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Consideraciones Térmicas

Amplificadores de Potencia
Consideraciones Térmicas

El límite de la potencia que puede


proporcionar una etapa de salida,
viene establecida por el límite de la
temperatura que se puede alcanzar en
los puntos interiores de los
dispositivos que transfieren la
potencia.
Consideraciones Térmicas

Esta temperatura, es función de la


cantidad de potencia que se genera y de la
capacidad de conducción de la energía
térmica hacia la fuente fría sobre la que
se libera y que habitualmente es el
entorno ambiente. Este último aspecto se
describe mediante el concepto de
resistencia térmica.
Consideraciones Térmicas

Se define la resistencia térmica Θ de un trozo


de material, como la relación entre la diferencia
de temperatura entre los extremos del trozo, y
la potencia que se transfiere por conducción
térmica.
Consideraciones Térmicas

Las temperaturas en los diferentes puntos de un


dispositivo, se pueden obtener utilizando una
analogía del modelo térmico con un circuito
eléctrico. En esta analogía, el papel de la
intensidades que fluyen lo juega la potencia que
se trnsmite, el de las diferencias de potencial lo
juegan las diferencias de temperaturas, y el de
la resistencias óhmicas lo juegan las resistencias
térmicas.
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Siguiendo esta analogía, la temperatura TJ en el


interior de un dispositivo que libera una potencia
P, se puede calcular como:
Tj = Pc (θjc + θca) + TA
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Modelo de Flujo de Calor en Valor Promedio


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Curva de Degradación de la Disipación


Consideraciones Térmicas

La eficiente y segura de los transistores


de potencia requiere una atención
primaria al voltaje, corriente, potencia y
a las limitaciones de la temperatura, las
cuales son secundarias en los
amplificadores de pequeña señal.
Consideraciones Térmicas

Las especificaciones de los fabricantes de


transistores incluyen:
Icmáx =Corriente contínua de colector
máxima.
Bvceo =Voltaje de ruptura por avalancha
(Vce>0) con Ib=0
Pcmáx =Potencia promedio máxima que el
transistor puede disipar con la temperatura del
encapsulado <= Tco
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Tco =Máxima temperatura del


encapsulado sin corrección de Pcmáx (el
valor común es de 25ºC).
Tjmáx =Temperatura máxima
permitida en la unión (base-colector) de
80 a 100ºC para Ge, de 125 a 200ºC para
Si.
Consideraciones Térmicas

Del modelo térmico del transistor:


Θjc =resistencia térmica entre la unión y la
cápsula madida en grados celcius/watt.
Θca =resistencia térmica entre la cápsula y el
ambiente medida en grados celcius/watt.
Θsa =resistencia térmica entre el disipador
térmico y el ambiente medida en grados
celcius/watt.
Θcs =resistencia térmica entre la cápsula y el
disipador térmico medida en grados celcius/watt.
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Problemas Resueltos: