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(Ensino secundário)
Transístor
es
JFET
Introdução
Como já se referiu, o transistor de junção
bipolar (BJT) baseia-se em dois tipos de cargas:
Eletrões livres (sinal elétrico negativo);
E lacunas (sinal elétrico positivo).
É por isso que ele é chamado de bipolar, onde o
prefixo bi significa “dois” e polar significa
“portadores maioritários”.
Introdução
Este capítulo estuda outro tipo de transistor
chamado de transistor de efeito de campo
(FET).
Este tipo de dispositivo é unipolar porque seu
funcionamento depende apenas de um tipo de
carga, podendo ser eletrões livres ou lacunas.
Em outras palavras, um FET tem portadores
maioritários, mas não tem portadores minoritá-
rios.
Introdução
Para a maioria das aplicações lineares, o BJT é
o dispositivo preferido.
Existe porém, algumas aplicações lineares em
que o FET é a melhor escolha.
Pois, esses transístores possuem alta
impedância de entrada e outras propriedades
que os tornam mais eficazes.
Introdução
Além do mais, o FET é o dispositivo preferido
para a maior parte das aplicações em chavea-
mento.
Isto porque não existindo portadores
minoritários num FET, ele pode entrar em corte
mais rápido.
Visto que neste caso, não há carga armazena-da
para ser retirada da área da junção.
Introdução
Existem dois tipos de transistores unipolares:
Os FET’s;
E os MOSFET’s.
Este capítulo estuda o transistor de efeito de
campo de junção (JFET) e suas aplicações.
Transístores JFET
1. Ideia básica
A figura 1A mostra uma pastilha de semicon-
dutor tipo N, onde:
O terminal inferior é chamado de fonte
(source);
E o terminal superior é chamado de dreno
(drain).
Figura 1A – Pastilha do JFET
Transístores JFET
1. Ideia básica
2. Efeito de campo
A figura 2 mostra-nos as tensões de
polarização normal para o funcionamento de
um JFET.
Onde a tensão de alimentação no dreno é
positiva e a tensão de polarização da porta é
negativa.
A expressão efeito de campo está
relacionada com as camadas de depleção em
torno de cada região P.
Transístores JFET
2. Efeito de campo
As camadas de depleção existem porque os
eletrões livres se difundem da região N para as
regiões P.
A recombinação dos eletrões livres e lacunas
criam as camadas de depleção mostradas
pelas áreas coloridas.
Figura 2 – Polarização normal de um
JFET
Transístores JFET
5. Símbolo esquemático
O JFET da figura 2 é um JFET canal N porque
o canal entre a fonte e o dreno é um semicon-
dutor tipo N, cujo símbolo esquemático é mos-
trado na figura 3A.
Em muitas aplicações de baixa frequência, a
fonte e o dreno são intercambiáveis.
Ou seja, podemos usar um terminal como
fonte e outro como dreno, mas não em altas
frequên-cias.
Figura 3A – Símbolo do JFET canal N
Transístores JFET
5. Símbolo esquemático
Os fabricantes, quase sempre, minimizam a ca-
pacitância interna do lado do dreno do JFET.
Em outras palavras, a capacitância entre a
porta e o dreno é menor que a capacitância
entre a porta e a fonte.
A figura 3B mostra um símbolo alternativo para
um JFET canal N, onde a porta deslocada
aponta para o final da fonte no dispositivo.
Figura 3B – Símbolo d JFET canal N com porta
deslocada
Transístores JFET
5. Símbolo esquemático
Esta estratégia, constitui uma vantagem definida
em circuitos complexos de multiestágios.
Existe também os transístores JFET’s canal P, cujo
símbolo esquemático é mostrado na figura 3C.
O funcionamento de um JFET canal P é comple-
mentar, isto é, todas as tensões e correntes são
invertidas.
Para polarizar um JFET canal P inversamente, a
porta fica positiva em relação à fonte, logo, torna-se
positivo.
Figura 3C – Símbolo de um JFET canal
P
Transístores JFET
Exercício exemplo
O JFET 2N5486 tem uma corrente de porta de
1nA quando a tensão inversa da porta é de
20V.
Qual é a resistência de entrada deste JFET?
Transístores JFET
Resolução
Aplicando a lei de Ohm, temos:
Curva característica do dreno
1. Introdução