Consideraciones Térmicas

Amplificadores de Potencia
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El límite de la potencia que puede

proporcionar una etapa de salida,
viene establecida por el límite de la
temperatura que se puede alcanzar en
los puntos interiores de los
dispositivos que transfieren la
potencia.
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Esta temperatura, es función de la

cantidad de potencia que se genera y de la
capacidad de conducción de la energía
térmica hacia la fuente fría sobre la que
se libera y que habitualmente es el
entorno ambiente. Este último aspecto se
describe mediante el concepto de
resistencia térmica.
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Se define la resistencia térmica Θ de un trozo

de material, como la relación entre la diferencia
de temperatura entre los extremos del trozo, y
la potencia que se transfiere por conducción
térmica.
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Las temperaturas en los diferentes puntos de un

dispositivo, se pueden obtener utilizando una
analogía del modelo térmico con un circuito
eléctrico. En esta analogía, el papel de la
intensidades que fluyen lo juega la potencia que
se trnsmite, el de las diferencias de potencial lo
juegan las diferencias de temperaturas, y el de
la resistencias óhmicas lo juegan las resistencias
térmicas.
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Siguiendo esta analogía, la temperatura TJ en el

interior de un dispositivo que libera una potencia
P, se puede calcular como:
Tj = Pc (θjc + θca) + TA
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Modelo de Flujo de Calor en Valor Promedio

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Curva de Degradación de la Disipación

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La eficiente y segura de los transistores

de potencia requiere una atención
primaria al voltaje, corriente, potencia y
a las limitaciones de la temperatura, las
cuales son secundarias en los
amplificadores de pequeña señal.
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Las especificaciones de los fabricantes de

transistores incluyen:
Icmáx =Corriente contínua de colector
máxima.
Bvceo =Voltaje de ruptura por avalancha
(Vce>0) con Ib=0
Pcmáx =Potencia promedio máxima que el
transistor puede disipar con la temperatura del
encapsulado <= Tco
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Tco =Máxima temperatura del

encapsulado sin corrección de Pcmáx (el
valor común es de 25ºC).
Tjmáx =Temperatura máxima
permitida en la unión (base-colector) de
80 a 100ºC para Ge, de 125 a 200ºC para
Si.
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Del modelo térmico del transistor:

Θjc =resistencia térmica entre la unión y la
cápsula madida en grados celcius/watt.
Θca =resistencia térmica entre la cápsula y el
ambiente medida en grados celcius/watt.
Θsa =resistencia térmica entre el disipador
térmico y el ambiente medida en grados
celcius/watt.
Θcs =resistencia térmica entre la cápsula y el
disipador térmico medida en grados celcius/watt.
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Problemas Resueltos: