BAB III

ELEKTRONIKA DAYA
• Sistem elektronika daya adalah proses dan kontrol aliran daya
elektrik yang berupa catu daya, tegangan dan arus dalam bentuk
yang secara optimal sesuai dengan kebutuhan beban.
• Rangkaian elektronika daya adalah mengubah daya elektrik dari
bentuk ke bentuk lainnya dengan menggunakan komponen
elektronika. Rangkaian elektronika daya menggunakan komponen
semikonduktor daya sebagai saklar dengan cara mengontrol atau
memodifikasi tegangan dan arus.
1
 Power Electronic Systems

What is Power Electronics ?

A field of Electrical Engineering that deals with the application of

power semiconductor devices for the control and conversion of
electric power

sensors
Input
Source Power Electronics Load
- AC Converters
- DC Output
- unregulated - AC
- DC
POWER ELECTRONIC
CONVERTERS – the heart of
power a power electronics
Reference Controller system
 Power Electronic Systems

Why Power Electronics ?

Power semiconductor devices Power switches

isw

ON or OFF
+ vsw −
=0

isw = 0
Ploss = vsw× isw = 0
+ vsw −
Losses ideally ZERO !
 Power Electronic Systems

Why Power Electronics ?

Power semiconductor devices Power switches

K K K
- - -
G G
Vak Vak Vak

+ + +
ia ia ia
A A A

DIODE THYRISTOR Gate Turn Off

Thyristor (GTO}
 Power Electronic Systems

Why Power Electronics ?

Power semiconductor devices Power switches

D
C
iD
+ ic
+
VDS G
G
VCE
-
-
S

E
MOSFET
Bipolar Junction Transistir (BJT)
 Power Electronic Systems

Why Power Electronics ?

Passive elements High frequency

transformer
+ VL -

iL
+ +
Inductor
V1 V2

+ VC - - -

iC

Capacitor
 Power Electronic Systems

Why Power Electronics ?

sensors
Input
Source Power Electronics IDEALLY LOSSLESS
Load !
- AC Converters
- DC Output
- unregulated - AC
- DC

Reference Controller
 Power Electronic Systems

Why Power Electronics ?

Other factors:
• Improvements in power semiconductors fabrication
• Power Integrated Module (PIM), Intelligent Power
Modules (IPM)

• Decline cost in power semiconductor

• Advancement in semiconductor fabrication

• ASICs • FPGA • DSPs
• Faster and cheaper to implement complex
algorithm
 Power Electronic Systems

Some Applications of Power Electronics :

Typically used in systems requiring efficient control and conversion of electric
energy:
Domestic and Commercial Applications
Industrial Applications
Telecommunications
Transportation
Generation, Transmission and Distribution of electrical energy

Power rating of < 1 W (portable equipment)

Tens or hundreds Watts (Power supplies for computers /office equipment)
kW to MW : drives
Hundreds of MW in DC transmission system (HVDC)
 Modern Electrical Drive Systems

• About 50% of electrical energy used for drives

• Can be either used for fixed speed or variable speed

• 75% - constant speed, 25% variable speed (expanding)

• Variable speed drives typically used PEC to supply the motors

DC motors (brushed) AC motors

SRM - IM
BLDC - PMSM
 Modern Electrical Drive Systems

Classic Electrical Drive for Variable Speed Application :

• Bulky
• Inefficient
• inflexible
 Modern Electrical Drive Systems

Typical Modern Electric Drive Systems

Power Electronic Converters Electric Motor

Electric Energy Electric Energy Electric Mechanical
- Unregulated - - Regulated - Energy Energy

POWER IN Power
Moto Load
Electronic r
Converters

feedback

Reference
Controller
 Modern Electrical Drive Systems
Example on VSD application

Constant speed Variable Speed Drives

valve

Supply
motor pump

Power out

Power
In

Power loss
Mainly in valve
 Modern Electrical Drive Systems
Example on VSD application

Constant speed Variable Speed Drives

valve

Supply Supply
motor pump motor
PEC pump

Power out
Power out
Power
Power
In
In

Power loss
Power loss
Mainly in valve
 Modern Electrical Drive Systems
Example on VSD application

Constant speed Variable Speed Drives

valve

Supply Supply
motor pump motor
PEC pump

Power out
Power out
Power
Power
In
In

Power loss
Power loss
Mainly in valve
 Modern Electrical Drive Systems
Example on VSD application

Electric motor consumes more than half of electrical energy in the US

Fixed speed Variable speed

Improvements in energy utilization in electric motors give large impact to

the overall energy consumption

HOW ?
Replacing fixed speed drives with variable speed drives
Using the high efficiency motors

Improves the existing power converter–based drive systems

 Modern Electrical Drive Systems

Overview of AC and DC drives

DC drives: Electrical drives that use DC motors as the prime mover

Regular maintenance, heavy, expensive, speed limit
Easy control, decouple control of torque and flux

AC drives: Electrical drives that use AC motors as the prime mover

Less maintenance, light, less expensive, high speed

Coupling between torque and flux – variable spatial angle

between rotor and stator flux
 Modern Electrical Drive Systems

Overview of AC and DC drives

Before semiconductor devices were introduced (<1950)

• AC motors for fixed speed applications
• DC motors for variable speed applications

After semiconductor devices were introduced (1960s)

• Variable frequency sources available – AC motors in variable speed
applications
• Coupling between flux and torque control
• Application limited to medium performance applications – fans,
blowers, compressors – scalar control

• High performance applications dominated by DC motors – tractions,

elevators, servos, etc
 Modern Electrical Drive Systems

Overview of AC and DC drives

After vector control drives were introduced (1980s)

• AC motors used in high performance applications – elevators, tractions,
servos
• AC motors favorable than DC motors – however control is complex hence
expensive
• Cost of microprocessor/semiconductors decreasing –predicted 30 years
ago AC motors would take over DC motors
 Modern Electrical Drive Systems

Overview of AC and DC drives

Extracted from Boldea & Nasar

CONTOH : KONSEP KONSERVASI

• Catu daya dari PLN ; 50 Hz, 220 Volt RMS (puncak 311
Volt)

• PLN memberikan catu daya gelombang sinus, dimana

komponen dc-nya nol.
• Bila konsumen menginginkan tegangan dc (misalnya untuk
pengelasan). 21
• Kita dapat menggunakan
penyearah setengah
gelombang sederhana,
sehingga diperoleh tegangan
dc yang tetap, hal tersebut
adalah merupakan sistem
elektronika daya yang
sederhana
• Tegangan keluaran rata-rata
adalah
22
• Bagaimana bila
konsumen menginginkan
tegangan dc yang
variabel ?
• Maka diperlukan
rangkaian yang lebih
kompleks, yaitu
menggunakan SCR.
• Tegangan keluaran rata-
rata adalah

23
• Dengan mengatur sudut penyalaan α , tegangan keluaran dc dapat diatur.
• Terlihat jelas bahwa hal tersebut memerlukan sistem elektronika yang lebih
rumit untuk menentukan pulsa-pulsa arus penyala SCR.

24
KONVERTER ELEKTRONIKA DAYA

• Berdasarkan hubungan antara masukan dan keluaran,

konverter diklasifikasikan menjadi:
• AC to DC Converter : Penyearah

Konverter ac ke dc menghasilkan keluaran dc dari masukan ac,

daya rata-rata dipindahkan dari sumber ac kebeban dc.
25
• DC to DC Converter (Chopper) :
Konverter dc ke dc manghasilkan
keluaran dc yang variabel

• DC to AC Converter (Inverter) :
Pada inverter, daya rata-rata
mengalir dari sisi dc ke sisi ac.

• AC to AC Converter (Cycloconverter)
:
Konverter ac ke ac dapat
digunakan untuk mengubah besaran
dan atau frekuensi dari masukan ac

26
CONTOH APLIKASI : KONVERTER STATIS

• DC to DC
Converter

• Switch Mode
Power Supply
(SMPS)
27
CONTOH APLIKASI : SISTEM PENGENDALI
KECEPATAN MOTOR

28
DIVAIS SEMIKONDUKTOR DAYA
(POWER SWITCHES)
• Power switches adalah merupakan tulang punggung dari sistem elektronika
daya.
• Power electronics switches bekerja hanya dalam dua kondisi:
• Konduksi penuh (Fully ON - conducting)
• Padam (Fully OOF - blocking)
• Dapat dikategorikan menjadi tiga group :
• Diode : kondisi ON dan OFF dikendalikan hanya dengan rangkaian daya.

29
DIVAIS SEMIKONDUKTOR DAYA
(POWER SWITCHES)

• Thyristor (SCR) : kondisi ON dengan menggunakan sinyal kontrol daya rendah, akan
tetapi untuk memadamkannya menggunakan rangkaian daya. Tidak dapat dipadamkan
dengan sinyal kontrol.

• Controllable switches : dapat dinyalakan dan dipadamkan melalui sinyal kontrol

dengan daya rendah (BJT, MOSFET, IGBT, GTO)

30
DIODE DAYA (POWER DIODE )
• Ketika diode mendapatkan bias maju (forward biased),
maka diode akan konduksi dengan tegangan maju yang
kecil (Vf) yang terdapat pada diode (0,2 - 3) Volt.

31
DIODE DAYA (POWER DIODE )

• Ketika diode mendapatkan bias balik (reverse biased), diode dalam kondisi
padam dan dengan mengabaikan arus bocor yang kecil (orde mikro ampere
hingga mA) yang mengalir hingga reverse breakdown terjadi.
• Diode seharusnya tidak boleh dioperasikan pada kondisi tegangan balik
lebih tinggi dari Vr

32
• Karakteristik Pemulihan Balik (Reverse Rocovery
Characteristic)

33
• Ketika terjadi perubahan (switched) secara
mendadak/cepat dari kondisi bias maju ke kondisi bias
balik, maka diode akan kontinyu konduksi karena pembawa
minoritas (minority carriers) yang tersimpan pada
sambungan p-n dan material semikonduktornya.

• Pembawa minoritas memerlukan waktu yang cukup untuk

menyusun ulang pengisiannya. Waktu ini disebut dengan
reverse recovery time dari diode (trr biasanya kurang dari 1
mikrodetik).

34
• Pengaruh dari reverse recovery adalah menaikkan rugi-
rugi pensaklaran (switching), menaikkan rating tegangan,
terjadinya tegangan lebih (spike) pada beban-beban
induktif.

• Gambar diatas menunjukkan karakteriktik pemulihan

balik (reverse recovery) dari sambungan p-n sebuah
diode. Reverse recovery time diukur dari perpotongan
awal titik nol arus diode hingga 25% arus puncak balik
IRR.

• trr terdiri dari dua komponen ta dan tb, dimana ta adalah

waktu perpotongan titik nol dengan arus balik puncak
(karena adanya pengisian komponen penyimpan pada
daerah defleksi sambungan) dan tb karena pengisian
komponen penyimpan dalam material semikonduktor.
35
• Perbandingan antara ta dan tb (ta/tb) dikenal sebagai
Softness Factor (SR), untuk SR=1 (pemulihan lunak – soft
recovery) dan SR<<1 (pemulihan kasar - abrupt recovery).

• Total waktu pemulihan trr adalah : t rr  t a  t b

• Arus balik puncak dapat dinyatakan :

di
I RR  ta
dt
36
TIPE DIODE

Ditinjau dari karakteristik pemulihan dan teknik pembuatannya,

diode daya diklasifikasikan menjadi 3 kategori :

• Diode standar atau general purpose.

• Tegangan konduksinya sangat rendah
(dibawah 1 V)
• trr tinggi (tipikal 25 mikrodetik)

37
TIPE DIODE

• Umumnya digunakan pada aplikasi kecepatan rendah (mis.

: diode penyearah dan konverter dengan frekuensi masukan
rendah hingga 1 kHz dan konverter-konverter komutasi
jala-jala).

• Daya hantar arus sangat tinggi (diatas 5 kA) dan rating

tegangan (hingga 5 kV).
38
TIPE DIODE
• Fast recovery Diode
• trr rendah (tipikal 1 mikrodetik)
• Rating tegangan ratusan volt dan rating arus ratusan ampere.
• Umumnya digunakan pada rangkaian dengan frekuensi tinggi.

• Schottky Diode
• Drop tegangan maju sangat rendah (tipikal 0,3 V)
• Tegangan blocking terbatas (50 - 100) Volt
• Digunakan pada aplikasi tegangan rendah, aplikasi arus tinggi seperti
pada SMPS.

39
THYRISTOR (SCR)
• Thyristor hanya dapat dinyalakan pada dua kondisi:
• Divais pada kondisi terbias maju (yaitu Vak positif)
• Arus gate (Ig) positif diberikan pada gate

40
THYRISTOR (SCR)

• Pada kondisi ON arus anode harus lebih besar dari

suatu nilai yang disebut dengan latching current, jika
tidak maka divais akan kembali kekondisi blocking
ketika tegangan anode-katode berkurang.

41
THYRISTOR (SCR)

• Latching current (IL) adalah arus anode minimum yang diperlukan agar dapat
membuat thyristor tetap konduksi meskipun sinyal gate dihilangkan.

• Holding current (IH) adalah arus anode minimum untuk membuat thyristor ON
(IL>IH)

42
MEKANISME PENYALAAN DAN PEMADAMAN
(TURNING ON-OFF MECHANISM)

• Pada mode terbias-balik, SCR berperilaku seperti diode. Akan

mengalirkan arus bocor yang kecil yang tergantung pada
tegangan, tetapi akan naik dengan kenaikan temperatur.

43
MEKANISME PENYALAAN DAN PEMADAMAN
(TURNING ON-OFF MECHANISM)

• Ketika tegangan balik puncak tercapai, maka akan terjadi avalance

breakdown dan arus yang besar akan mengalir.

• Pada mode terbias-balik, dengan tidak adanya arus gate (yaitu pada
kondisi tidak di-trigger) divais akan mengalirkan arus bocor.

44
MEKANISME PENYALAAN DAN PEMADAMAN
(TURNING ON-OFF MECHANISM)
• Bila tegangan maju breakdown (Vbo) tercapai, maka
SCR akan ter-trigger dengan sendirinya ("selft
triggered”), dan tegangan jatuh konduksi sekitar (1,5 -
3 V tipikal). Adanya arus gate akan mengurangi
tegangan maju breakdown

• Thyristor tidak dapat dipadamkan dengan

memberikan arus gate negatif. Thyristor hanya bisa
dipadamkan jika Ia menuju negatif (reverse). Hal ini
terjadi karena bagian negatif dari gelombang sinus
terjadi (natural-commutation)
45
 MEKANISME PENYALAAN DAN PEMADAMAN
(TURNING ON-OFF MECHANISM)

• Metode lain untuk memadamkan yang dikenal sebagai "force-commutation",

arus anode dialihkan kerangkaian yang lain.

46
TIPE THYRISTOR

• Fasa terkontrol (phase controlled)

• Penyearahan tegangan dan arus pada frekuensi jala-jala yang digunakan untuk
penggerak motor dc.
• Kemampuan tegangan tinggi (hingga 7 kV) dan arus tinggi (hingga 4 kA)
• Tegangan jatuh ON-state rendah (1,5 - 3) V.
• Inverter grade
• Digunakan pada pada inverter dan chopper
• Sangat cepat, dapat dinyalakan dengan menggunakan metode "force commutation''

47
TIPE THYRISTOR
• Penyalaan dengan cahaya (light activated - LASCR)
• Seperti pada fasa terkontrol, divais ini dinyalakan dengan memberikan
radiasi cahaya langsung ke wafer silicon.
• Pada umumnya rating dayanya sangat tinggi (contoh : transmisi
tegangan tinggi dc - HVDC dan kompensasi daya reaktif statis atau
reaktif volt ampere - VAR)

48
TRIAC

49
TRIAC

• Thyristor dengan polaritas ganda yaitu merupakan divais yang

mempunyai sifat konduksi dua arah (bi-directional), olehkarena nya
divais ini digunakan untuk pengaturan tegangan bolak-balik.
• Adalah merupakan ekivalensi dari dua buah SCR yang
dihubungkan antiparalel.
• TRIAC akan lebih sensitive bila dioperasikan pada kuadran satu
(tegangan MT2 positif, gate positif) dan kuadran tiga (tegangan
MT2 negatif, gate negatif).

50
CONTROLLABLE SWITCH
(POWER TRANSISTORS)
• Dapat dinyalakan (ON) dan dipadamkan (OFF) dengan sinyal kontrol yang
relatif sangat rendah.
• Dioperasikan pada mode saturasi dan cut-off saja. Tidak dioperasikan pada
daerah linier karena rugi-ruginya besar.
• Secara umum transistor tidak bekerja pada latched mode.
• Divais tradisional : Bipolar Junction Transistor (BJT), Metal Oxide Silicon Field
Effect Transistor (MOSFET), Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), Gate
turn-off Thyristor (GTO).
• Divais modern : Gate Controlled Thyristor (GCT).

51
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)

52
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR (BJT)
• Transistor digunakan sebagai elemen saklar, sehingga
dioperasikan dalam daerah saturasi. Jatuh tegangan pada kondisi
ON rendah (VCE-sat = 2-3 V).
• Kecepatan pensaklaran (switching) lebih tinggi dari pada thyristor
(hingga 5 kHz), sering digunakan pada konverter dc-dc dan
konverter dc-ac.
• Dengan memasangkan sebuah diode anti parallel, transistor
dapat menghasilkan arus dua arah (bidirectional).
• Level tegangan dan arusnya lebih rendah dibandingkan dengan
thyristor (VCE<1000V), Ic<400A), sehingga banyak diaplikasikan
pada aplikasi daya rendah dan menengah.
53
KARAKTERISTIK BJT

• Untuk menyalakan dan

memadamkan divais yaitu
dengan menghubungkan
terminal basis dan emitor
dengan rangkaian driver.
• Untuk menyalakannya
dengan mengijeksikan arus
pada terminal basis
sehingga arus mengalir dari Common-Emitor NPN BJT

kolektor ke emitor. IE = IC + IB

54
KARAKTERISTIK BJT

• Untuk memadamkan
dengan menghilangkan
arus basis.
• Penguatan arus (β)
rendah jika dioperasikan
pada daerah saturasi
(umumnya <10)

Karakteristik masukan

55
KARAKTERISTIK BJT

• Kurva IC sebagai f(VCE, IB)

• Daerah Cutoff (off)
• BE dan BC reverse
biased
• Daerah aktif
• BE Forward biased
• BC Reverse biased
• Daerah Saturasi (on)
• BE dan BC forward Karakteristik keluaran
biased 56
KARAKTERISTIK BJT

• Arus basis adalah arus

masukan dan arus kolektor
adalah arus keluaran.
• Perbandingan antara arus
kolektor dengan arus basis
dikenal sebagai penguatan
arus  F
IC
 F  hFE 
IB 57
KARAKTERISTIK BJT

• Untuk memperoleh penguatan arus (β) yang tinggi, maka

digunakan hubungan Darlington.

58
KARAKTERISTIK BJT

59
METAL OXIDE SILICON FIELD EFFECT TRANSISTOR
(MOSFET)
• Bipolar Jucntion Transistor adalah
merupakan komponen yang
dikendalikan oleh arus basis dan
penguatan arusnya sangat
bergantung pada temperatur
junction.
• MOSFET merupakan komponen yang
dikendalikan oleh tegangan dan
memerlukan arus masukan yang kecil.
Rating tegangan Vdc < 500 V dan
arus Idc < 300 A.
• MOSFET mempunyai frekuensi
switching sangat tinggi (> 100 kHZ)
bahkan untuk divais daya rendah
(ratusan watt) dapat mencapai orde
MHz dan orde waktu switching sekitar
nanodetik.
60
KARAKTERISTIK MOSFET
• Penyalaan dan pemadamannya sangat sederhana. Hanya
memerlukan VGS = +15 V untuk penyalaan dan VGS = +0 V
untuk pemadaman. Rangkaian driver gate-nya sederhana.
• Pada dasarnya adalah merupakan divais tegangan rendah.
Tersedia juga divais tegangan tinggi (hingga 600V), tetapi
dengan arus terbatas. Untuk memperoleh kemampuan arus
tinggi dapat diparalel dengan mudah.
• Resistansi internal antara Drain(D) dan Source(S) pada kondisi
ON (RDS(on)) akan membatasi kemampuan daya MOSFET. Rugi-
rugi tinggi pada divais tegangan tinggi karena RDS(on) lebih
besar.
• MOSFET lebih dominan dalam aplikasi frekuensi tinggi (>100
kHZ). Banyak digunakan pada Swicthed-Mode Power Supplies
(SMPS).

61
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
(IGBT)

• Adalah merupakan kombinasi keuntungan-keuntungan pada BJT

dan MOSFET, yaitu :
• Karakteristik gate-nya sama dengan MOSFET, mudah dalam
pemadaman dan penyalaan.
• IGBT memiliki impedansi masukan yang tinggi seperti MOSFET dan
rugi-rugi konduksi yang rendah seperti BJT (2 - 3 V).
62
 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
(IGBT)
• Rating tegangan dan arus yang tersedia hingga kini (VCE < 3,3kV,
Ic < l,2kA). Bahkan dalam perkembangannya sudah mencapai
4,2/1,2 kA.
• Kemampuan switching-nya bagus (hingga 100 kHZ) pada divais
yang baru. Aplikasi tipikal IGBT digunakan pada range 20 - 50
kHz.
• Pada aplikasi divais daya tinggi, frekuensi switching terbatas
hingga beberapa kHz.
• Operasi tanpa rangkaian snubber dimungkinkan, bahkan pada
IGBT yang baru sudah tidak memerlukan lagi snubber.
63
GATE TURN-OFF THYRISTOR (GTO)
• Seperti normalnya sebuah
thyristor, dapat dinyalakan
dengan memberikan sinyal
gate positif, tetapi GTO
dapat dipadamkan dengan
memberikan sinyal gate
negatif. GTO mempunyai
lacthing current yang lebih
tinggi dari thyristor,
sehingga pulsa gate GTO
akan lebih panjang.

64
GATE TURN-OFF THYRISTOR (GTO)
• Akan tetapi untuk pemadamannya memerlukan arus gate balik yang lebar
pulsanya lebih pendek tetapi magnitute pulsa umumnya seperlima dari arus
anoda.
• Tegangan jatuh pada saat konduksi relatif lebih besar dibandingkan dengan
SCR (untuk GTO 550A, 1200V besarnya sekitar 3,4V).
• Dalam perkembangannya rating tegangan Vak<5kV dan arus Ia<5kA serta
frekuensi <5kHz.
• Pada umumnya GTO memerlukan rangkaian snubber, dan rangkaian snubber
daya tinggi cukup mahal.
• Untuk GTO dengan daya yang sangat tinggi (>5kV, >5kA) diperlukan
pengembangan rangkaian gate-controlled thyristor (GCT) yang lebih
kompleks.
65
RANGKAIAN DRIVER (BASIS ATAU GATE)
• Interface (antar-muka) antara
rangkaian kontrol (elektronika
daya kecil) dan saklar
elektronik (daya tinggi),
berfungsi untuk :
• Penguat sinyal kontrol ke nilai
yang diinginkan untuk
mengendalikan saklar
elektronika daya (power switch).
• Memberikan isolasi elektris
antara rangkaian daya (power
switch) dengan rangkaian kontrol

66
CONTOH-CONTOH RANGAKAIN DRIVER
• MOSFET membutuhkan VGS = +15
V untuk penyalaan dan 0 V untuk
pemadaman. LM311 adalah
sebuah amplifier sederhana
dengan keluaran open collector
Qx .

• Ketika B1 tinggi Q1 konduksi,

sehingga VGS tertarik ke ground
dan MOSFET akan padam.

• Ketikan B1 rendah Q1 akan

padam, sehingga VGS tertarik ke
VGG. Jika VGG di-set pada
tegangan +15V, maka MOSFET
akan konduksi. 67
RANGAKAIAN DRIVER GATE THYRISTOR
• Transformator pulsa
digunakan sebagai isolasi. R1
digunakan untuk membatasi
arus gate.
• Pada umumnya lebar pulsa
10µs dengan amplitude 50
mA cukup untuk menyalakan
thyristor.
• Tetapi tidak mungkin
memadamkan thyristor
dengan rangkaian tersebut.

68
UNIJUNTION TRANSISTOR ( UJT )

• Unijuntion Transistor (UJT) banyak

digunakan dalam pembangkitan
sinyal trigger SCR
• UJT mempunyai tiga terminal, yaitu
emitor (E), basis-satu (B1) dan basis-
dua (B2)
• Antara B1 dan B2 terdapat
karakteristik resistansi, yaitu resistansi
antar basis RBB yang nilainya
berkisar (4,7 hingga 9,1) k
• Jika pada rangkaian tersebut
diberikan tegangan Vs, maka
kapasitor C terisi muatan melalui
resistor R dengan konstante waktu
pengisian 1 = RC
• Ketika tegangan emitor VE
(tegangan kapasitor vC), mencapai
tegangan puncak Vp, maka
kapasitor C membuang muatan
melalui RB1 dengan konstante waktu
2 = RB1C, dimana 2 jauh lebih kecil
dari 1.
• Ketika tegangan emitor VE
mencapai titik lembah VV, UJT akan
padam. Kemudian proses pengisian
berulang kembali.
• Bentuk gelombang tegangan trigger
VB1 identik dengan arus pebuangan
kapasitor C, dan tegangan ini harus
mampu menyalakan SCR
• Periode osilasi tergantung pada
tegangan catu dc VS, yang
diberikan oleh hubungan :
• Periode osilasi tergantung pada tegangan catu dc VS, yang
diberikan oleh hubungan :

1 1
T   RC ln
f 1 -
dimana  = intrisic stand-off ratio (0,51 hingga 0,82)

• Nilai resistor R dibatasi antara 3 k hingga 3 M. Jika garis

beban berada disebelah kanan titik puncak, maka UJT tidak
dapat konduksi. Kondisi ini dapat dipenuhi jika Vs – IpR > Vp,
maka :
Vs - V p
R
Iv
• Pada titik lembah IE = Iv dan VE = Vv yaitu kondisi batas terendah pada R,
untuk menjamin padam adalah Vs – IvR < Vv, maka :
Vs - Vv
R
Iv

• Nilai yang direkomendasikan dari tegangan catu Vs antara 10 hingga 35

V. Pada nilai  yang tetap, tegangan puncak Vp bervariasi diantara
tegangan antar dua basis VBB, tegangan Vp diberikan oleh :

V p  VBB  VD ( 0.5V )  Vs  VD ( 0.5V )

• Dimana VD adalah drop tegangan pada diode

• Lebar pulsa trigger tg adalah

t g  RB1C
• Secara umum RB1 dibatasi nilainya di bawah 100
(walaupun dimungkinkan pada beberapa aplikasi nilainya
berkisar 2 atau 3 k)

• Resistor RB2 pada umumnya terhubung seri dengan basis-

dua adalah untuk mengkom-pensasi penurunan Vp akibat
kenaikan temperatur dan untuk mengamankan UJT dari
kemungkinan kenaikan temperatur.
• Resistansi RB2 mempunyai nilai 100 atau lebih besar
dan dapat ditentukan nilainya dari:

10 4
RB 2 
Vs
• Soal:
Rencanakan sebuah rangkaian trigger seperti pada
gambar. Parameter UJT adalah Vs= 30V,=0.51,
Ip=10µA, Vp=3.5V dan Iv=10mA. Frekuensi osilasi
f=60Hz, dan lebar pulsa trigger tg=50µs. Asumsi
VD=0.5V, kapasitor C=0.5µF.
Hitunglah nilai-nilai batas R, nilai RB1, dan nilai RB2
PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR (PUT)

• Programmable Unijunction Transistor (PUT) adalah thyristor kecil

seperti yang ditunjukkan pada gambar a, dan sebuah PUT yang
digunakan sebagai osilator relaksasi yang ditunjukkan pada gambar
b.
PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR (PUT)

• Tegangan gate VG dipertahankan oleh pembangi tegangan

resistor R1 dan R2, dan menentukan nilai tegangan puncak Vp
• Pada UJT tegangan puncak tetap, tetapi pada PUT tegangan Vp
dapat diatur dengan mengatur resistor pebangi tegangan R1 dan
R2.

76
• Bila tegangan anoda VA lebih kecil dari tegangan gate VG,
divais masih padam, jika VA melebihi tegangan gate (tegangan
puncak PUT tercapai) maka divais konduksi.
• Arus puncak Ip dan titik arus lembah tergantung pada
impedansi ekivalen gate RG = R1R2/(R1+R2) dan tegangan catu
Vs. Secara umum Rk dibatasi pada nilai dibawah 100 .
• Vp diperoleh dari R1
Vp  Vs
R1  R2
• Sehingga intrinsic of ratio adalah
VpR1
 
Vs R1  R2
• Periode osilasi T adalah
1 Vs R1
T   RC ln  RC ln( 1 - )
f Vs - V p R2
• Arus gate IG pada titik lembah adalah

Vs
I G  (1 -  )
RG
• dimana RG = R1R2/(R1+R2), R1 dan R2 dapat diperoleh dari
RG RG
R1  dan R2 
 1 -
• Soal :
Rancanglah rangkaian trigger seperti pada gambar. Dengan
parameter PUT adalah VS = 30V dan IG = 1 mA, Frekuensi
osilasi f = 60 Hz. Lebar pulsa tG = 50 µs, dan tegangan puncak
trigger VRk = 10V
• Arus holding thyristor yang digunakan sebagai konverter
gelombang penuh satu fasa adalah IH = 500 mA dan delay
time td = 1,5 µs. Konverter tersebut dicatu dari sumber 120 V,
60 Hz dan mempunyai sebuah beban L = 10 mH dan R = 10 
terhubung seri. Konverter tersebut dioperasikan dengan sudut
penyalaan  = 30 derajat. Hitunglah nilai lebar pulsa minimum,
tG.
• Solusi :
Nilai sesaat tegangan masukan

vs (t )  Vm sin t

Pada t = 


V1  vs (t   )  2 120  sin  84,85 V
6
Laju kenaikan arus anode di/dt adalah

di V1 84,85 A
  -3
 8485
dt L 10 10 s
• Jika di/dt konstan untuk waktu yang singkat setelah pulsa
penyalaan, maka waktu yang diperlukan t1 dari arus anoda
untuk naik ke level arus holding dapat dihitung dari

t1  di / dt   I H
• Maka lebar 0,5
pulsa gate minimum adalah
t1  8485  0,5 maka t1   58,93s
8485

tG t 1t d  58,93  1,5  60,43s

ISOLASI ELEKTRIS UNTUK DRIVER
• Isolasi elektris ini diperlukan untuk
mencegah bahaya dari pensaklaran
(switching) komponen semikonduktor
daya (high power switch) terhadap
propagasi balik ke rangkaian
kontrol elektronik.
• Pada umumnya opto-coupler atau
material magnetic frekuensi tinggi
banyak digunakan sebagai isolasi.
• Banyak rangkaian driver dan
isolasinya sudah menjadi satu chip,
misalnya TLP 250 dari Toshiba, HP
3150 dari Hewlett-Packard
menggunakan opto-coupling
isolation.

83
RUGI-RUGI PADA SAKLAR SEMIKONDUKTOR DAYA
(POWER SWITCH LOSSES)

• Adalah penting untuk mempertimbangkan rugi-rugi pada power

switch:
• Untuk meyakikan bahwa sistem beroperasi secara handal
dalam segala kondisi lingkungan sekitar.
• Sehingga dengan menghilangkan sistem pendingin pada divais
(heatsink, radiators, coolant) dapat meminimasi biaya dan
ukuran.
• Rugi-rugi pada power switch akan berpengaruh pada efisiensi
sistem.
84
RUGI-RUGI PADA SAKLAR SEMIKONDUKTOR DAYA
(POWER SWITCH LOSSES)

• Bila power switch tidak didinginkan, maka kemampuan divais pada

daya penuh tidak dapat terealisir dan dereting.
• Rugi-rugi utama yang akan terjadi pada power switch adalah :
• Rugi-rugi konduksi (forward conduction losses)
• Rugi-rugi pada kondisi padam (blocking state losses).
• Rugi-rugi pensaklaran (switching losses).
85
 RUGI-RUGI KONDUKSI
(FORWARD CONDUCTION LOSSES)
• Pada saklar ideal mempunyai jatuh
tegangan pada saat konduksi nol
(Von=0). Walaupun arus maju yang
mengalir besar tetapi rugi-rugi
saklar nol.
• Akan tetapi pada saklar yang tidak
ideal (BJT, IGBT, GTO, SCR dan
GCT) mempunyai jatuh tegangan
pada saat konduksi antara 1-3 Volt.
MOSFET mempunyai jatuh tegangan
konduksi tergantung pada nilai
RDS(ON)

86
 RUGI-RUGI KONDUKSI DAN PADAM
(FORWARD CONDUCTION AND BLOCKING STATE LOSSES)

• Rugi-rugi diukur dengan hasil perkalian antara tegangan jatuh pada divais
(Von) dengan arus konduksi, Ion, rata-rata dalam seluruh periode.
• Selama periode padam, saklar akan memblok tegangan yang besar.
Idealnya seharusnya tidak ada arus yang mengalir pada saklar. Akan tetapi
pada power semiconductor switch yang sebenarnya akan mengalir arus bocor
yang kecil. Hal ini akan mengakibatkan rugi-rugi kondisi konduksi dan
padam.
• Arus bocor selama periode padam biasanya kecil, sehingga biasanya rugi-
rugi pada kondisi padam diabaikan.

87
RUGI-RUGI PENSAKLARAN
(SWITCHING LOSSES)
• Selama proses penyalaan dan
pemadaman, saklar ideal
mempunyai waktu transisi (transition
time) nol. Proses pensaklaran
tegangan dan arus dapat
berlangsung dengan cepat.
• Pada real switch, karena tidak
idealnya power switch maka profil
dari pensaklaran ditunjukkan seperti
pada gambar.
• Rugi-rugi pensaklaran terjadi
secara simultan perubahan
tegangan dan arus selama periode
pensaklaran.
• Perkalian antara arus dan tegangan
dari divais akan memberikan daya
sesaat yang didisipasikan pada
divais.
88
 RUGI-RUGI PENSAKLARAN
(SWITCHING LOSSES)

• Energi panas yang dihasilkan selama periode pensaklaran adalah

integrasi dari daya sesaat seluruh waktu seperti yang ditunjukkan
dengan luasan yang diarsir pada kurve daya.
• Rugi daya rata-rata adalah jumlah energi penyalaan dan
pemadaman dikalikan dengan frekuensi pensaklaran.
• Bila frekuensi pensaklaran naik, rugi-rugi pensaklaran juga naik.
Batasan ini merupakan rentang (range) dari power switch tanpa
menggunakan pendingin.
89
 DAERAH OPERASI AMAN
(SAFE OPERATION AREA - SOA)
• Adalah merupakan
gambaran singkat dari
nilai-nilai maksimum dari
arus dan tegangan suatu
power switch.
• Divais berbeda
mempunyai SOA yang
berbeda pula. Contoh
dibawah ini adalah SOA
tipikal dari BJT seperti
pada gambar.
90
RANGKAIAN SNUBBER
• Dengan menggunakan hokum
kirchoff tegangan :

91
• Karena di/dt negatif (pada saat pemadaman)

di
vce  vin  Ls
dt
• Dari persamaan tersebut terlihat bahwa tegangan pada saklar lebih
besar dari pada tegangan catu (dalam waktu yang singkat).
• Tegangan spike dapat melebihi tegangan bloking nominal saklar dan
menyebabkan kerusakan akibat adanya tegangan lebih (over
voltage) tersebut.
• Untuk mencegah kejadian tersebut, maka dipasangkan rangkaian
snubber pada saklar. Sebagai contoh rangkaian snubber RCD
ditunjukkan pada gambar
92
• Rangkaian snubber dapat
memperhalus (smoothened) proses
transisi dan membuat kenaikan
tegangan pada saklar lebih pelan
(slowly). Pengaruhnya akan meredam
tegangan spike yang tinggi kenilai
yang aman.

• Power switch dan diode pada

umumnya memerlukan rangkaian
snubber. Akan tetapi, generasi baru
IGBT, MOSFET dan GCT tidak
memerlukan lagi rangkaian snubber.

93
• Secara umum rangkaian snubber digunakan untuk :
• Penyalaan : untuk meminimasi arus yang berlebihan yang
mengalir melalui divais pada saat penyalaan.
• Pemadaman : untuk meminimasi tegangan yang berlebihan
diantara divais pada saat pemadaman.
• Stress reduction : untuk membuat/membentuk bentuk
gelombang pensaklaran divais (seperti: tegangan dan arus)
tidak menjadi tinggi secara simultan.

94
IDEAL VS PRACTICAL POWER SWITCH

95
RELATED WEBSITES FOR FURTHER
READINGS/INFO/DATA SHEET
• Power Switches
• Power diodes (irf.com) (semikron.com)
• Thyristors (irf.com) (semikron.com)
• IGBT (siemens.com) (irf.com) (semikron.com)
• MOSFETS (irf.com)
• GTO (abb.com)
• GCT (abb.com)
• Drivers
• IGBT (Toshiba.com) (hp.com) (semikron.com)
• Complete power electronics solution
• (abb.com)

96