DIODO DE POTENCIA

PRINCIPIOS BASICOS DE
FUNCIONAMIENTO
 CONTENIDO
• Características de los semiconductores de
potencia.
• Definición del Diodo de potencia.
• Características principales del diodo.
• Estudio del diodo:
– Características estáticas.
– Características dinámicas.
– Características de potencia.
• Conexiones de los diodos de potencia.
 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
• Los semiconductores utilizados en la
electrónica de potencia trabajan como llaves o
interruptores.

• Nuestro interés en ellos radica en conocer:

– Sus características de conducción.
– Sus características de conmutación.
– Los métodos de control sobre ellos.
 SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
• Simbología empleada para describir los
parámetros eléctricos de un semiconductor de
potencia
 DIODO DE POTENCIA
• Es el elemento rectificador de potencia más común.
• Características:
– Presenta dos estados bien diferenciados: corte y conducción.
– El paso de uno a otro no es instantáneo y en dispositivos en los
que el funcionamiento se realiza a  frecuencia, es muy
importante el tiempo de paso entre estados, puesto que éste
acotará las frecuencias de trabajo.

• Márgenes de funcionamiento:
– En conducción pueden soportar una corriente media de 3000A
llegando hasta tensiones inversas de 5000V.

• El Silicio, Si, es el elemento semiconductor más empleado.

 DIODO DE POTENCIA
• Características:
– En conducción es capaz de soportar 
intensidades con  caídas de tensión.
– En inverso soportan  tensiones negativas
entre ánodo y cátodo con  corriente de fugas.

• Inconvenientes:
– Dispositivo unidireccional.
– Único procedimiento de control: Inversión del
voltaje.
• Ecuación característica del diodo: V
VT
VT = k·T/q
i = IS·(e -1)
donde:

• Operación con polarización directa con VO > V >> VT, siendo VO la tensión
interna de equilibrio de la unión:
V
i  IS·e VT (dependencia exponencial)

• Operación con polarización directa con V > VO >> VT:

i  (V-VD)/rd donde VD es la tensión de codo del diodo y rd su

resistencia dinámica

• Polarización inversa con V << -VT

i  -IS (corriente inversa de saturación que es muy pequeña y casi

independiente de la tensión)
 • Curva característica (recta)

i [mA] pendiente = 1/rd

i 1
(exponencial)
+ P
ESTADO DE CONDUCCION:
POLARIZACION DIRECTA
V N

-
0
-1 1 V [V]
VD

i [A]
ESTADO DE BLOQUEO:
POLARIZACION INVERSA
0
-1 V [V]

-0,8
(constante)
 • Zona de Avalancha

- +
- +
P +
-- +
+- N
- +
i [A]
-40 V [Volt.]
La corriente aumenta fuertemente si se
producen pares electrón-hueco adicionales 0
por choque con la red cristalina de
electrones y huecos suficientemente
acelerados por el campo eléctrico de la zona
de transición -2
 DIODO IDEAL
En polarización directa, la caída de
tensión es nula, sea cual sea el valor de i
la corriente directa conducida
i
Ánodo
+
V curva característica

Cátodo
- V

En polarización inversa, la corriente conducida

es nula, sea cual sea el valor de la tensión
inversa aplicada
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de conducción:
DIODO IDEAL
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

DIODO REAL Vd rd
Ve

Ve RL VS Ve RL VS VS

V-Vd-r d·id
 CARACTERISTICAS ESTATICAS

Estado de conducción. Parámetros:

Intensidad media nominal (IFAV):
Es el valor medio de la máxima intensidad de impulsos
senoidales de 180º que el diodo puede soportar con la cápsula
mantenida a determinada temperatura (110 ºC normalmente).

Intensidad de pico repetitivo (IFRM):

Máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms por
tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a determinada
temperatura de la cápsula.

Intensidad de pico único (IFSM):

Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10
minutos o más, con duración de pico de 10ms.
CARACTERISTICAS ESTATICAS
• El fabricante suministra dos (y a veces tres) valores:
- Corriente eficaz máxima IF(RMS)
- Corriente directa máxima de pico repetitivo IFRM
- Corriente directa máxima de pico no repetitivo IFSM
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
La caída de tensión en conducción (obviamente) crece con la
ideal
corriente directa conducida. A corrientes altas crece linealmente.
rd
V

ID

V
VD
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
La caída de tensión en conducción crece con la máxima tensión
soportable por el diodo
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo:

Ve RL VS Ve RL VS

Ve

V
VS
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
Estado de bloqueo. Parámetros:
Tensión inversa de trabajo (VRWM):
Tensión inversa máxima que puede ser soportada por el diodo de
forma continuada sin peligro de avalancha.

Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM):

Tensión inversa máxima que puede ser soportada en picos de 1ms
repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.

Tensión inversa de pico único (VRSM):

Tensión inversa máxima que puede ser soportada por una sola vez
cada 10 min o más, con duración de pico de 10ms.

Tensión de ruptura (VR):

Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede destruirse o
al menos degradar sus características eléctricas.
 CARACTERISTICAS ESTATICAS
• El fabricante suministra (a veces) dos valores:
- Tensión inversa máxima de pico repetitivo VRRM
- Tensión inversa máxima de pico no repetitivo VRSM

La tensión máxima es crítica. Superarla suele ser determinante

del deterioro irreversible del componente
CORRIENTE INVERSA EN ESTADO DE BLOQUEO:
•Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensión inversa (poco) y Crece con IF(AV)
de la temperatura (mucho)
Crece con Tj
• Algunos ejemplos de diodos PN
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

IF(AV) = 5A, VRRM = 1200V

 MODELO ESTATICO DEL DIODO

• Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos

escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que
necesitemos.
• Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando
modelos más complejos para programas de simulación.
CARACTERISTICAS DINAMICAS
R
i
a b + Transición de “a” a “b”, es
V2 V decir, de conducción a
V1 bloqueo (apagado)
-
i
V1/R
t
Comportamiento ideal de un
diodo en conmutación
V t

-V2
 CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutación
R
i i
a b V1/R
+
V2 trr t
V1 V
-
Transición de “a” a “b”, es decir, de
ts
-V2/R tf (i= -0,1·V2/R)
conducción a bloqueo (apagado)
ts = tiempo de almacenamiento (storage
V
time )
t
tf = tiempo de caída (fall time )
trr = tiempo de recuperación inversa
(reverse recovery time )
-V2
 CARACTERISTICAS DINAMICAS
Tiempo de recuperación inverso:

Tiempo de recuperación
inverso (trr): Instante en que
el diodo permite la
conducción en el sentido
contrario al normal.

Los portadores minoritarios requieren un cierto tiempo para recombinarse con cargas
opuestas y neutralizarse
Tiempo de almacenamiento (ts) t =t +t
rr s f
Tiempo de caída (tf)
Carga eléctrica desplazada (Qrr):
tf
di/dt
IRR
SF 
ts
Factor de suavizado “SF”: Se define como:
CARACTERISTICAS DINAMICAS

Para el cálculo de los parámetros IRM y Qrr podemos suponer los

siguientes casos:
a ) t f  0  t s  t rr d
I RM  t s  id
dt
trr
b ) ts  tf  Qrr 
1
t rr  I RM
2 2
* 1er caso:
Q rr
t rr  2  I RM  2  Qrr  (diD dt
diD dt

* 2º caso: t rr  4 
Q rr I RM  Qrr  (diD dt )
diD dt
 CARACTERISTICAS DINAMICAS
Comportamiento real de un diodo en conmutación
R i
i 0,9·V1/R
a b +
V2 0,1·V1/R
V1 V
td
Transición de “b” a “a”, es decir, de- tr
bloqueo conducción (encendido) tfr
td = tiempo de retraso (delay time )
tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperación directa (forward recovery time )

El tiempo de recuperación directa genera menos

problemas reales que el de recuperación inversa
• Información suministrada por los
fabricantes
• Corresponde a conmutaciones
con cargas con comportamiento
inductivo

IF(AV) = 8A, VRRM = 200V

 CARACTERISTICAS DINAMICAS
VRRM IF trr

• Standard 100 V - 600 V 1 A – 50 A > 1 s

• Fast 100 V - 1000 V 1 A – 50 A 100 ns – 500 ns

• Ultra Fast 200 V - 800 V 1 A – 50 A 20 ns – 100 ns
• Schottky 15 V - 150 V 1 A – 150 A < 2 ns

La velocidad de conmutación (valorada con la trr) ayuda a clasificar los diodos

Las características de todos los semiconductores (por supuesto, también de los

diodos) se pueden encontrar en Internet (pdf)

www.irf.com
www.onsemi.com
Direcciones web
www.st.com
www.infineon.com
 CARACTERISTICAS DE POTENCIA
• Durante el ciclo de trabajo del diodo, éste
disipa potencia de dos tipos:
– Estáticas: es decir en sus estados de conducción y
bloqueo. Las pérdidas en estado de bloqueo son
despreciables frente a las de conducción.
– Dinámicas: durante el paso de conducción a
bloqueo y el paso de bloqueo a conducción. La
pérdida más apreciable se produce en la
conmutación de conducción a bloqueo.
 PERDIDAS ESTATICAS
Forma de onda frecuente
iD
iD

ideal

rd Potencia instantánea perdida en conducción:

VD pDcond (t) = vD (t)·iD (t) = (V + rd · iD(t)) · iD(t)

Potencia media en un periodo:

T


1
PDcond  pDcond (t )·dt  PDcond = VD·IM + rd · Ief2
T
0 IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)
 PERDIDAS EN CONMUTACION

10 A iD
• Las conmutaciones no son perfectas
trr • Hay instantes en los que conviven tensión
y corriente
• La mayor parte de las pérdidas se
t producen en la salida de conducción

3A
Potencia instantánea perdida en la
0,8 V VD salida de conducción:
t pDsc (t) = vD (t)·iD (t) =

Potencia media en un periodo:

trr


1
PD  p Dsc (t )·dt
T
-200 V 0
 PERDIDAS EN CONMUTACION
Cálculo de pérdidas: id Id

Las pérdidas de entrada en

Qrr=Irr·trr/2
conducción son muy
pequeñas ( trd << trr) y
suelen despreciarse! t
Irr

1 T
Pdis   v F (t)  i d (t)  dt VF
trr
T 0

Pdis = Qrr·VR·fS
t
fS: Frec. de conmutación. VR

Observar la dependencia de las (aproximación de la salida de

pérdidas con la frecuencia de conducción)
conmutación.
 TIPOS DE DIODOS
Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV: 1A – 6000 A

VRRM: 400 – 3600 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 10 s

Aplicaciones: - Rectificadores de Red.

- Baja frecuencia (50Hz).
 TIPOS DE DIODOS
Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast):

IFAV: 30A – 200 A

VRRM: 400 – 1500 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 0,1 - 10 s

Aplicaciones: - Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).

- Inversores.
- UPS.
- Accionamiento de motores CA.
 TIPOS DE DIODOS
Diodos Schotkky:

IFAV: 1A – 120 A

VRRM: 15 – 150 V

VFmax: 0,7V (a IFAVmax)

trr: 5 ns

Aplicaciones: - Fuentes conmutadas.

- Convertidores.
- Diodos de libre circulación.
- Cargadores de baterías.
 TIPOS DE DIODOS
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión):

IFAV: 0,45A – 2 A

VR: 7,5kV – 18kV

VRRM: 20V – 100V

trr: 150 ns

Aplicaciones: - Aplicaciones de alta tensión.

 TIPOS DE DIODOS
Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):

IFAV: 50A – 7000 A

VRRM: 400V – 2500V

VF: 2V

trr:10 s

Aplicaciones: - Aplicaciones de alta corriente.

 ENCAPSULADOS DE LOS DIODOS
Ánodo Rectificador
1500V
200V 168A
DO - 5 60A 1.8V

Cátodo
Encapsulado (roscado)
cerámico Schottky
600V/6000A 120A – 150V

Alta Tensión Fast

40.000V 1500V
0.45A 168A
32V (VF) 1.8V
32
ENCAPSULADOS DE LOS DIODOS
AXIALES

DO 35 DO 41 DO 15 DO 201
ENCAPSULADOS DE LOS DIODOS

DO 5
PARA GRANDES POTENCIAS

B 44
CATALOGO DE LOS FABRICANTES
CATALOGO DE LOS FABRICANTES