Curso de electrónica analógica

(Ensino secundário)

Modelos AC
 Introdução
 Para entendermos como os diodos, transistores e
circuitos integrados funcionam, precisamos
primeiro estudar os semicondutores.
 Os materiais semicondutores, como o próprio
nome indica, não são nem condutores nem isolantes.
 Isto porque nesses materiais, na sua contituição
atómica, existem alguns eletrões livres (carga
nega-tiva) e lacunas (espaços vazios com carga
positiva).
 Neste capítulo, vamos aprender sobre semicondu-
tores, lacunas e outros assuntos relacionados.
 Condutores eléctricos

1. Introdução
 O cobre é material considerado bom condutor,
tanto para o calor como para a eletricidade.
 A razão é evidente quando observamos a sua
estrutura atómica como nos ilustra a figura 1.
 Nessa figura, o núcleo do átomo de cobre
contém 29 protões (cargas positivas).
 Quando um átomo de cobre tem uma carga
neutra, ela possui também 29 eletrões (cargas
negativas) girando à volta do seu núcleo.
Figura 1 – Constituição e distribuição atómica de um átomo de
cobre
 Condutores eléctricos

1. Introdução
 Os eletrões giram em órbitas distintas
(também chamadas de camadas), existindo:
 2 eletrões na primeira camada;
 8 eletrões na segunda;
 18 na terceira;
 E 1 na órbita mais externa (última
camada).
 Condutores eléctricos

2. Órbitas estáveis
 O núcleo positivo da figura 1 atrai os eletrões
planetários, impedindo que esses eletrões de se
chocarem com o núcleo.
 Essa força de atração que os protões exercem
sobre os eletrões é a força centrífuga
(externa) criada pelo seu movimento circular.
 A força centrífuga é exatamente igual à força de
atração do núcleo, de modo que a órbita fica
estável.
 Condutores eléctricos

2. Órbitas estáveis
 Quanto mais distante está um eletrão do seu
núcleo, menor é a força atração que o núcleo
exerce sobre ele.
 Em uma órbita externa, por exemplo a última,
um eletrão circula mais lentamente,
produzindo uma força centrífuga menor.
 O eletrão mais externo (eletrão de valência)
na figura 1 circula o núcleo muito lentamente e
quase não sente sua atração.
 Condutores eléctricos

3. Núcleo
 Em eletrónica, tudo o que importa é a órbita mais
externa, também chamada de órbita de
valência.
 Ela controla as propriedades elétricas do átomo e
para enfatizar a sua importância, definimos o
núcleo de um átomo como núcleo dos protões
com todas as órbitas internas.
 Assim sendo, para um átomo de cobre, seu
núcleo envolve os 29 protões mais seus 28
eletrões das órbitas interiores.
 Condutores eléctricos

3. Núcleo
 Como resultado, podemos afirmar que o núcleo
de um átomo de cobre tem uma carga líquida
de +1, pois ele contém 29 protões e 28
eletrões nas órbitas interiores.
 A figura 2 ajuda a visualizar o núcleo e sua
órbita de valência, onde o eletrão de valência
está na maior órbita.
 Por essa razão, a atração sentida pelo eletrão
de valência é muito baixa.
Figura 2 – Diagrama do núcleo de um átomo de
cobre
 Condutores eléctricos
4. Eletrão livre
 Como a atração entre o núcleo e o eletrão de valência de
um átomo de cobre é muito fraca, uma força
externa pode deslocar facilmente este eletrão do átomo
de cobre.
 Quando isso aconece, o eletrão de valência passa a ser
chamada eletrão livre, sendo por isso que o cobre é um
bom condutor.
 O menor valor de tensão pode fazer os eletrões livres se
deslocarem de um átomo para o próximo.
 Contudo, os melhores condutores são prata, cobre
e ouro, tendo todos eles um diagrama do núcleo igual ao
ilustrado na figura 2.
 Condutores eléctricos

Exercício exemplo
 Suponha que uma força externa retire o eletrão
de valência do átomo de cobre (figura 2).
a) Qual é a carga líquida desse átomo de
cobre?
b) Qual é a carga líquida se outro eletrão
externo entrar nesta órbita de valência da
figura 2?
 Condutores eléctricos

Resolução
a) Quando o eletrão de valência é retirado, a
carga líquida do átomo torna-se +1.
 Sempre que um átomo perde um de seus
eletrões ele fica positivamente carregado.
 Neste caso, o átomo instável passa a ser
chamado de ião positivo.
 Condutores eléctricos

Resolução
b) Quando um eletrão externo passa a circular
na órbita de valência da figura 2, a carga
líquida do átomo torna-se -1.
 Sempre que um átomo ganha um eletrão
externo ele fica negativamente carregado.
 Neste caso, o átomo instável passa a ser
chamado de ião negativo.
 Semicondutores
1. Introdução
 Como já se disse, os melhores condutores são a prata,
o cobre e o ouro) porque possuem apenas um eletrão
de valência.
 Enquanto que os melhores isolantes são os materiais
como a porcelana, a borracha, etc., que possuem oito
eletrões de valência.
 O semicondutor é um elemento com propriedades
elétricas entre as do condutor e as do isolante.
 Como podemos estar pensando, os melhores
semicondutores possuem quatro eletrões de valência
(Ex: Silício e germânio).
 Semicondutores
2. Germânio
 O germânio é o primeiro elemento semicondutor usado
nos primórdios da era eletrónica.
 Pois, há muitos anos o germânio era o único material
disponível para a fabricação de dispositivos semi-
condutores.
 Mas os dispositivos feitos a partir do germânio tinham
uma falha fatal, pois a sua corrente reversa era
excessiva.
 Eventualmente, outro semicondutor chamado de silício
tornou-se mais utilizado e fez o germânio
tornar-se obsoleto na maioria das aplicações eletrônicas.
 Semicondutores
3. Silício
 Assim como o oxigênio, o silício é um elemento
abundante na natureza.
 Mas, inicialmente, existia determinado problema no
seu polimento que impedia seu uso na
fabricação de dispositivos semicondutores.
 Uma vez solucionado esse problema, as vantagens do
silício fizeram dele a melhor escolha para a fabricação
de semicondutores.
 Podemos afirmar sem sombras para dúvidas que sem
ele, a eletrónica moderna, as comunicações e os
computadores seriam impossíveis.
 Semicondutores

3. Silício
 Um átomo isolado de silício tem 14 protões e 14
eletrões, conforme nos mostra a figura 3A.
 Desta forma, o seu núcleo tem uma carga
líquida de +4.
 Isto porque ele contém 14 protões no núcleo e
10 eletrões nas duas primeiras órbitas.
 A figura 3B mostra o diagrama do núcleo de um
átomo de silício, onde os 4 eletrões de valência
informam que o silício é um semicondutor.
Figura 3A – Constituição e distribuição atómica
do silício
Figura 3B – Diagrama de carga do núcleo do átomo de silício
 Cristais de silício
1. Introdução
 Quando os átomos de silício combinam-se para formar um
sólido, eles se organizam num padrão ordenado chamado
de cristal.
 Cada átomo de silício compartilha os seus 4 eletrões de
valência com 4 átomos vizinhos de tal modo que passam a
existir oito eletrões na sua órbita de valência.
 Por exemplo, a figura 4A ilustra a ligação covalente de um
átomo central com quatro átomos vizinhos.
 Os círculos sombreados representam os núcleos de
silício, e embora o átomo central tenha originariamente
quatro eletrões na sua órbita de valência, ele agora passa
a ter oito eletrões.
Figura 4A – Um átomo de cristal de
silício
 Cristais de silício
2. Ligações covalentes
 Conforme nos deixa perceber a ilustração da figura 4A,
cada átomo vizinho compartilha um eletrão com o átomo
central.
 Desse modo, ele passa a ter quatro eletrões adicio-nais,
ficando com um total de oito eletrões na últi-ma camada.
 Os eletrões não pertencem mais a nenhum átomo
isolado, ou seja, cada átomo central e seus vizinhos
compartilham seus eletrões.
 A mesma ideia é válida para todos os outros átomos de
silício, isto é, cada átomo dentro do cristal de silício liga
covalentemente com quatro vizinhos.
 Cristais de silício

2. Ligações covalentes
 Na figura 4A, cada núcleo tem uma carga de
+4, onde, por exemplo, o átomo central e o
outro à sua direita atraem o par de eletrões
entre eles com forças iguais e opostas.
 A atração nas direções opostas é o que man-
tém os átomos de silício ligados.
 Cristais de silício
2. Ligações covalentes
 Como cada eletrão compartilhado na figura 4A está
sendo puxado no sentido oposto, o eletrão torna-se
uma ligação entre os núcleos opostos (ligação
covalente).
 A figura 4B é o modo mais simples de mostrar o
conceito de ligações covalentes.
 Num cristal de silício, existem bilhões de átomos
de silício, cada um com oito eletrões de valência.
 Os eletrões de valência são ligações covalentes que
mantêm a estrutura do cristal que forma o sólido.
Figura 4B – Esquema das ligações
covalente
 Cristais de silício
3. Saturação da camada de valência
 Como já se viu, cada átomo num cristal de silício tem
oito eletrões na sua órbita de valência.
 Esses oito eletrões produzem uma estabilidade
química que resulta num corpo sólido de material de
silício.
 Não sabemos ainda, com certeza, por que as órbitas
mais externas dos elementos possuem esta
predisposição quando completam oito eletrões.
 Quando não há oito eletrões, existe uma tendência
para o elemento combinar e compartilhar eletrões com
outros átomos, para atingir esse número.
 Cristais de silício

3. Saturação da camada de valência

 Existem equações avançadas na física que
explicam parcialmente por que os oito eletrões
produzem uma estabilidade química nos
diferentes materiais.
 Mas não sabemos a razão do número oito ser tão
especial, tal como as leis da gravidade, de
Coulomb e outras.
 No entanto, admite-se que quando a órbita de
valência tem oito eletrões, ela fica saturada.
 Cristais de silício

3. Saturação da camada de valência

 Ou seja, nenhum outro eletrão pode se manter
fixo nesta órbita, pois ela é considerada como
uma lei:
 

 Isto significa que a camada de valência de

qualquer átomo não pode conter mais que 8
eletrões.
 Cristais de silício

3. Saturação da camada de valência

 Além disso, os oito eletrões de valência são cha-
mados de eletrões de ligação porque são for-
temente atraídos pelos átomos vizinhos.
 Em virtude dos eletrões de ligação, o cristal de
silício é um isolante quase perfeito na tempera-
tura ambiente (25ºC aproximadamente).
 Cristais de silício

4. Lacunas
 A temperatura ambiente é a temperatura do
ar num ambiente qualquer.
 Quando o ambiente está acima de zero absoluto
(–273 ºC), o aquecimento deste ambiente
provoca uma agitação no cristal de silício.
 Quanto maior a temperatura ambiente, maior
a vibração mecânica.
 Quando pegamos num objeto aquecido,
sentimos o efeito da vibração dos átomos.
 Cristais de silício

4. Lacunas
 Num cristal de silício, as vibrações dos átomos
podem ocasionalmente deslocar um eletrão da
órbita de valência.
 Quando isso acontece, o eletrão liberado ga-
nha energia suficiente para mudar para outra
órbita mais externa (figura 5A), e nessa órbita
o eletrão torna-se um eletrão livre.
Figura 5A – Criação de um eletrão e uma lacuna pela
temperatura ambiente
 Cristais de silício

4. Lacunas
 Mas isso não é tudo, pois a saída do eletrão
cria um vazio na órbita de valência chamado
de la-cuna (figura 5A).
 A lacuna comporta-se como uma carga posi-
tiva, pois a perda de um eletrão produz um ião
positivo.
 A lacuna vai atrair e capturar outro eletrão
ime-diatamente mais próximo dela.
 Cristais de silício
4. Lacunas
 A existência de lacunas é a diferença crítica entre
os condutores (corrente elétrica) e os semi-
condutores (corrente eletrónica).
 As lacunas permitem aos semicondutores fazer
muitas coisas impossíveis de conseguir com os
condutores.
 Na temperatura ambiente, a energia térmica pro-
duz apenas alguns eletrões livres.
 E para aumentar o número de lacunas e de eletrões
livres, é preciso fazer a dopagem do cristal.
 Cristais de silício

5. Recombinação e tempo de vida útil

 Num cristal de silício puro, a energia térmica
(calor) cria um número igual de eletrões livres e
lacunas.
 Os eletrões livres têm um movimento aleatório
através do cristal.
 E quando um eletrão livre se aproxima de uma
lacuna, é atraído por ela e “cai” nessa lacuna.
 A recombinação é o desaparecimento de um
eletrão e uma lacuna, como nos ilustra a figura
5B.
Figura 5B – Recombinação do eletrão livre com a
lacuna
 Cristais de silício

5.   Recombinação e tempo de vida útil



 O tempo entre a criação e o desaparecimento

de um eletrão livre é chamado de tempo de
vida.
 Ele varia de alguns nanossegundos (ns) até vá-
rios microssegundos (), dependendo da per-
feição do cristal e de outros fatores.
 Cristais de silício

5. Ideias principais
 A qualquer instante, os seguintes acontecimen-
tos ocorrem dentro de um cristal de silício:
a) Alguns eletrões livres e lacunas são
gerados pela energia térmica;
b) Outros eletrões livres e lacunas se recom-
binam;
c) Alguns eletrões livres e lacunas existentes
temporariamente esperam pela recombi-
nação.
 Cristais de silício

Exercício exemplo
 Suponha que um cristal de silício puro tem 1
milhão de eletrões livres:
a) Quantas lacunas existem?
b) O que acontece com o número de
eletrões livres e lacunas se a temperatura
ambiente aumentar?
 Cristais de silício

Resolução
a) Observando, por exemplo a figura 5A, quando
a energia térmica gera um eletrão livre, auto-
maticamente aparece uma lacuna ao mesmo
tempo.
 Portanto num cristal de silício puro sempre tem
o mesmo número de lacunas e eletrões livres.
 Assim sendo, se existe 1 milhão de eletrões
livres, então existe 1 milhão de lacunas.
 Cristais de silício

Resolução
b) Um aumento na temperatura faz aumentar as
vibrações nos níveis atómicos, o que significa
que mais eletrões livres são gerados.
 Mas não importa o que acontece com a tem-
peratura, num cristal de silício puro tem o
mesmo número de elétrons livres e lacunas.
 Semicondutores intrínsecos

1. Introdução
 O cristal de silício é um semicondutor
intrínseco (puro) se cada átomo no cristal for
um átomo apenas de silício.
 Na temperatura ambiente, um cristal de silício
age como um isolante porque tem apenas
alguns eletrões livres e lacunas produzidas
pela energia térmica.
 Semicondutores intrínsecos

2. Fluxo de eletrões
 A figura 6 mostra parte de um cristal de silício
entre placas metálicas carregadas.
 Suponha que a energia térmica tenha
produzido um eletrão livre e uma lacuna.
 O eletrão livre está numa órbita mais externa
do lado direito do cristal.
 Semicondutores intrínsecos

2. Fluxo de eletrões
 Como a placa está carregada negativamente, o
eletrão livre é repelido para o lado esquerdo.
 Esse eletrão livre pode mover-se de uma órbita
externa para a próxima até alcançar a placa
positiva.
Figura 6 – Fluxo de eletrões &
lacunas
 Semicondutores intrínsecos

3. Fluxo de lacunas
 Observe que a lacuna no lado esquerdo da figura
6 atrai o eletrão de valência do ponto A e isso faz
com que o eletrão de valência se mova para a
lacuna.
 Quando o eletrão de valência do ponto A move-
se para a esquerda, ele cria uma lacuna no ponto
A.
 O efeito é o mesmo que mover a lacuna original
para a direita e a nova lacuna no ponto A pode
atrair e capturar outro eletrão de valência
 Semicondutores intrínsecos

3. Fluxo de lacunas
 Desse modo, os eletrões de valência podem via-
jar ao longo do caminho mostrado pelas setas.
 Isso significa que a lacuna pode mover-se no
sentido oposto, ao longo do caminho A-B-C-D-E-
F, funcionando do mesmo modo que uma carga
positiva.
 Dois tipos de fluxos
 A figura 7 mostra um semicondutor intrínseco,
porque ele tem o mesmo número de eletrões
livres e lacunas.
 Por isso, a energia térmica produz eletrões
livres e lacunas aos pares.
 Onde a tensão aplicada forçará os eletrões
livres a circular para o lado esquerdo e as lacu-
nas, para o lado direito.
Figura 7 – Semicondutor
intrínseco
 Dois tipos de fluxos
 Quando os eletrões livres alcançam o lado final
esquerdo do cristal, eles passam para o fio externo
e circulam para o terminal positivo da bateria.
 Por outro lado, os eletrões livres do terminal ne-
gativo da bateria circulam para o final direito do
cristal.
 Nesse ponto, eles entram no cristal e recombinam-
se com as lacunas até alcançarem o final direito do
cristal.
 Desse modo, existe um fluxo estável de eletrões
livres e lacunas ocorrendo dentro do semicondutor.
 Dois tipos de fluxos
 Observe que não existe fluxo de lacunas fora do
semicondutor e segundo a ilustração da figura 7, os
eletrões livres e as lacunas movem-se em direções
opostas.
 De agora em diante, visualizaremos a corrente num
semicondutor com um efeito combinado de dois tipos
de fluxo.
 Ou seja, o fluxo de eletrões livres numa direção e o
fluxo de lacunas noutra direcção.
 Os eletrões livres e as lacunas são sempre chama-dos
de portadores de carga, porque transportam uma
carga de um lugar para o outro.
Dopagem do semiconductor intrínseco
1. Introdução
 Uma forma de aumentar a condutividade de um
semicondutor é pelo processo de dopagem.
 Isso significa uma adição de átomos de outra natu-
reza, chamada de impureza.
 Ou seja, misturar-se ao cristal intrínseco uma peque-
na quantidade de átomos de outra natureza a fim de
alterar a sua condutividade elétrica.
 Quando um semicondutor intrínseco é dopado, ela
passa a ser chamado de semicondutor extrínseco.
Dopagem do semiconductor intrínseco

2. Aumento de eletrões livres

 Para dopar um cristal de silício puro, o
primeiro passo é fundir esse cristal, quebrando
assim as suas ligações covalentes.
 Neste caso, o silício muda do estado sólido
para o líquido, permitindo a mistura com outro
ele-mento químico.
 Para aumentarmos o número de eletrões livres,
por exemplo, adicionamos átomos penta-
valentes ao silício fundido.
Dopagem do semiconductor intrínseco

2. Aumento de eletrões livres

 Os átomos pentavalentes possuem cinco
ele-trões na órbita de valência, tendo como
exem-plo:
 Arsênico;
 Antimônio;
 Fósforo.
Dopagem do semiconductor intrínseco
2. Aumento de eletrões livres
 Esses materiais doarão um eletrão adicional para o cristal
de silício, sendo, por isso conhe-cidos como doadores de
impureza.
 A figura 8A mostra como o cristal de silício dopado fica
após seu resfriamento e volta para sua estrutura sólida de
cristal.
 Um átomo pentavalente fica no centro, rodeado por quatro
átomos de silício.
 Lembre que, como antes, os átomos vizinhos com-
partilhavam um eletrão com o átomo central, agora,
existe um eletrão adicional na parte esquer-da superior.
Figura 8A – Dopagem do silício puro com átomos
pentavalentes
Dopagem do semiconductor intrínseco

2. Aumento de eletrões livres

 Sabemos que cada átomo pentavalente tem
cinco eletrões de valência.
 E como somente oito eletrões podem ficar
fixos na órbita de valência, o eletrão adicional
permanece numa órbita mais externa.
 Em outras palavras, esse eletrão de valência
se liberta do seu núcleo e se transforma num
eletrão livre.
Dopagem do semiconductor intrínseco
2. Aumento de eletrões livres
 Cada átomo pentavalente ou átomo doador
num cristal de silício produz um eletrão livre.
 É assim que um fabricante controla a
condutividade de um semicondutor dopado.
 Quanto mais impureza é adicionada, maior é a
condutividade e desse modo, um semicondutor
pode ser levemente ou fortemente dopado.
 Um semicondutor levemente dopado tem uma alta
resistência, enquanto um semicondutor fortemente
dopado tem uma resistência de baixo valor.
Dopagem do semiconductor intrínseco

3. Aumento de lacunas
 Para doparmos um cristal de silício puro a fim
de obter um excesso de lacunas, usamos
impurezas trivalente.
 Os elementos trivalentes são aquelas cujo
átomo tem apenas três eletrões na última ca-
mada, como por exemplo:
 Alumínio;
 Boro;
 Gálio.
Dopagem do semiconductor intrínseco

3. Aumento de lacunas
 A figura 8B mostra um átomo trivalente no
centro rodeado por quatro átomos de silício.
 Sabemos que um átomo trivalente tem original-
mente apenas três eletrões de valência.
 E cada átomo de silício vizinho compartilha com
um eletrão do átomo da impureza, resultando
num total de sete eletrões na órbita de valência.
Figura 8B – Dopagem do silício puro com átomos
trivalentes
Dopagem do semiconductor intrínseco

3. Aumento de lacunas
 Isso significa que existe uma lacuna na órbita
de valência de cada átomo trivalente.
 Por essa razão, o átomo trivalente é chamado
de átomo aceitador.
 Isto porque cada lacuna que existe pode
receber um eletrão livre durante a recombina-
ção.
 Semiconductor extrínseco

1. Introdução
 Um semicondutor pode ser dopado para ter um
excesso de eletrões livres ou excesso de lacunas.
 Por essa razão, existem dois tipos de semicon-
dutores dopados (extrínsecos), ou seja:
 Semicondutor do tipo P(positivo);
 Semicondutor do tipo N(negativo);
 Semiconductor extrínseco

2. Semicondutor do tipo N
 O silício que foi dopado com impureza penta-
valente é chamado de semicondutor tipo N,
(negativo).
 A figura 9 mostra um semicondutor tipo N,
onde se vê claramente que o número de eletrões
livres excede o número de lacunas.
 Desta forma, num semicondutor tipo N, os
ele-trões livres são chamados de portadores
maiori-tários e as lacunas, de portadores
minoritários.
Figura 9 – Semiconductor do
tipo N
 Semiconductor extrínseco

2. Semicondutor do tipo N
 Devido à aplicação de uma tensão, os eletrões
livres movem-se para a esquerda e as lacunas
movem-se para a direita.
 Quando uma lacuna alcança o final do lado
direito do cristal, um dos eletrões livres do
circuito externo passa para o semicondutor e
recombina com a lacuna.
 Semiconductor extrínseco

2. Semicondutor do tipo N
 Os eletrões livres mostrados na figura 9
circulam para o lado final à esquerda do cristal.
 E ali, eles passam para o fio condutor em dire-
ção ao terminal positivo da bateria.
 Semiconductor extrínseco

3. Semicondutor do tipo P
 O silício que foi dopado com impureza trivalente
é chamado de semicondutor tipo P (positivo).
 A figura 10 mostra um semicondutor tipo P,
onde se vê agora que o número de lacunas
excede o número de eletrões livres.
 Por essa razão, num semicondutor tipo P, as
lacunas são chamadas de portadores maiori-
tários e os eletrões livres, de portadores
mino-ritários.
Figura 10 – Semicondutor do
tipo P
 Semiconductor extrínseco
3. Semicondutor do tipo P
 Com a aplicação de uma tensão, os electrões livres
movem-se para a esquerda e as lacunas movem-se
para a direita.
 Na figura 10, as lacunas que chegam ao
final direito do cristal recombinam com os electrões
livres do circuito externo.
 Existe também um fluxo de portadores minoritários
(neste caso, os electrões livres) dentro do semicon-
dutor circulando da direita para a esquerda.
 Como existem poucos portadores minoritários, eles
quase não afetam o circuito.
 Diodo não polarizado
1. Introdução
 Por si só, um semicondutor tipo N é usado como um
resistor de carbono e o mesmo pode ser dito para um
semicondutor tipo P.
 Mas quando um fabricante dopa um cristal de modo que
metade dele é do tipo P e a outra metade do tipo N, algo
novo começa a acontecer.
 A “fronteira” entre o tipo P e o tipo N é chamada de
junção PN, sendo ela a base para todo tipo de invenções,
inclusive dos diodos, transistores e circuitos integrados.
 Entendendo a junção PN, seremos capazes de enten-
dermos todos os outros dispositivos semicondutores.
 Diodo não polarizado

2. Diodo não polarizado

 Conforme já foi visto, cada átomo trivalente
num cristal de silício produz uma lacuna.
 Quando assim acontece, poderemos visualizar
um semicondutor tipo P como nos mostra a
figura 11A.
 Cada sinal negativo dentro do círculo é um
átomo trivalente, e cada sinal positivo, é uma
lacuna na sua órbita de valência.
Figura 11A – Semicondutor extrínseco
tipo P
 Diodo não polarizado
2. Diodo não polarizado
 De modo similar, podemos visualizar os átomos
pentavalentes e os eletrões livres de um
semicondu-tor tipo N (11B).
 Cada círculo com um sinal positivo representa um
átomo pentavalente, e cada sinal de menos é o
eletrão livre que ele contribui para o semicondutor.
 Observe que cada pedaço de material semicondu-
tor extrínseco é eletricamente neutro.
 Pois o número de sinais positivos é igual ao número
de sinais negativos.
Figura 11B – Semicondutor extrínseco
tipo N
 Diodo não polarizado

2. Diodo não polarizado

 Um fabricante pode produzir cristal simples
com um material tipo P de um lado, e outro
tipo N do outro lado (figura 12).
 A junção é a borda onde as regiões do tipo P e
do tipo N se encontram
 E o diodo de junção é outro nome dado para
um cristal extrínseco PN.
 A palavra diodo é uma contração de dois
elétrodos, onde di significa “dois”.
Figura 12 – Junção PN
 Diodo não polarizado

3. Camada de depleção
 Em virtude da repulsão, os eletrões livres do lado
N na figura 12 tendem a se difundir (espalhar) em
todas as direções.
 Alguns eletrões livres se difundem através da
junção e, quando um eletrão livre entra na região
P, ele passa a ser um portador minoritário.
 Diodo não polarizado

3. Camada de depleção
 Com tantas lacunas em seu redor, esse
portador minoritário tem um tempo de vida
muito curto.
 Ou seja, logo que entra na região P, o eletrão
livre recombina com uma lacuna.
 Quando isso acontece, a lacuna desaparece e
o eletrão livre passa a ser um eletrão de
valên-cia.
 Diodo não polarizado

3. Camada de depleção
 Cada vez que um eletrão difunde-se na junção,
ele cria um par de iões.
 Quando um eletrão deixa o lado N, ele deixa
para trás um átomo pentavalente que perde
uma carga negativa e se torna num ião positivo.
 Após a migração, o eletrão “cai” numa lacuna
do lado P.
 Isso faz que um ião negativo fora do átomo tri-
valente o capture.
 Diodo não polarizado

3. Camada de depleção
 A figura 13A mostra esses iões em cada um
dos lados da junção.
 Os círculos com sinais positivos são os iões
positivos e os círculos com sinais negativos
são os iões negativos.
 Os iões ficam fixos na estrutura do cristal em
virtude da ligação covalente.
 Por essa razão, eles não podem se mover entre
os átomos como eletrões livres e lacunas.
Figura 13A – Formação de iões na
junção PN
 Diodo não polarizado

3. Camada de depleção
 Cada par de iões positivos e negativos na
junção é chamado de dipolo.
 A criação de um dipolo significa que um eletrão
livre e uma lacuna ficam fora de circulação.
 À medida que o número de dipolos aumenta, a
região próxima da junção torna-se vazia de
porta-dores de carga.
 Chamamos a região vazia de portadores de
carga de camada de depleção (figura 13B).
Figura 13B – Zona de depleção na
junção PN
 Diodo não polarizado

4. Barreira de potencial
 Cada dipolo cria um campo elétrico entre os
iões positivo e negativo.
 Portanto, se um eletrão livre adicional entrar
na camada de depleção, o campo elétrico
tenta
empurrar este eletrão de volta para a região N.
 A intensidade do campo elétrico aumenta ca-
da vez que um eletrão cruza a junção até atin-
gir o equilíbrio.
 Diodo não polarizado
  
4. Barreira de potencial
 Para uma primeira aproximação, significa que o
campo elétrico eventualmente interrompe a
difusão de eletrões através da junção.
 Na figura 13A, o campo elétrico entre os iões é
equivalente a uma diferença de potencial cha-
mada de barreira de potencial ().
 Na temperatura de 25ºC, a barreira de potencial
é de 0.3V aproximadamente para os diodos de
germânio, e de 0.7V para os diodos de silício.
 Polarização directa

1. Introdução
 A figura 14 mostra uma fonte DC aplicada a
um diodo, onde o terminal negativo da fonte
está conectado a um material tipo N.
 E o terminal positivo está conectado a um
mate-rial tipo P.
 Essa conexão produz o que chamamos de
pola-rização direta da junção PN.
Figura 14 – Polarização directa da
junção PN
 Polarização directa

2. Fluxo dos eletrões livres

 Na figura 14 a bateria empurra as lacunas e os
eletrões livres em direção à junção.
 Se a tensão da bateria for menor que a barreira
de potencial, os eletrões livres não possuem
energia suficiente para penetrar na camada de
depleção.
 Isto porque, quando eles penetram na camada
de depleção, os iões empurram os eletrões livres
de volta para a região N, por isso não há corrente
pelo diodo.
 Polarização directa

2. Fluxo dos eletrões livres

 Quando a tensão DC da fonte for maior que a
barreira de potencial, a bateria empurra nova-
mente as lacunas e os eletrões livres em
direção à junção.
 Dessa vez, os eletrões livres têm energia sufici-
ente para passar pela camada de depleção e
recombinar com as lacunas.
 Polarização directa
2. Fluxo dos eletrões livres
 Se visualizarmos todas as lacunas na região P
movendo-se para a direita.
 E todos os eletrões livres movendo-se para a esquerda,
teremos a ideia básica da corrente eletrónica dentro do
semicondutor.
 Em algum lugar na vizinhança da junção, essas cargas se
recombinam.
 E como os eletrões livres entram continuamente no final
esquerdo do diodo.
 E as lacunas são geradas continuamente no lado
esquerdo, existe uma corrente contínua através do diodo.
 Polarização directa
3. Fluxo de um eletrão livre
 Vamos seguir um eletrão através do circuito completo,
ou seja desde da fonte passando pela junção PN e
regressando de novo à fonte.
 Após o eletrão livre deixar o terminal negativo da
bateria, ele entra pelo lado final direito do diodo.
 Ele viaja através da região N até alcançar a junção e
quando a tensão da bateria for maior do
que 0.7V, o eletrão livre é forçado a entrar na camada
de depleção.
 Uma vez nessa zona, o eletrão livre recombina-se com
uma lacuna, tornando-se num eletrão de valência.
 Polarização directa
3. Fluxo de um eletrão livre
 Como um eletrão de valência, ele continua a viagem para
o lado esquerdo, passando de
uma lacuna para a próxima até alcançar o lado final
esquerdo do diodo.
 Quando ele deixa o lado final esquerdo do diodo, uma
nova lacuna aparece e o processo é
reiniciado.
 Como existem bilhões de eletrões fazendo a mesma
jornada, obtemos uma corrente contínua através do diodo.
 Um resistor em série é usado para limitar o valor da
corrente direta.
 Polarização directa

3. Fluxo de um eletrão livre

 Convém lembrar que a corrente circula com
facilidade num diodo polarizado diretamente.
 Ou seja, assim que a tensão aplicada nos
terminais da junção PN for maior do que a
barreira de potencial, existirá uma corrente
alta no circuito.
 Em outras palavras, se a tensão da fonte for
maior do que 0.7V, num diodo de silício haverá
uma corrente contínua no sentido direto.
 Polarização inversa

1. Introdução
 Invertendo a fonte de tensão DC, obteremos o
circuito mostrado na figura 15.
 Desta vez, o terminal negativo da bateria está
conectado do lado P, e o terminal negativo da
bateria do lado N.
 Essa conexão produz o que é chamado de
polarização inversa da junção PN.
Figura 15 – Polarização inversa da
junção PN
 Polarização inversa

2. Aumento da largura da camada de depleção

 O terminal negativo da bateria atrai as lacunas, e
o terminal positivo da bateria atrai os eletrões
livres.
 Por isso, as lacunas e os eletrões livres afastam-
se da junção e desta forma, a camada de deple-
ção alarga-se cada vez mais até que se estabi-
liza (figura 16A).
 Quando as lacunas e os eletrões se afastam da
junção, os novos iões gerados aumentam a d.d.p.
através da camada de depleção.
Figura 16A – Aumento da camada de
depleção
 Polarização inversa

2. Aumento da largura da camada de depleção

 Quanto mais larga a camada de depleção,
maior é a diferença de potencial (d.d.p.).
 A camada de depleção pára de aumentar
quando sua d.d.p. iguala-se ao valor da tensão
reversa aplicada.
 Quando isso ocorre, eletrões e lacunas pàram
de se movimentar afastando-se da junção.
 Polarização inversa

2.   Aumento da largura da camada de depleção



 Algumas vezes a camada de depleção é

mostrada como uma região sombreada
(figura 16B).
 A largura dessa região sombreada é proporcio-
nal ao valor da tensão inversa. ()
 Com o aumento da tensão inversa, a camada
de depleção torna-se mais larga.
Figura 16B – Sentido do movimento dos portadores na
polarização inversa
 Polarização inversa

3. Corrente de portadores minoritários

 Mesmo depois de a camada de depleção ter-se
estabilizado, existe uma pequena corrente com
a polarização reversa.
 Lembre-se de que a energia térmica gera con-
tinuamente pares de eletrões livres e lacunas.
 Isso significa que existem alguns portadores
minoritários em ambos os lados da junção.
 Polarização inversa

3. Corrente de portadores minoritários

 Muitos deles se recombinam com os
portadores majoritários, mas aqueles que
estão dentro da camada de depleção podem
estar em número suficiente para conseguir
cruzar a junção.
 Quando isso acontece, circula uma pequena
corrente no circuito externo, como nos é
mostrado na figura 17.
Figura 17 – Produção de um eletrão euma lacuna pela energia
térmica
 Polarização inversa
3. Corrente de portadores minoritários
 Suponha que a energia térmica tenha gerado
um eletrão livre e uma lacuna próxima da junção.
 A camada de depleção empurra o eletrão livre para
a direita, forçando um outro eletrão a deixar o lado
final direito do cristal.
 A lacuna na camada de depleção é empurrada
para a esquerda.
 Esta lacuna adicional no lado P permite que outro
eletrão entre pelo lado final esquerdo do cristal e
“caia” numa lacuna mais próxima.
 Polarização inversa

3.   Corrente de portadores minoritários



 Como já se disse, a energia térmica produz

continuamente pares de eletrão-lacuna
dentro da camada de depleção.
 Isto significa que uma pequena corrente contí-
nua circula no circuito externo.
 A corrente reversa causada termicamente
pelos portadores minoritários é chamada de
corrente de saturação ().
 Polarização inversa

3. Corrente de portadores minoritários

 A palavra saturação significa que não
podemos ter uma corrente de portadores
minoritários maior do que a produzida pela
energia térmica.
 Em outras palavras, aumentar a tensão inversa
não aumentará o número de portadores
minori-tários gerados termicamente.
 Polarização inversa
  
4. Corrente de fuga na superfície
 Além da corrente de portadores minoritários
existe também uma pequena corrente que
circula pela superfície do cristal.
 Essa corrente é chamada de corrente de fuga
da superfície ().
 Essa corrente é originada pelas impurezas da
superfície e imperfeições na estrutura do cristal.
 Polarização inversa

4. Corrente de fuga na superfície

 A corrente inversa num diodo consiste numa
corrente de portadores minoritários e numa
corrente de fuga da superfície.
 Em muitas aplicações, a corrente inversa num
diodo de silício é tão pequena que nem mesmo
é notada.
 A principal ideia a lembrar é que a corrente é
aproximadamente zero num diodo de silício
polarizado inversamente.
FIM