaxO
max

VU(x)
VO+Vext
VO
x ATE-UO PN 29
 Conclusiones parciales
Polarización directa:
•Disminuye la tensión interna que frena la difusión
•Disminuye el campo eléctrico en la zona de transición
•Disminuye el ancho de la zona de transición

Polarización inversa:
•Aumenta la tensión interna que frena la difusión
•Aumenta el campo eléctrico en la zona de transición
•Aumenta el ancho de la zona de transición
Muy
importante ATE-UO PN 30
¿Qué pasa con la concentración de portadores
cuando se polariza? Ejemplo: electrones en
nPV
P
polarización directa
- - - - -
- +- - - - -
- + - - - - -
- Zona P
- - - - -
- - +
- - - - - -
- VOO-V
V + - - - - -
-
- - - - -
Zona P
- + - - - - -

nNV
N
VO = VT·ln(nN/nP)
nNV/nPV cambia
VO-V =VT·ln(nNV/nPV) mucho
ATE-UO PN 31
Concentración de portadores con polarización (I)
Electrones: Huecos:
VO - V = VT·ln(nNV/nPV) VO - V = VT·ln(pPV/pNV)
Analizamos la situación en los bordes externos de la zona de
transición:
En zona P: pP = pPV - pP nP = nPV - nP
En zona N: nN = nNV - nN pN = pNV - pN
Por neutralidad de carga (aproximada):
pP  nP nN  pN
Como pP>>nP y nN>>pN y admitimos que pPV>>nPV y nNV>>pNV
(hipótesis de baja inyección), se cumple:
pPV/pNV = (pP + pP) /pNV  (pP + nP) /pNV  pP/pNV
nNV/nPV = (nN + nN) /nPV  (nN + pN) /nPV  nN/nPV

Es como si los mayoritarios no

cambiaran de concentración
ATE-UO PN 32
Concentración de portadores con polarización (II)
Cambio de la concentración de Cambio de la concentración de
huecos a los dos lados de la electrones a los dos lados de la
zona de transición : zona de transición :
VO - V = VT·ln(pP/pNV) VO - V = VT·ln(nN/nPV)
(VO-V)/ VT (VO-V)/ VT
pP/pNV = e nN/nPV = e
- (VO-V)/ VT - (VO-V)/
nPV = ND· e pNV = NA· eVT

+-
Zona P Zona N
- +
V U
pP = NA nN = ND
=
+
V
-
ATE-UO PN 33
 ¡¡¡Ojo!!! Hay una pequeña “trampa”
Hemos llegado a: Hemos llegado a:
VO - V = VT·ln(pP/pNV) VO - V = VT·ln(nN/nPV)
Partíamos de: Partíamos de:
VO = VT·ln(pP/pN) VO = VT·ln(nN/nP)

Y esta fórmula venía de: Y esta fórmula venía de:

jp campo + jp difusión = jp total = 0 jn campo + jn difusión = jn total = 0

Pero con polarización jp total  0 y jn total  0. Por tanto, las

expresiones mostradas no son válidas con polarización.
Sin embargo, se pueden seguir usando como una
aproximación razonable ya que en la unión:
jp total << jp campo jp total << jp difusión
jn total << jn campo jn total << jn difusión
ATE-UO PN 34
 Ejemplo 1: unión de Germanio sin polarizar
Datos del Ge a 300ºK
Dp=50 cm2/s Dn=100 cm2/s ni=2,5·1013 port/cm3
p=1900 cm2/V·s n=3900 cm2/V·s er=16
Lp=0,22 mm Ln=0,32 mm p= n= 10 s

NA=1016 atm/cm3 VO=0,31 V ND=1016 atm/cm3

+-
P N
0,313m
varios mm

1016
Portad./cm3

pP nN
1014

1012 nP pN
1010
-1m 0 1m ATE-UO PN 35
 Ejemplo 1 con polarización directa
V=180mV

V =0,13VV
VUu=0,31
+-
PP -+ NN
0,313m
0,215m
varios mm

1016
Portad./cm3

pP nN En esta parte del

1014 cristal se produce
nPV pNV
1012 nP pN un aumento muy
1010 fuerte de los
-1m 0 1m minoritarios

ATE-UO PN 36
 Ejemplo 1 con polarización inversa
V=180mV

V =0,49VV
VUu=0,31
+-
PP -+ NN
0,416m
0,313m
varios mm

1016
Portad./cm3

pP nN En esta parte del

1014 cristal se produce
1012 nP pN una disminución
1010 muy fuerte de los
nPV pNV minoritarios
108

-1m 0 1m
ATE-UO PN 37
 ¿Cómo evoluciona la concentración de
minoritarios en las zonas alejadas de la unión?
Ejemplo: huecos en zona N con pol. directa
+
+ +
+ +
Zona N
+ + + + + +
+ +
+ + +
Zona de pNV0
transición
pNV(x)
pNV

0 x
Inyección continua de minoritarios por
una sección (ATE-UO Sem 60)
ATE-UO PN 38
 Concentraciones en zonas alejadas de la unión

V=180mV V=180mV
Zona P Zona N Zona P Zona N
1016 1016
Portad./cm3

pP nN pP nN
1014

Portad./cm3
Esc. log. 1014

1012 nPV pNV

p
nP N 1012
nP pN
1010 1010 nPV pNV
Por./cm3

1016 pP 108 Esc. log.

nN

5·1015
Escala
lineal
nPV
P pNV
N
0 ATE-UO PN 39
 Concentración de minoritarios en zonas alejadas
de la unión (zonas neutras) en escala lineal

V=180mV V=180mV
Zona P Zona N Zona P Zona N
Portad./cm3 Portad./cm3
8·1013 8·1010 nP pN

4·1013 nPV pNV 4·1010 nPV pNV

nP pN
0 0
-3 -2 -1 0 1 2 3 -3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm] Longitud [mm]
El aumento de concentración La disminución de concentración
diminuye exponencialmente al diminuye exponencialmente al
alejarse de la unión alejarse de la unión
ATE-UO PN 40
 Exceso de concentración en las zonas
neutras y gradiente de minoritarios en
los bordes de la zona de transición (I)
Polarización directa Polarización inversa
Portad./cm3 Portad./cm3
8·1013 8·1010
Alto pNV
nPV
4·1013 gradiente 4·1010
Pequeño
nPV pNV gradiente
0 0
-3 -2 -1 0 1 2 3 -3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm] Longitud [mm]
Alto exceso de minoritarios Escaso exceso de minoritarios

Debido a los diferentes valores de las escalas de

concentraciones, los valores del exceso de carga y del
gradiente son muy distintos
ATE-UO PN 41
 Exceso de concentración en las zonas
neutras y gradiente de minoritarios en
los bordes de la zona de transición (II)
Portad./cm3
Aquí se ve mejor
8·1013
Zona P Zona N
V=180mV
4·1013 (pol. directa)

nPV pNV
0 nP pN

nPV pNV
V=-180mV
(pol. inversa)
ATE-UO PN 42
¿Por qué tanto interés en la evolución de la
concentración de los minoritarios en los
bordes externos de la zona de transición?
Porque dicha evolución es la clave para deducir la
relación entre la tensión V y la corriente I en una unión
PN polarizada, que es lo que realmente nos interesa.

+-
P N

i
=
+
V
-
ATE-UO PN 43
 ¿Cómo calcular la corriente (I)?
¿Analizando la zona de transición?
V
VU
Zona P P -+ N Zona N

varios mm 0,215m
Portad./cm3
1016 p nP
N
1014
nPV pNV Esc. log.

1m
En la zona de transición hay gradientes de concentración e
intensidades de campo eléctrico muy grandes, que causan que:
jp total<<jp campo jp total<<jp difusión jn total<<jn campo jn total<<jn
difusión
No es posible obtener información sobre la
corriente total por este camino
ATE-UO PN 44
 ¿Cómo calcular la corriente (II)?
¿Analizando los mayoritarios de las zonas“neutras”?
V

Zona P P -+ N

3 mm •Sabemos que los mayoritarios

Portad./cm3 aumentan aproximadamente así,
1016 + 8·1013 por lo que podríamos calcular la
corriente de difusión de
mayoritarios.
1016 + 4·1013 pPV •Pero no podemos calcular la
corriente debida a campo eléctrico
1016 (de arrastre) ya que no sabemos lo
pP que vale el campo (aunque sí
0 sabemos que es muy pequeño).
Escala lineal
Tampoco vale este método
ATE-UO PN 45
 ¿Cómo calcular la corriente (III)?
¿Analizando los minoritarios de las zonas“neutras”?

V 0,215m

Zona P P -+ N Zona N

Portad./cm3 6 mm
Portad./cm3
8·1013 8·1013
Esc. lin.
Esc. lin.
4·1013 nPV 4·1013
pNV
6,25·1010 6,25·1010
0 0
La corriente de minoritarios debida a campo eléctrico es
despreciable (pequeños valores del campo y pequeña
concentración).
Toda la corriente de minoritarios
ATE-UO PN 46 es debida a difusión
 ¿Cómo calcular la corriente (IV)?
Cálculo de la corriente de minoritarios en las zonas“neutras”
V

Zona P jnP -+ jpN Zona N

8·1013 Portad./cm3
Portad./cm3
nPV pNV
4·1013
6,25·1010 6,25·1010
0
jnP=q·Dn·dnPV/dx jpN=-q·Dp·dpNV/dx
40
Densidad de

[mA/cm2]
corriente

20
jnP jpN
0 ATE-UO PN 47
 ¿Cómo calcular la corriente (V)?
¿Podemos conocer la corriente total a partir de la
corriente de minoritarios en las zonas“neutras”?
V=180mV
jnP jpN
Zona P Zona N
40
corriente [mA/cm2]
Densidad de

¿Qué pasa en la
20
jnP jpN zona de transición?
0
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm]

Al no haber recombinaciones en la zona de

transición, no se modifican las corrientes
ATE-UO PN 48
 ¿Cómo calcular la corriente (VI)?
V=180mV
jnP jpN

Zona P Zona N
jtotal
•En la zona de transición:
80
jtotal = jnP(0) + jpN(0)
60
jtotal = jnP(0) + jpN(0)
corriente [mA/cm2]

•En el resto del cristal:

Densidad de

La corriente tiene que

40
jnP(0)
ser la misma
20
jpN(0)
jnP
jpN Muy, muy
0 importante
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm]
ATE-UO PN 49
 1ª conclusión importantísima:
Basta conocer la concentración de los minoritarios
en los bordes de la zona de transición para conocer
la corriente total.

2ª conclusión importantísima:
Polarización directa:
•El gradiente de dicha concentración es bastante
grande  Corriente total bastante grande

Polarización inversa:
•El gradiente de dicha concentración es muy pequeño
 Corriente total muy pequeña

ATE-UO PN 50
Cálculo de la corriente debida a los mayoritarios (I)
V=180mV
En cada zona “neutra” ,
jnP jpN
todo lo que no es
Zona P Zona N corriente de minoritarios
jtotal es corriente de
mayoritarios
80

60
jtotal
corriente [mA/cm2]
Densidad de

jpP = jtotal - jnP

40 jp
jnN = jtotal - jpN
P
20
jnP
jpN
0
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm]
ATE-UO PN 51
Cálculo de la corriente debida a los mayoritarios (II)
V=180mV
jnP jpN

Zona P Zona N
jtotal
80

60
jtotal
corriente [mA/cm2]
Densidad de

jpP
40 jnN
jpP
20

jnP jpN
0
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm] ATE-UO PN 52
 Corrientes con polarización directa e inversa
jtotal jtotal
180mV 180mV

Zona P Zona N Zona P Zona N

60 0

corriente [mA/cm2]
corriente [mA/cm2]

jtotal jnP jpN

Densidad de
Densidad de

40 jpP jnN -0,02

20 -0,04 jpP jnN

jnP jpN jtotal
0 -0,06

V=180mV (pol. directa) V=-180mV (pol. inversa)

Corriente positiva con la Corriente negativa con la
referencia tomada referencia tomada

Cambio de 1000 a 1 al pasar de +180mV a -180mV

ATE-UO PN 53
Cálculo de la corriente en función de la tensión (I)

1- Se calcula el salto de concentración de cada tipo de

portador de un extremo al otro de la zona de transición.
2- Se calcula el exceso de minoritarios en los bordes
externos de la zona de transición.
3- Se calcula la distribución exponencial de los minoritarios
al lo largo de las zonas neutras.
4- Se calcula el gradiente de dicha concentración justo en
los bordes de la zona de transición.
5- Se calculan las corrientes de minoritarios en los bordes
de la zona de transición (corriente de huecos en el borde de
la zona N y de electrones en el borde de la zona P).
6- La suma de las dos corrientes anteriores es la corriente
total.

ATE-UO PN 54
 Cálculo de la corriente en función de la tensión (II)
1- Se calcula el salto de concentración de cada tipo de portador de un
extremo al otro de la zona de transición. Este salto depende de VO-V

2- Se calcula el exceso de minoritarios en los bordes externos

de la zona de transición. Este exceso depende de V

1016

pP
Portad./cm3

1014
pNV(x)
1012
pNV(0) pN()
1010
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm] ATE-UO PN 55
 Cálculo de la corriente en función de la tensión (III)
3- Se calcula la distribución exponencial de los
minoritarios al lo largo de las zonas neutras.

4- Se calcula el gradiente de dicha concentración

justo en los bordes de la zona de transición (tga).

1016

pP
Portad./cm3

1014
pNV(x)
a
1012
pNV(0) pN()
1010
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm] ATE-UO PN 56
Cálculo de la corriente en función de la tensión (IV)
5- Se calculan las corrientes de minoritarios en los bordes de
la zona de transición (corriente de huecos en el borde de la
zona N y de electrones en el borde de la zona P).

80

6- La suma de las dos

60
jtotal = jnP(0) + jpN(0) corrientes anteriores
corriente [mA/cm2]

es la corriente total.
Densidad de

40
jnP(0)
20
jpN(0)
jnP jpN
0
-1.5 -1 -0.5 0- 0+ 0.5 1 1.5
Longitud [mm]
ATE-UO PN 57
Cálculo de la corriente en función de la tensión (V)
1- Salto de concentraciones
VO = VT·ln(pP/pN()) (1) VO-V = VT·ln(pP/pNV()) (2)
2- Exceso de minoritarios en el borde
V = VT·ln(pNV() /pN()) (3) pP
3- Distribución de los minoritarios pNV(0)
pNV(x) = pN()+(pNV() -pN())·e-x/LP (4) pNV(x)
4- Gradiente en el borde de la Z. T.

 -(pNV() - pN())·e-x/L p pN()

pNV(x)= (5)
Lp
-(pNV() - pN())
[ ]

pNV(x) = (6)
0
Lp ATE-UO PN 58
Cálculo de la corriente en función de la tensión (VI)
5- Corrientes de minoritarios
(pNV() -pN())
jpN(0)=q·Dp· (7)
Lp
(nPV() -nP())
jnP(0)=q·Dn· (8)
Ln
6-Corriente total (A es la sección)
i=A·jTotal=A·(jpN(0)+ jnP(0)) (9)
Usando la ecuación (3) para huecos y para
electrones, queda:
pNV() -pN() = pN()·(eV/VT -1) (10)
nPV() -nP() = nP()·(eV/VT -1) (11)
ATE-UO PN 59
Cálculo de la corriente en función de la tensión (VII)

Sustituyendo (10) y (11) en (7) y (8) y éstas en (9), queda:

i = A·q·(Dp·pN()/Lp+Dn·nP()/Ln)·(eV/VT -1) (12)

y como pN()=ni2/ND y nP()=ni2/NA , queda:

i = A·q·ni2·(Dp/(ND·Lp) + Dn/(NA·Ln))·(eV/VT -1) (13)

Esta ecuación se puede escribir como:

i=IS·(eV/VT -1) Muy, muy

importante
donde:

IS = A·q·ni2·(Dp/(ND·Lp)+Dn/(NA·Ln))
ATE-UO PN 60
Ecuación característica de una unión PN “larga”
V
Resumen: VT
i = IS·(e -1)
donde:
VT = k·T/q IS = A·q·ni2·(Dp/(ND·Lp)+Dn/(NA·Ln))

• Polarización directa con VO > V >> VT

V
i  IS ·e VT (dependencia exponencial)

Muy
• Polarización inversa con V << -VT importante

i  -IS Corriente inversa de saturación

(constante)

ATE-UO PN 61
 Curva característica de una unión PN
“larga” a diferentes escalas

Unión de Ge (Ejemplo 1), i

sin efectos adicionales + P
V N

i [mA] -
1
(exponencial)

i [A]

0 0
-0,25 0,25 V [Volt.] -0,5 V [Volt.]

-0,8
(constante)
ATE-UO PN 62
 Curva característica de una unión PN con
otros efectos reales (I)
Baja resistividad: Baja resistividad:
V 0
PVP  0 V N 
V N 0 0
Efecto de la
+- resistencia de las
Zona P Zona N zonas “neutras”

V
i ipequeña
grande i [mA]
30
•La tensión de contacto ya no es
VO - V
•La tensión de contacto siempre
tiene el signo indicado
•La tensión V puede ser mayor
que VO
-4 0 1 V [Volt.]
ATE-UO PN 63
 Curva característica de una unión PN con
otros efectos reales (II)
+-
+- - Generación en la
+
- zona de transición
+
Zona P
+- Zona N
- +
i
+ V - i [A]
•Habíamos supuesto que -40 V [Volt.]
0
no había generación de
pares electrón-hueco
•La corriente inversa
-2
aumenta por efecto de
esta generación
ATE-UO PN 64
 Curva característica de una unión PN con
otros efectos reales (III)
- +
- + Avalancha
P + + - - -+ primaria
-- + + N
- +
i + V - i [A]
La corriente aumenta fuertemente -40 V [Volt.]
si se producen pares electrón- 0
hueco adicionales, o bien por
choque o bien por otra causa.
Esto será estudiado después -2

ATE-UO PN 65
Curva característica de una unión PN en
escala de máximos valores de uso

i [mA]
30
En polarización directa, la
caída de tensión es
prácticamente nula

-20 0 5 V [Volt.]

En polarización inversa,
la corriente conducida es Muy
prácticamente nula importante

ATE-UO PN 66
 Concepto de diodo ideal (I)
•Nos olvidamos de lo que se ha visto sobre electrónica física
•Definimos un nuevo componente ideal de teoría de circuitos

En polarización directa, la caída

i
i de tensión es nula, sea cual sea
Ánodo el valor de la corriente directa
+ conducida

V
curva característica
Cátodo
- V
En polarización inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor
Muy, muy de la tensión inversa aplicada
importante
ATE-UO PN 67
 Concepto de diodo ideal (II)

Circuito abierto: la i
corriente conducida es Diodo ideal
nula, sea cual sea el i
valor de la tensión
aplicada
Corto
V circuito
Corto circuito: la i
tensión soportada es
nula, sea cual sea el V
valor de la corriente
conducida Circuito abierto

V
ATE-UO PN 68
 Comparación entre el diodo ideal y
el comportamiento de una unión PN

Diodo ideal i Diodo real i [mA]

30

V [Volt.]
V -20 0 5

El comportamiento de una unión PN es muy

semejante al de un diodo ideal

ATE-UO PN 69
El diodo semiconductor. Diodo de señal

Ánodo Terminal
Ánodo Encapsulado
(cristal o resina
sintética) Contacto metal-
semiconductor

P Oblea de
N semiconductor
Contacto metal-
semiconductor
Marca
Cátodo señalando
el cátodo
Cátodo Terminal

ATE-UO PN 70
 Diodos semiconductores

OA95
(Ge)

BY251
(Si)
1N4148
(Si)

BY229
BYS27-45 (Si)
1N4007 (Schottky Si)
(Si) ATE-UO PN 71
 Agrupación de diodos semiconductores
2 diodos en
Puente de diodos Anillo de diodos
cátodo común
~ ~ +
+ ~ ~ -
+ ~ ~
B380 C3700
(Si)

-
~ +~
BYT16P-300A HSMS2827
(Si) B380 C1500 (Schottky Si)
(Si) ATE-UO PN 72
 Curvas características y circuitos equivalentes
i
Curva
Curva característica
característica real
ideal
Curva característica
asintótica

pendiente = 1/rd
V
Muy
0 V importante

ideal
Circuito equivalente
rd
asintótico
real (asintótico) V
ATE-UO PN 73
 Recordatorio del Teorema de Thévenin

A A
+
Circuito lineal vABO Circuito lineal iABS
-
B B

ZO
A
+ V = vABO
+
V = vABO
- - ZO = vABO/iABS
B
Equivalente Thévenin

ATE-UO PN 74
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 1º:
Un diodo ideal en un circuito en el que el resto
de los componentes son lineales
A
ideal
iAB +
Circuito de
Circuito lineal
partida vAB
B -
Solución
Circuito no lineal

A Si vABO > 0  diodo directamente

+ + ideal polarizado  v =0, i >0 (0)
Circuito Z
AB AB
-= lineal
O vABO
- v -
Si vABO < 0  diodo inversamente
B
Equivalente Thévenin polarizado  iAB=0, vAB=vABO (0)
ATE-UO PN 75
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 2º:
Un diodo real (modelo asintótico) en un circuito en
el que el resto de los componentes son lineales
A A
+ +
iAB iAB ideal
real real
Circuito lineal Circuito lineal
vAB vAB rd
- - V
B B
A
+ Si vABO > V  diodo directamente
polarizado  vAB=V+ rd·iAB
Circuito lineal
vABO
Si vABO < V  diodo inversamente
- polarizado  iAB=0, vAB=vABO
B ATE-UO PN 76
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 3º:
Un diodo real (modelo exponencial) en un circuito
en el que el resto de los componentes son lineales
A
+
iAB
real
Circuito lineal
vAB
-
B
En circuito impone la condición vAB = F(iAB)
En diodo impone la condición iAB = IS·(eVAB/VT -1)
Hay que resolver este sistema,
que no tiene solución explícita
ATE-UO PN 77
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 4º:
Varios diodos ideales

A Al ser no lineal el
circuito que queda al
ideal eliminar el diodo D , no
1
Circuito lineal pueden aplicarse los
D1 métodos anteriores
B
Circuito no lineal

Método a seguir: Establecer una primera hipótesis sobre el

estado de conducción de cada diodo. A continuación
resolver el circuito y verificar si se llega a alguna situación
incompatible con la idealidad de los diodos. En caso
afirmativo, repetir el proceso hasta que se llegue a una
hipótesis compatible con la idealidad de los diodos.
ATE-UO PN 78
 Resolución de circuitos con diodos. Caso 5º:
Varios diodos reales (modelo asintótico)
ideal rd V
real
E F
C
A
V
ideal
real
rd
real Circuito lineal rd
ideal
V
D B
Circuito lineal
Circuito no lineal
ATE-UO PN 79
Igual que el caso anterior
 Resolución gráfica de circuitos con un
diodo, fuentes y resistencias
Circuito V, I, R
A iAB
+ vABO/RO
RO iAB
+
-= vAB
- vABO
- vAB
Eq. Thévenin
B 0 vABO
•En circuito impone la condición: vAB = vABO - RO·iAB
(recta de carga)
•En diodo impone la condición definida por su curva
característica

El punto de trabajo está definido por la intersección

de la recta de carga y la curva característica
ATE-UO PN 80
 Efectos térmicos sobre la unión (I)
Polarización inversa: i  -IS
siendo: IS = A·q· ni2·(Dp/(ND·Lp)+Dn/(NA·Ln))
(EFi - Ec)/kT Nc es una constante que
ni  Nc· e depende de T3/2 (ver ATE-UO Sem 32)

La corriente IS depende fuertemente de T (se dobla cada 10ºC)

Polarización directa: i  IS·eq·V/(kT) Decrece con T

Crece con T

La corriente i aumenta con T (prevalece la tendencia de IS)

ATE-UO PN 81
Efectos térmicos sobre la unión (II)
Polarización directa Polarización inversa
i

i [A]
i [mA] + P
30
37ºC V N
-0,25 V [Volt.]
-
27ºC 27ºC
V [Volt.]
37ºC
0 0,3 -2

En ambos caso, para la misma tensión, la

corriente aumenta con la temperatura

Muy
importante
ATE-UO PN 82
 Ejemplo 2: unión de Silicio
Datos del Si a 300ºK Zona P Zona N
Dp=12,5 cm2/s
Dn=35 cm2/s NA=1015 atm/cm3 ND=1015 atm/cm3
p=480 cm2/V·s p=100 ns n=100 ns
n=1350 cm2/V·s Lp=0,01 mm Ln=0,02 mm
ni=1010 port/cm3
er=11,8 VO=0,596 V

Datos del Ejemplo 1 (Ge)

Dp=50 cm2/s Dn=100 cm2/s ni=2,5·1013 port/cm3
p=1900 cm2/V·s n=3900 cm2/V·s er=16
Lp=0,22 mm Ln=0,32 mm p= n= 10 s
NA=1016 atm/cm3 ND=1016 átm/cm2 VO=0,31 V
ATE-UO PN 83
 Comparación entre uniones de Silicio y Germanio

Ejemplo 2 (Si) con Ejemplo 1 (Ge) con

V=0,48 (i=544A) V=0,18 (i=566A)
Portad./cm3 Portad./cm3
1016
1016
1014 pP nN pP nN
1012 1014

1010 nPV nPV pNV

1012
pNV
108
1010
106 -3 -2 -1 0 1 2 3
104 Longitud [mm]
-0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
Longitud [mm]

ATE-UO PN 84
 Comparación Ge/Si: curvas características
i [mA]
i
i [mA] 30 Ge
+ 1
P
Ge Si Si
V N

- V [Volt.]

0 -4 0 1
- 0,25 0,25 0,5
V [Volt.]

i [A] i [pA]
Ge: mejor en
V [Volt.] V [Volt.]
conducción
-0,5 0 0
-0,5
Si: mejor en
Si bloqueo
Ge -0,8 Muy -10
importante
ATE-UO PN 85
 Efectos dinámicos de las uniones PN

Al cambiar las condiciones de polarización,

¿cambia al instante la conducción?

No, ya que la conducción está ligada a la

concentración de portadores de carga en los bordes
externos de la zona de transición y al ancho de la
zona de transición, siendo en ambos casos necesario
crear, destruir o mover portadores de carga, lo
que requiere tiempo.

Se caracterizan como:
•Capacidades parásitas (aplicaciones lineales)
•Tiempos de conmutación (en conmutación)
ATE-UO PN 86
Capacidades parásitas: capacidad de transición (I)
Es la dominante con polarización inversa

Zona P -- + Zona N
V+V+V
VO O+V

V+ (x)
V

Al producirse V, hay que extraer portadores

de carga para generar esta carga espacial ATE-UO PN 87
Capacidades parásitas: capacidad de transición (II)

Unión PN Condensador

Con V Con V Con V + V

P - + N
+ + + +++++
Con V + V - - - -----
P - + N

Condensador: nuevas cargas a la misma distancia (C=cte.)

Unión PN: nuevas cargas a distinta distancia (Ccte.)

ATE-UO PN 88
Capacidades parásitas: capacidad de transición (III)

dQ
Partiendo de :

-dQ Ctrans=dQ/dV=e·A/LZT
LZT
V e·(N +N )·(V -V)
2·UV A D O
LZT = p  e T
Ctrans PN q·NA·ND

Se obtiene:
V V
UV e·q·NA·ND
Ctrans = A· p  e T
0 P N 2·(N
A+ND)·(VO-V)

Es una función del Muy

tipo K·(VO-V)-1/2 importante
ATE-UO PN 89
Capacidades parásitas: capacidad de transición (IV)
Los diodos varicap o varactores son diodos que se
utilizan como condensadores variables controlados por
por tensión.
•Se basan en la capacidad de transición de una unión PN
polarizada inversamente.
•Se utilizan frecuentemente en electrónica de
comunicaciones para realizar moduladores de frecuencia,
osciladores controlados por tensión, control automático
de sintonía, etc.
Símbolo Se usa polarizado
Muy inversamente
importante
ATE-UO PN 90
Capacidades parásitas: capacidad de difusión (I)
dominante con polarización directa

Ctrans

0 V
Polarización Polarización
inversa directa

En polarización directa, Ctrans crece mucho. Sin embargo,

carece de importancia porque aparece otro efecto capacitivo:
La capacidad de difusión.
Esta capacidad está ligada a la concentración de minoritarios en
los bordes externos de la zona de transición.
ATE-UO PN 91
 Capacidades parásitas: capacidad de difusión (II)

1016
pP nN Incremento de
Portad./cm3

1014 V=240mV
concentración de
nPV minoritarios debido
1012 pNV al aumento de
V=180mV tensión de 60mV.
1010
-3 -2 -1 0 1 2 3
Longitud [mm]

Al incrementar la tensión tiene que producirse un

aumento de concentración de minoritarios, que
tarda tiempo en producirse, lo que se asocia a la
llamada capacidad de difusión
ATE-UO PN 92
 Tiempos de conmutación (I)

R
i
a b Transición de “a” a “b”
+ (apagado), en una escala
V2 V amplia (ms o s).
V1
-
i
V1/R
t
Comportamiento
dinámicamente ideal
V t

-V2
ATE-UO PN 93
 Tiempos de conmutación (II)
Transición de “a” a “b” (apagado), en una escala
detallada (s o ns).
R
i
a b i V1/R
+
V2 V trr t
V1
- ts
ts = tiempo de almacenamiento -V2/R tf (i= -0,1·V2/R)
(storage time )
tf = tiempo de caída (fall time ) V
trr = tiempo de recuperación
t
inversa (reverse recovery time )

-V2
Muy
importante
ATE-UO PN 94
 Tiempos de conmutación (III)
R ¿Por qué ocurre esto?
i
a b Porque no habrá capacidad de bloqeo
+ hasta que las concentraciones de
V2 V minoritarios sean menores que las de
V1 equilibrio
-
Portad./cm3
i V1/R
8·1013

t3 t4 t nPV pNV
4·1013
t0 t1 t2
t1 t0
-V2/R
0
V t2 t3 t4
t
-1 0 1
Longitud [mm]
-V2 ATE-UO PN 95
 R Tiempos de conmutación (IV)
i
a b Transición de “b” a “a”
+
V2 V (encendido)
V1
Portad./cm3
- 8·1013

i
0,9·V1/R nPV pNV
4·1013
t1 t4
0,1·V1/R t4 t3
t0
td t2 t3 0
tr t2 t1 t0
tfr
td = tiempo de retraso (delay time ) -1 0 1
Longitud [mm]
tr = tiempo de subida (rise time )
El proceso de encendido es más
tfr = td + tr = tiempo de recuperación
rápido que el apagado.
directa (forward recovery time )
ATE-UO PN 96
 Diagramas de bandas en la unión PN (I)
Zonas P y N incomunicadas Barrera que impide la difusión

Zona P Zona N
(neutra) (neutra)

Ec Ec

EFi EF
EFi
EF
Ev Ev

ATE-UO PN 97
 Diagramas de bandas en la unión PN (II)
Zonas P y N comunicadas y sin polarizar (I)
Zona de transición
- +
Zona P - + Zona N
- +
(neutra) - + (neutra)
VO
Ec
VO·q
EFi Ec
EF EF
Ev EFi

Ev

ATE-UO PN 98
 Diagramas de bandas en la unión PN (III)
Zonas P y N comunicadas y sin polarizar
Representamos la distribución de los portadores

Zona P neutra Z. trans. Zona N neutra

Estados posibles para los electrones

(estados vacíos)
nP nN
Ec
EFi Ec
EF EF
Ev EFi
Ev
pP
Estados posibles para los huecos
pN
(electrones de valencia)

ATE-UO PN 99
 Diagramas de bandas en la unión PN (IV)
Zonas P y N comunicadas y sin polarizar
Valoración de las corrientes

Zona P neutra Z. trans. Zona N neutra

Estados posibles para los electrones

nP -jn campo -jn difusión

Ec
- + nN
EFi Ec
EF EF
Ev EFi
Ev
pP
- + jp campo pN
jp difusión
Estados posibles para los huecos

jn campo + jn difusión = 0 jp campo + jp difusión = 0

ATE-UO PN 100
 Diagramas de bandas en la unión PN (V)
Polarización inversa (V<0). Valoración de las corrientes
Sin polarizar

nP -jn campo - - ++ nN
Ec
EFi (VO-V)·q nN Ec
EF
EcEF
Ev EFi
EvEF
pP EFi
- + pN Ev
- + jp campo pN

jtotal  jn campo + jp campo

Corriente total débil debida a campo eléctrico y que
no varía casi con la tensión inversa (V<0) aplicada
ATE-UO PN 101
 Diagramas de bandas en la unión PN (VI)
Polarización directa (V>0). Valoración de las corrientes
Sin polarizar

(VO-V)·q
-jn campo -jn difusión n
nP -- ++ nNN
Ec
Ec
EFi Ec
EF EF
EFi EF
Ev EFi
E
Evv
pP jp difusión
-- ++ jp campo pN
pN

jtotal  jn difusión + jp difusión

Corriente total fuerte debida a difusión, que varía
mucho con la tensión directa (V>0) aplicada
ATE-UO PN 102
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (I)
La tensión inversa máxima que puede soportar una
unión está limitada por una de estas 3 posibles causas:
•Perforación (punch-through)
•Ruptura por avalancha primaria
•Ruptura zener

Perforación: en uniones extremadamente cortas, la

zona de transición puede llegar a invadir toda la zona
neutra cuando se aumenta excesivamente la tensión
inversa aplicada. En estas condiciones la unión ya no
es capaz de soportar tensión inversa sin conducir.

ATE-UO PN 103
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (II)
i
- + V
- + 0
P + + +
-- + +- - - N
- +
i + V -
Ruptura por avalancha primaria: Como se comentó en ATE-UO PN
65, la corriente inversa aumenta fuertemente si se producen pares
electrón-hueco adicionales por choque. El fenómeno se vuelve
degenerativo si la intensidad del campo eléctrico aumenta
suficientemente.
El coeficiente de temperatura en este caso es positivo (al aumentar
la temperatura aumenta la tensión de ruptura.)
ATE-UO PN 104
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (III)
Valores de la longitud de la zona de transición LZTO y del campo
eléctrico máximo EmaxO sin polarizar (ver ATE-UO PN 27):

2·e·(NA+ND)·VO 2·q·NA·ND·VO
LZTO = EmaxO=
q·NA·ND e·(NA+ND)

Ruptura Zener: Dopando muy fuertemente ambas zonas se puede

conseguir que LZTO sea muy pequeña (<10-6 cm) y EmaxO muy grande
(106 volt/cm). En estas condiciones, con tensiones inversas
pequeñas (5 voltios) se puede dar la ruptura de la unión al
producirse conducción inversa por efecto tunel.

El coeficiente de temperatura en este caso es negativo (al aumentar la

temperatura disminuye la tensión de ruptura)

ATE-UO PN 105
 Efecto tunel
Energía Barrera de
- potencial ancha
-
Adsorbe Superación de
Cede una barrera sin
energía energía efecto tunel
- - -

Distancia
Energía
Barrera de potencial muy
estrecha (<10-6 cm)
Superación de
una barrera por
efecto tunel
- - -
Distancia ATE-UO PN 106
Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (IV). Efecto tunel
Zona P Zona N
nP
Ec

Ev
- - nN
pP
Ec
Electrones de valencia

Ev
pN
Corriente casi exclusivamente debida a electrones de
valencia que atraviesan la zona de transición por
efecto tunel
ATE-UO PN 107
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (V)
Comparación entre ruptura por avalancha y ruptura zener (I)

Similitudes:
•Pueden provocar la destrucción de la unión por aumento
de temperatura.
•En ambos casos, la tensión inversa máxima Vmax depende
del campo eléctrico aplicado que provoca la ruptura, Erup.

2·q·NA·ND·(VO-Vmax) 2·q·NA·ND·(-Vmax)
Erup= 
e·(NA+ND) e·(NA+ND)

(Vmax<0)
ATE-UO PN 108
 Tensión inversa máxima que puede soportar
una unión PN (VI)
Comparación entre ruptura por avalancha y ruptura zener (II)
Diferencias:
•Coeficiente de temperatura positivo en el caso de la
ruptura por avalancha y negativo en el caso ruptura zener.
¿Cuándo se produce cada una?
•Para el Si: si la tensión a la que se produce la ruptura es
menor de 4,5 voltios, la ruptura es tipo zener; si es mayor
que 9 voltios, es tipo avalancha; a tensiones entre 4,5 y 9
voltios es mixta.
•Para el Ge: lo mismo pero con 2,7 y 5,4 voltios.
Consecuencia importante: a tensiones intermedias
(6 voltios en Si) la tensión de ruptura varía poco
con la temperatura
ATE-UO PN 109
 Diodos zener (I)
Son diodos diseñados para trabajar en zona de ruptura,
cualquiera que sea la causa de ésta (zener o avalancha).

Símbolo Curva característica i

pend.=1/rd
i
+
V VZ
V
- 0

V
pendiente=1/rZ
VZ = tensión zener o de ruptura
rZ = resistencia zener

ATE-UO PN 110
 Diodos zener (II)
Curva característica i
i
+ asintótica pend.=1/rd
V
- VZ
V
0
pend.=1/rZ
V
A
VZ
ideal
A
Circuito equivalente rZ
asintótico rd
ideal
K V
K ATE-UO PN 111
 Diodos zener (III)
Diodo zener ideal
i
Curva característica
i
+
V VZ
V
- 0

A
A VZ
ideal
Circuito
equivalente ideal

K K
ATE-UO PN 112
 Diodos zener (IV)
Aplicaciones de los diodos zener (I)
Circuito estabilizador con zener
i
RS R1 + i
V
- VZ
+ V
VB VRL 0
RL
- Muy
Queremos que importante
Fuente de VRL sea constante
tensión real

Si se diseña para que el punto de trabajo del zener

esté en la zona de ruptura (zona zener), la tensión en
el zener (y por tanto en la carga RL) será constante
ATE-UO PN 113
 Diodos zener (V)
Aplicaciones de los diodos zener (II)

Circuitos limitadores de tensión

R1
ve
VZ1
+ +
VZ1 + vs
t
ve vs
VZ2
- - -VZ2

salida de un Queremos que Vs

circuito esté acotada entre
+VZ1 y -VZ2 Muy
importante

ATE-UO PN 114
 Introducción a los contactos metal-
semiconductor (I)
Existen 4 posibilidades dependiendo de la naturaleza del metal y
del semiconductor (de la “función de trabajo” del metal y del
semiconductor):

Caso 1: El semiconductor N cede electrones al metal

Metal Zona N
-- + +
-- +
-- + + NN
- +
- + +
Electrones
(película estrecha)
Iones del donador
ATE-UO PN 115
 Introducción a los contactos metal-
semiconductor (II)
Caso 2: El semiconductor P roba electrones al metal

Metal Zona P
+ - -
+
+
+ - - P
P
+
+ - -
+
+ - -
Falta de electrones
(película estrecha) Iones del aceptador

En los casos 1 y 2 se crea una zona de transición en el

semiconductor. En ambos casos se forman las llamadas
“uniones rectificadoras” o “contactos rectificadores”.
ATE-UO PN 116
Intr. a los contactos metal-semiconductor (III)
Caso 3: El semiconductor N roba electrones al metal
Metal Zona N
+ -
+ -
Falta de electrones +- Electrones
+-
+-
N (película estrecha)
(película estrecha)
+-
+-
+-

Caso 4: El semiconductor P cede electrones al metal

Metal Zona P
-
- ++
- + Huecos
Electrones -
-
+ P (película
+
(película estrecha) - + estrecha)
- +
- +

En ambos casos se forman los llamados “contactos óhmicos”.

ATE-UO PN 117
 Contactos metal-semiconductor. Caso 1
(el semiconductor N cede electrones al metal)
LZTO
-- + +
-- +
-- + +
Metal N
- +
- + +
La longitud de la zona de transición, el campo eléctrico
y la capacidad de transición se calculan como en una
unión PN con la zona P infinitamente dopada.

2·e·VO 2·q·ND·VO eVU V ·q·ND

LZTO= EmaxO= Ctrans = A· p  e T
q·ND e P N 2·V
O

Para calcular la tensión de contacto y las corrientes

al polarizar, hay que introducir nuevos conceptos.
ATE-UO PN 118
 Revisión de la distribución de
electrones en un semiconductor
Electrones
Estados posibles
E
gc(E)
Ec
EF
Ev
huecos
gv(E)
f(E)
Estados posibles 0
Electrones 0,5 1
ATE-UO PN 119
 Distribución de electrones en un metal
E E
Estados
posibles
vacíos
EF
Electrones

f(E)
0 0,5 1
El nivel de Fermi determina la energía que con una
probabilidad 1/2 llegan a alcanzar los electrones. A
temperatura ambiente se puede admitir que el nivel de
Fermi es el nivel energético de los electrones del metal.
ATE-UO PN 120
 Conceptos de función de trabajo (q·F)
y afinidad electrónica (q·c)
Nivel energético del vacío
q·c
Estados q·Fm
vacíos Estados
q·Fs vacíos
EC Electrones
EFm
Electrones
EFs
EV
Electrones
Huecos

Los valores relativos de Fm y Fs y el tipo de semiconductor

determinan las propiedades de la unión.
ATE-UO PN 121
 Fm > Fs y semiconductor tipo N (I)
Nivel energético del vacío
Estados
vacíos
q·c
Electrones q·Fs
q·Fm Estados EC
vacíos
EFs
EFm
EV
Electrones
Electrones

Al poner en contacto el metal y el semiconductor tipo

N, el semiconductor cede electrones al metal. Es el
Caso 1.
ATE-UO PN 122
 Fm > Fs y semiconductor tipo N (II)
Nivel energético del vacío
q·(Fm- Fs)
Estados q·c
vacíos
Electrones q·c
q·Fm q·(F m- Fvacíos
Estados s)
EC q·Fs
Estados Electrones
vacíos EC
EFs
EFm EFs
EV
EV
Electrones
Electrones Electrones

--
Metal -- + + + + N
--
-- + + + +
Barrera de tensión: VO = Fm- Fs ATE-UO PN 123
 Fm > Fs y semiconductor tipo N (III)
Polarización directa
Nivel energético del vacío q·(Fm- Fs-V)
q·(Fm- Fs)
-j
Estados
vacíos n q·c
q·(Fm- Fs) q·c
q·Fm Estados Electrones q·Fs
vacíos ECEC
q·(Fm- Fs-V)

EFm E Fs
EFs
EVV
Electrones Electrones
Electrones

-
--- ++ ++ + +
+ Metal - ++ ++ + +
--
N -
Fmm--F
F Fss- V ATE-UO PN 124
 Fm > Fs y semiconductor tipo N (IV)
Polarización directa

•En polarización directa se

-jn establece una corriente de
Estados
electrones del semiconductor al
vacíos
metal (corriente eléctrica en
q·(Fm- Fs-V) sentido inverso).
EFs •La corriente crece mucho al
EFm
crecer la tensión V.
•La corriente eléctrica es sólo de
Electrones mayoritarios, por lo que en las
Electrones
conmutaciones no va a haber que
esperar a que se recombinen
minoritarios.
Muy
importante
ATE-UO PN 125
 Fm > Fs y semiconductor tipo N (V)
Polarización inversa (V<0)
Nivel energético del vacío
q·(Fm- FsNo ) hay casi
q·(F m- Fs-V)
Estados conducción
vacíos
q·(Fm- Fs) q·c
q·Fm Estados Electrones q·Fs
vacíos q·c
EC q·F
q·(Fm- Fs-V) s

EFm E
ECFs
EV E
Fs
Electrones Electrones EV
Electrones Muy
importante
------
---- + + ++ ++ + +
- Metal ------
---- + + + + + +
N +
FFmm--FFss- V ATE-UO PN 126
 Fm < Fs y semiconductor tipo P
Nivel energético del vacío

Estados
q·Fm vacíos
q·c
Estados
vacíos q·Fs
EC
EFm
EFs
Electrones EV
Huecos
Electrones

Al poner en contacto el metal y el semiconductor tipo

P, el metal cede electrones al semiconductor. Es el
Caso 2. Su comportamiento es similar al Caso 1.
ATE-UO PN 127
 Diodos Schottky
• Los casos 1 y 2 dan origen a un comportamiento de tipo
“unión semiconductora” (existe barrera de potencial que
evita la difusión y cuya altura se controla con la tensión
exterior aplicada), dando origen a los diodos Schottky.

Características
•Menor caída de tensión en conducción que un diodo
de unión.
•Mayor rapidez de conmutación (los minoritarios no
intervienen en la conducción).
•Mayor corriente inversa.
•Menor tensión inversa máxima. Símbolo
Muy
importante ATE-UO PN 128
 Fm < Fs y semiconductor tipo N (I)
Nivel energético del vacío

q·c
q·Fm Estados Estados
vacíos vacíos q·Fs
Electrones
EFm EC

EFs
Electrones
EV
Electrones

Al poner en contacto el metal y el semiconductor tipo

N, el metal cede electrones al semiconductor. Es el
Caso 3.
ATE-UO PN 129
 Fm < Fs y semiconductor tipo N (II)
Nivel ener. del vacío q·c
Estados Estados
vacíos vacíos q·Fs
q·Fm
Electrones

EC

EFm EFs
EV
Electrones Electrones

Los electrones pueden pasar libremente desde el metal al

semiconductor o viceversa. Con una tensión externa aplicada se
consigue desequilibrar este paso en un sentido o en otro,
simétricamente. Es un contacto óhmico.
ATE-UO PN 130
 Otras uniones metal- semiconductor con
comportamiento de contacto óhmico
•El caso 4: Fm > Fs y semiconductor tipo P
•Con contactos metal-N+-N o metal-P+-P

Estados Estados
vacíos vacíos

- - - -
EC
EFm EFs
EV

Electrones
Electrones
Electrones
Efecto tunel
-- + +
+ -
--- + +
+ --
N+
+
Metal -- + + + - N
-- +
+
+
+
+ -
-- + +
+ -
-
ATE-UO PN 131
 Unión dopada asimétricamente (Unión P+N-) (I)
Efecto conocido ya: la zona de transición en la zona P+ es
mucho más estrecha que en la zona N-.
Análisis a realizar: ¿qué ocurre con las componentes de
corriente de huecos y de electrones?

Unión de Si P+N- VO=0,477 volt. V=0,3 volt.

NA=1015 atm/cm3 p=100 ns Lp=0,01 mm
ND=1013 atm/cm3 n=100 ns Ln=0,02 mm
Escala 1016
Portad./cm3

logarítmica pP
1012 nN
nPV
108 pNV
104
-0,3 -0,2 -0,1 0 0,1 0,2 0,3
Longitud [mm]
ATE-UO PN 132
 Unión dopada asimétricamente (Unión P+N-) (II)
Escala lineal,
sólo minoritarios 1012
Unión

Portad./cm3
Gradiente
0.5·1012 Gradiente muy grande
muy pequeño
nP pN
0
-0,3 -0,2 -0,1 0 0,1 0,2 0,3
Calculamos las densidades
Longitud [mm]
de corriente de cada tipo de
portador. 3·10-3
corriente [A/cm2]

Zona P Zona N
Densidad de

2·10-3
jp
10-3
0
jn
-0,3 -0,2 -0,1 0 0,1 0,2 0,3
ATE-UO PN 133 Longitud [mm]
 Unión dopada asimétricamente (Unión P+N-) (III)
3·10-3
corriente [A/cm2]

Zona P Zona N
Densidad de

2·10-3
jp
10-3
0
jn La corriente que atraviesa
la unión se debe
-0,3 -0,2 -0,1 0 0,1 0,2 0,3 fundamentalmente al
Longitud [mm]
mayoritario de la zona
3·10-3
muy dopada
Zona P jTotal Zona N
corriente [A/cm2]

2·10-3
Densidad de

jp
10-3 Unión
Muy, muy
jn importante
0

-1,5 -1 -0,5 0 0,5 1 1,5

Longitud [m] ATE-UO PN 134
 Uniones “no largas” (I)

P + + +
+ N
+ + +
+ + + + + +
+ + + +
+ + + +

x XN
pN0
pN(x)
pN
x
La solución a la ecuación de continuidad es:
pN’(x) = C1·e-x/Lp + C2·ex/Lp
¿Qué pasa si la
Si XN>>Lp (unión “larga”), entonces:
unión no es larga?
pN(x) = pN +pN0- pN)·e-xLp

ATE-UO PN135
 Uniones “no largas” (II)

• Si no se cumple XN>>Lp (unión “ no larga”), y además

pN(0)=pN0 y pN(XN)=pN entonces:
senh ((XN-x)/LP)
pN(x) = pN + pN0- pN· +
senh (XN/LP) +
+ +
+ +
• Si XN<<Lp (“unión corta”) entonces: +
+ + +
senh (a)  a y, por tanto:
pN(x) = pN + pN0- pN·(XN-x)/XN XN
pN0
pN(x)
Muy pN
importante x
XN
ATE-UO PN136
 Uniones cortas
pN0
pN(x) Como: pN(x)=pN+pN0- pN)·(XN-x)/XN
pN jpN=-q·Dp·dpN/dx = q·Dp·pN0- pN)/XN
x
XN
Si comparamos este resultado con el de las
jpN uniones largas (jpN= q·Dp·pN0- pN)/LP),
lo que cambia es el denominador.
La corriente total será:
i=IS·(eV/VT -1) donde:
IS = A·q· ni2·(Dp/(ND·XN)+Dn/(NA·XP))

Muy En una unión larga era:

importante
IS = A·q· ni2·(Dp/(ND·LP)+Dn/(NA·LN))

ATE-UO PN137
 Uniones largas comparadas con las cortas (I)
Unión larga Unión corta
V V

Zona P Zona N Zona P Zona N

jtotal jtotal
concentración de concentración de
minoritarios minoritarios
pN nP pN
nP
0 0
Longitud Longitud
jtotal jtotal

jpP jnN jnP jnN

jnP jpN jpP jpN

0 0
Longitud Longitud
ATE-UO PN138
 Uniones largas comparadas con las cortas (II)
Unión larga Unión corta
V V

Zona P Zona N Zona P Zona N

concentración de concentración de
minoritarios minoritarios
pN nP pN
nP
0 0
100m Longitud 1m Longitud

•Área grande  alto tiempo de •Área pequeña  bajo tiempo

recuperación (unión lenta) de recuperación (unión rápida)
•Larga zona neutra  alta •Corta zona neutra  baja
resistencia, pero sin peligro resistencia, pero peligro de
de perforación perforación

ATE-UO PN139
 Nivel de inyección en uniones PN
Bajo n. de inyección Alto n. de inyección
1016 nN(0+) 1016

Portad./cm3
Portad./cm3

nN(0+)
1012 pP 1012 pP
nN
nN
108 108 nP
nP pN(0+) pN pN(0+) p
104 104 N
-0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03 -0,03 -0,02 -0,01 0 0,01 0,02 0,03

Longitud [mm] Longitud [mm]

Hasta ahora hemos considerado que nN(0+)>> pN(0+),

lo que se llama “bajo nivel de inyección”.
“Alto nivel de inyección”: En una unión dopada asimétricamente
+ -
(P N ) muy polarizada directamente, la concentración de los
mayoritarios de la zona poco dopada llega a aumentar con respecto
al equilibrio, aumentando su conductividad (modulación de la
conductividad). ATE-UO PN140
 Uniones para soportar altas tensiones
con baja resistividad

P+ - + N- -+ N+

Zona poco dopada para soportar mucha tensión inversa,

según la fórmula:
E2aval· e·(NA+ND)
Vinv max =
2·q·NA·ND

La resistencia en conducción se reduce por modulación

de la conductividad (aumento en la concentración de
+
mayoritarios por alta inyección desde P+ y N )

ATE-UO PN141
 Zona P+ Zona intrínseca Zona N+
Diodos PIN
(P-intrínseco-N)
P+ - I + N+
•Alta capacidad de
soportar tensión
(x) q·ND inversa.
Densidad
de carga
x •Baja resistencia con
polarización directa
-q·NA por modulación de la
Campo conductividad.
eléctrico E(x) x •Se emplean en
microondas como
-EmaxO atenuadores y
conmutadores.

campo máximo si fuera PN ATE-UO PN 142

 Efectos ópticos en la unión PN
La unión PN puede:
• Ser sensible a la luz fotodiodos y células solares
• Emitir luz Diodos Emisores de Luz (LED)

Efecto fotovoltaico (I) Luz (Eluz = h·n)

- +
- - +
P + - +
-
+ N

Los pares electrón-hueco generados modifican las condiciones de

equilibrio térmico de la unión. Se llegará a otras condiciones de
equilibrio distintas. Por ejemplo, con la unión en circuito abierto,
disminuirá la anchura de la zona de transición y el campo eléctrico y
la tensión en ella. Esto significa que aparecerá tensión directa en los
contactos metálicos, ya que es la misma situación que teníamos
cuando aplicábamos tensión directa externa.
ATE-UO PN 143
 Efecto fotovoltaico (II)

•Calculamos el exceso de minoritarios en ambas zonas

en condiciones estáticas según la ecuación de
continuidad:

0 = GL-pN’/p+Dp·2pN’/x2
0 = GL-nP’/n+Dn·2nP’/x2
•Suponiendo la unión larga, si repetimos la obtención
de la ecuación característica, se obtiene:

i=IS·(eV/VT -1) - Iopt

siendo: Iopt = q·A·GL·(LP + LN)

ATE-UO PN 144
 Efecto fotovoltaico (III)
Luz i=IS·(eV/VT -1) - Iopt
i
Iopt = q·A·GL·(LP + LN)
+ P i sin luz
V N
¡¡Ojo!! la variación
- de temperatura no
v genera operación en
GL=0 el tercer cuadrante
GL1
GL2 i T2
GL3

Comportamiento Comportamiento T1
como fotodiodo como célula V
fotovoltaica o
célula solar
ATE-UO PN 145
 Células fotovoltaicas o solares
•Como Iopt = q·A·GL·(LP + LN), Lp=(Dp· p)1/2 y Ln=(Dn· n)1/2,
interesa que p y n sean grandes para que Iopt sea
grande.
•Para conseguirlo, debe haber pocos “centros de
recombinación”, lo que implica cristales muy perfectos.

i
Luz VCA v
0
P=v·i=cte.
P+
--------------- iCC Pmax
+ + + + + + + + + + + + + +`+
N
seccción A
Punto de máxima potencia.
Célula solar Interesa que la célula solar
trabaje en este punto
ATE-UO PN 146
 Paneles fotovoltaicos o solares
Paneles solares en
satélites de
comunicaciones

Fotodiodos (I)
i sin luz

A v
GL=0
GL1
K GL2

Símbolo GL3

zona de uso
ATE-UO PN 147
 Luz
Fotodiodos (II)
Uso como fotodetector
sin luz
Recta de carga i
-V1 v
i R+ GL=0
GL1
V1 VR GL2
-
i GL3

t
-V1/R
VR
Cuando hay luz sube
t la tensión en R (y por
tanto baja en el fotodiodo)
ATE-UO PN 148
 Diodos Emisores de Luz (I)
Unión larga en Unión corta en
polarización directa polarización directa
concentración de concentración de
minoritarios minoritarios
pN nP pN
nP
0 0
jtotal Longitud
jtotal Longitud

jpP jnN jnP jnN

jnP jpN jpP jpN

0 0
Longitud Longitud
No llegan al contacto metálico de Llegan al contacto metálico de la
la zona N la misma cantidad de zona N la misma cantidad de
huecos que partían del contacto huecos que partían del contacto
metálico de la zona P. Luego metálico de la zona P. Luego no
hay recombinaciones a lo hay recombinaciones a lo
largo de las zonas neutras. largo de las zonas neutras.
ATE-UO PN 149
 Diodos Emisores de Luz (II)
¿En qué se manifiesta la energía liberada en
las recombinaciones?
•En el Ge y en el Si las recombinaciones producen calor.

•En compuestos III-V pueden producir radiación luminosa.

•Compuestos Ga As1-x Px (siendo 0<x<1) sirven para generar
radiación desde el infrarrojo (Ga As, Eg=EC-EV=1,43eV) al verde
(Ga P, Eg=2,26eV). Con x=0,4 es rojo (Eg=1,9eV).
•Los dispositivos basados en este principio reciben el nombre de
Light Emitting Diodes (LED).

Símbolo
K ATE-UO PN 150
 Diodos Emisores de Luz (III)

R
i Zona P Zona N
b a i (en b)
ip in
V1
i (en a)
0
Longitud

•Cuando el interruptor pasa de “a” a “b”, el diodo LED

queda polarizado directamente.
•En cada sección del cristal hay distinto porcentaje de
corriente de huecos y de electrones, lo que significa que
hay recombinaciones en el proceso de conducción.
•Algunas de estas recombinaciones generan luz.
ATE-UO PN 151
 Diodos Emisores de Luz (IV)

f a
g b

e c
d
p.d.
A K Numeración
“Display” de 7
Diodo LED de los “8”
segmentos
segmentos

Indicador de “displays” de 7 segmentos

ATE-UO PN 152
 Diodos Emisores de Luz (V)
f a
g b “Display” de 7 segmentos
de ánodo común
e c
d Común
p.d.

a b c d e f g p. d.

“Display” de 7 segmentos de cátodo común

a b c d e f g p. d.

Común ATE-UO PN 153

 Diodos Emisores de Luz (VI)
“Display” de 7 segmentos
de ánodo común Común
R
a b c d e f g p. d.
V1
D1 D2 D3 D4 D5

a bcde f g p.d.

ATE-UO PN 154